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公开(公告)号：CN101872803B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010182276.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性，以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性，有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。
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公开(公告)号：CN101907576A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010198891.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种检测碲锌镉材料缺陷空间延伸特性的方法。其方法是：使用红外透射显微镜，以碲锌镉材料中的沉淀物为定位标记，测定碲锌镉材料缺陷腐蚀坑在多次腐蚀后的横向移动的取向和距离，结合腐蚀深度的测量确定缺陷的空间延伸特性。本方法定位精度高，腐蚀坑横向位移的测量精度可以达到0.2微米，操作方便，仪器要求简单，解决了长久以来，跟踪观察碲锌镉材料缺陷的定位难题。这对研究碲锌镉材料缺陷的特性，进而降低碲镉汞外延材料的位错密度具有实用价值。
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公开(公告)号：CN1883881A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610026935.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种II－VI族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法，该方法采用先在原片上划出所需的成型晶片面积，但不划穿透原片，仍然是一块晶片进行抛光。即利用周围区域小晶片作为陪片进行机械抛光，这样，周围区域的小晶片就阻挡了中间成型晶片边缘直接与磨料挤压所造成的碎片、裂缝和缺口缺陷，达到了保护侧边缘的目的。
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公开(公告)号：CN1058761C
公开(公告)日：2000-11-22
申请号：CN97106610.8
申请日：1997-09-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种碲镉汞材料的热处理装置，由样品架、密封罩、退火管、不锈钢密封头、隔膜阀、抽气管组成，巧妙地利用汞源兼作自密封密封罩的工质，形成了一种开管方式又具有闭管功能的退之装置；既具有开管装置的方便又具有闭管装置的优点。本装置适宜对N型碲镉汞分子束外延材料进行热处理，也可对液相外延材料、金属有机化学气相淀积材料及块状碲镉汞材料进行调节各种载流子浓度的热处理。
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公开(公告)号：CN1214378A
公开(公告)日：1999-04-21
申请号：CN98111054.1
申请日：1998-09-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B33/02
Abstract: 一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法,热处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成,热处理样品所需的CdTe覆盖层通过外延后直接生长的方法制备,杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达100%,空穴浓度可在5×1015到5×1016cm－3范围内随意控制。同时,材料的组分和表面形貌的完整性得到了很好的保持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1178391A
公开(公告)日：1998-04-08
申请号：CN97106610.8
申请日：1997-09-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/324
Abstract: 一种开管汞自封磅镉汞材料的热处理装置,由样品架、密封罩、退火管、不锈钢密封头、隔膜阀、抽气管组成,巧妙地利用汞源兼作自密封密封罩的工质,形成了一种开管方式又具有闭管功能的退火装置;既具有开管装置的方便又具有闭管装置的优点。本装置适宜对N型磅镉汞分子束外延材料进行热处理,也可对液相外延材料、金属有机化学气相淀积材料及块状碲镉汞材料进行调节各种载流子浓度的热处理。
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公开(公告)号：CN101872803A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010182276.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性，以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性，有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。
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公开(公告)号：CN1065291C
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN98111054.1
申请日：1998-09-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B33/02
Abstract: 一种碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法，热处理在分子束外延的真空腔体中或真空的石英安瓿中完成，热处理样品所需的CdTe覆盖层通过外延后直接生长的方法制备，杜绝了外界对样品的任何沾污。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达100%，空穴浓度可在4×1015到5×106cm-3范围内随意控制。同时，材料的组分和表面形貌的完整性得到了很好的保持。
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公开(公告)号：CN1065290C
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN96116340.2
申请日：1996-04-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B33/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供了一种长波碲镉汞外延材料P型热处理工艺及装置。该工艺由样品表面处理、热处理装置处理、装片、系统抽真空、热处理条件选择和淬火取出六部分组成，并提供了热处理装置设计。通过该装置和工艺可将用分子束外延(MBE)技术生长的N型材料调整到空穴浓度(77K工作温度)为0.8～2X1016cm13左右，空穴迁移率大于500cm2/VS，使长波碲镉汞MBE材料满足N-on-P结构红外焦平面器件使用的要求。
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公开(公告)号：CN101907576B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010198891.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种检测碲锌镉材料缺陷空间延伸特性的方法。其方法是：使用红外透射显微镜，以碲锌镉材料中的沉淀物为定位标记，测定碲锌镉材料缺陷腐蚀坑在多次腐蚀后的横向移动的取向和距离，结合腐蚀深度的测量确定缺陷的空间延伸特性。本方法定位精度高，腐蚀坑横向位移的测量精度可以达到0.2微米，操作方便，仪器要求简单，解决了长久以来，跟踪观察碲锌镉材料缺陷的定位难题。这对研究碲锌镉材料缺陷的特性，进而降低碲镉汞外延材料的位错密度具有实用价值。
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