-
公开(公告)号：CN104037101A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410259001.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: H01L24/11 , C09G1/02 , H01L31/02024 , H01L2224/11
Abstract: 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
-
公开(公告)号：CN104035017A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410258872.8
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种金属半导体接触的非线性传输线模型及参数的拟合方法，它涉及到半导体器件结构性能的检测和表征领域，其步骤包括：1.建立非线性传输线模型；2.测量半导体薄膜材料上平行双矩形电极的I-V曲线；3.利用关系式R＝dV/dI获得R-V曲线；4.利用非线性传输线模型计算测试结构的理论R-V曲线；5.利用模拟退火遗传算法拟合金属半导体接触的物理参数。本发明的优点为：建立了非线性传输线模型和相应的数值算法，可以定量的提取金属半导体接触相关物理参数，为精确表征和分析非线性金属半导体接触提供了新的方法。
-
公开(公告)号：CN103245859A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310149157.6
申请日：2013-04-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种改进的焦平面探测器芯片测试系统及测试方法，测试系统包括屏蔽间、屏蔽盒、杜瓦瓶、多路开关、源表、计算机、红外发射装置、红外接收装置和短信报警器。多路开关的行输出端与源表的一个输入端相连，杜瓦瓶的公共端引脚和其余引脚分别通过屏蔽盒上对应的穿舱连接器与源表的另一个输入端及多路开关的列输入端相连，多路开关、源表、红外发射装置与计算机相连，红外接收装置与短信报警器相连。计算机循环配置多路开关、源表进行被测焦平面探测器光敏元的电学特性测量及数据保存，测量完毕后配置红外发射装置使其向红外接收装置发送红外光，红外接收装置接收到该红外光后触发短信报警器。本发明的优点是抗干扰能力强、效率高。
-
公开(公告)号：CN103217614A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310098370.9
申请日：2013-03-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/02
Abstract: 本发明公开了一种杜瓦瓶引脚连通性检测系统及检测方法，检测系统包括：开关矩阵、源表、计算机，其连接方式为：开关矩阵的两个行选输出端口分别与源表的两个输入端口相连，开关矩阵、源表的通讯端口分别与计算机的两个USB端口相连。检测方法包括以下步骤：首先将被检测杜瓦瓶安装于检测系统中，然后利用计算机向开关矩阵、源表循环发送配置信号，依次将杜瓦瓶不同内外引脚和源表电学连通以进行电阻测试，再利用电阻测试数据判断引脚间连通性，当引脚间连通性全部判断完毕后，保存检测结果。本发明的优点是：1，实现了杜瓦瓶引脚连通性检测的自动化，提高检测效率；2，避免了人工更换引脚连接导致的检测不准确。
-
公开(公告)号：CN101872803B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010182276.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性，以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性，有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102136484A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010565090.0
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/02 , H01L31/18 , G03F7/00 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于红外焦平面倒焊互连的铟柱及其制备方法。该方法在需要制备铟柱的芯片上分别进行两次旋涂光刻胶，两次单独曝光，一次显影的方法进行铟柱孔的光刻，在高真空热蒸发沉积铟层时，保证芯片处于铟蒸发源的正上方，铟层生长后采用有机试剂湿法剥离的方式获得新型铟柱阵列。采用本发明的方法可以获得底部尺寸大，顶部尺寸小，高度一致性好的铟柱阵列，可以满足小中心距焦平面探测器的铟柱阵列制备。制备的铟柱在生长过程中不会与光刻胶接触，不会由于生长中的高温铟源与光刻胶接触生成氧化铟或者将光刻胶碳化，可以采用有机试剂湿法剥离的方法去除多余的铟层，避免了多余残留物附着在铟柱表面。
-
公开(公告)号：CN101872804A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010182280.4
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件原位集成红外微凸镜列阵工艺所需的掩模用光刻胶微凸镜列阵的成形方法，它涉及光电探测器件的制造技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)方法，仅对红外焦平面探测器表面光刻胶进行局部的等离子体轰击回流的掩模用光刻胶微凸镜列阵成形的技术方案。基于高密度、低能量氧等离子体的光刻胶微凸镜列阵成形方法，只在氧等离子体与光刻胶发生反应的局部区域产生温升回流，解决了采用常规热熔回流进行红外焦平面探测器掩模用光刻胶微凸镜成形时必须经受高温过程的缺点。因而，本发明具有操作简单、可控性好和无需经受高温过程的特点。
-
公开(公告)号：CN101740501A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910198960.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光电p-n结列阵修饰的技术方案，有效解决了离子注入型光电p-n结常规修饰方法存在单步工艺时间长、操作复杂和稳定性较差，以及会影响红外光敏感元列阵芯片表面清洁度和介质膜钝化性能的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、稳定性高和与探测芯片工艺兼容性好的特点。
-
公开(公告)号：CN205609536U
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201620319396.0
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 本专利公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本专利采用将p‑n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本专利对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。
-
公开(公告)号：CN204680649U
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201520371989.7
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/426 , H01L21/36 , H01L21/027 , H01L21/475 , H01L21/471
Abstract: 本专利公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜。本专利中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。本专利的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
101
records
(took 0.035 seconds)
