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公开(公告)号：CN106324829B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610893682.2
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成化空间精密两维扫描机构，包括跨轨扫描机构和沿轨扫描机构；跨轨扫描机构包括扫描镜、扫描机构前壳体、扫描机构中间端盖、旋转电机、角位移传感器、转动轴、轴承组件、直线运动轴、前铰链组件、后铰链组件、前铰链组件支撑、后铰链组件支撑、密封圈；沿轨扫描机构包括扫描镜、直线电机、直线运动轴、扫描机构后壳体、转动轴、前铰链组件、后铰链组件、前铰链组件支撑、后铰链组件支撑、直线电机封盖、前限位装置、后限位装置。本发明的优点在于：与传统的两维扫描机构相比具有集成化、轻小型、高指向精度、装配难度低等特点；一维可以360°转动，另一维的转动角度可通过限位装置确定，跨轨扫描和沿轨扫描交替运动。
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公开(公告)号：CN103335725B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310251707.5
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种校正光敏元辐射通量非均匀性的数据处理方法，该方法利用矩阵运算的方法，根据安装探测器的实际杜瓦组件的几何尺寸精确计算光敏元辐射通量矩阵后对测试得到的探测器响应率进行校正，主要步骤包括：1，计算探测器的对角线长度；2，测量杜瓦组件的几何参数；3，计算最大黑体扩展源直径；4，生成最大黑体扩展源位置矩阵；5，生成杜瓦窗口矩阵；6，生成探测器视场范围矩阵；7，计算探测器对角线上光敏元的辐照度向量；8，计算整个探测器上的光敏元辐射通量矩阵；9，校正探测器光敏元响应率。本发明的优点为：计算结果准确，计算速度快。
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公开(公告)号：CN103149236B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310039532.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明公开了一种低温下材料线膨胀系数的测量方法及装置，它涉及材料热物理性能的测试与表征领域，该方法通过专用变温杜瓦实现液氮温度至300K温度区间内，标准材料和待测材料组成的叠状双层结构样品上温度的控制，利用三维坐标测量系统对各个温度点下双层结构的表面进行坐标扫描，获得需测量温度点处双层结构中心处的最大挠度形变值，结合双金属效应的挠度理论计算公式，由标准已知的材料参数推导出待测材料相应温度时的线膨胀系数。本发明方法原理简单、样品制备容易，测试量直观、易于测量，测试装置搭建不繁琐，具有很强的可操作性和实用性。
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公开(公告)号：CN110793644A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911093625.6
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/02
Abstract: 本发明公开了一种可调控红外焦平面探测器应力芯片装置及调控方法，所述的红外焦平面探测器应力芯片的调控方法所采用的装置包括：拉杆、拉杆支撑、底座、压条和垫片。所述的装置对于应力芯片调控的方式简单、易于测量，同时该装置搭建容易、可拆卸，而且可以重复使用。将已制备好的红外焦平面探测器芯片用DW-3低温环氧胶粘贴在压条上，在自由端对其施加向下或者向上的外力，芯片上的光敏元分成四个区域，通过对芯片上光敏元的四个区域进行测试来得到应力芯片光电性能参数，可以测得电阻率的变化。通过这种方法可以直接调控芯片的载流子迁移率，改变其电导率，从而改善红外焦平面探测器的光电响应，最终提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN103308008B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310251775.1
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明公开了一种低温状态下元件平面度的测量装置及测量方法，测量装置包括激光器、汇聚光学系统、成像光学系统、光电探测器、高精度三维位移平台、专用杜瓦、杜瓦支架、光学避震平台及数据处理装置；被测元件安放于专用杜瓦中；激光器发出的光束通过汇聚光学系统垂直入射于被测元件表面，成像光学系统和光电探测器对激光光斑成像，利用激光三角法测量被测元件表面测量点的微位移；数据处理系统利用质心算法计算激光光斑的位置，控制高精度三维位移平台实现二维扫描测量并计算被测元件表面平面度。本发明的优点在于：测量装置利用激光三角法位移测量原理实现非接触测量，原理简单易于实现，且工作距离可调，使得该装置具有很强的适用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103308008A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310251775.1
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明公开了一种低温状态下元件平面度的测量装置及测量方法，测量装置包括激光器、汇聚光学系统、成像光学系统、光电探测器、高精度三维位移平台、专用杜瓦、杜瓦支架、光学避震平台及数据处理装置；被测元件安放于专用杜瓦中；激光器发出的光束通过汇聚光学系统垂直入射于被测元件表面，成像光学系统和光电探测器对激光光斑成像，利用激光三角法测量被测元件表面测量点的微位移；数据处理系统利用质心算法计算激光光斑的位置，控制高精度三维位移平台实现二维扫描测量并计算被测元件表面平面度。本发明的优点在于：测量装置利用激光三角法位移测量原理实现非接触测量，原理简单易于实现，且工作距离可调，使得该装置具有很强的适用性。
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公开(公告)号：CN103149236A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310039532.1
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明公开了一种低温下材料线膨胀系数的测量方法及装置，它涉及材料热物理性能的测试与表征领域，该方法通过专用变温杜瓦实现液氮温度至300K温度区间内，标准材料和待测材料组成的叠状双层结构样品上温度的控制，利用三维坐标测量系统对各个温度点下双层结构的表面进行坐标扫描，获得需测量温度点处双层结构中心处的最大挠度形变值，结合双金属效应的挠度理论计算公式，由标准已知的材料参数推导出待测材料相应温度时的线膨胀系数。本发明方法原理简单、样品制备容易，测试量直观、易于测量，测试装置搭建不繁琐，具有很强的可操作性和实用性。
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公开(公告)号：CN117739860A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311833362.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种红外光电探测器倒焊面形匹配方法，本方法利用激光干涉仪测量红外光敏感芯片和读出电路的面形数据，根据预设掩膜提取有效的数据区域，拟合生成面形分布图，然后计算多种红外光敏感芯片‑读出电路组合和多旋转角度的表面距离分布及组合PV值，获得使组合PV值最小的芯片‑电路组合及其旋转角度。本发明可以高精度、自动化地实现超大面阵器件倒焊互连前的面形匹配分析，以组合PV值代替测量获得的PV值作为选择标准，允许PV值较大的红外光敏感芯片和读出电路通过面形匹配获得较好倒焊互连效果，提高倒焊互连工艺的成功率和红外光电探测器的成品率。
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公开(公告)号：CN110631715A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910850249.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种适用于曲面成像的焦平面探测器及其制备方法，所述的适用于曲面成像的焦平面探测器包括：支撑衬底；赋形焦平面阵列，位于所述支撑衬底的表面，赋形焦平面阵列和支撑衬底的曲面形状保持一致。采用这种结构可以始终保持光线聚焦在焦平面探测器上，不需要通过复杂的光学校正计算便可以保证最大程度的成像效果，该结构适合大视场、大面阵高分辨率成像。所述的制备方法使用了PDMS柔性模具对硅基焦平面进行赋形，并且使用紫外固化材料和紫外光照进行定形，过程简单，成形过程不需要复杂昂贵的仪器和设备，并且制备效率高。
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公开(公告)号：CN110487203A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910618838.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种校正红外焦平面探测器电路面形的结构，针对不同衬底材料和工艺存在的不同翘曲形变，利用对应的可补偿形变平衡方法，被校正电路和校正片之间采用DW-3低温环氧胶粘接，使用热膨胀系数比被校正电路大2±0.1倍的校正片进行校正，校正片的厚度为0.4mm—5mm，该方法实现了电路翘曲形变的校正。本发明方法原理简单、样品制备容易、易于测量并且易于分析。
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