公开(公告)号：CN101908370A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910052482.4

申请日：2009-06-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  薛晓勇

IPC: G11C11/401 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4063

Abstract: 本发明属于动态随机存储器(DRAM)技术领域，具体为一种位线合并的增益单元eDRAM单元及存储器。本发明提供的增益单元eDRAM单元包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、读字线、等效寄生电容以及一条位线，使用该条位线代替现有技术增益单元eDRAM单元的写位线和读位线，由于只包括一条位线，具有单元面积小的特点，并且在写位线和读位线合并后不影响增益单元eDRAM单元的存储特性。使用增益单元eDRAM单元的增益单元eDRAM具有存储密度相对高的特点。

公开(公告)号：CN101894907A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200910051873.4

申请日：2009-05-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  周鹏 ,  王明

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在CuxO基存储介质中整体分布相对更均匀，特别是在CuxO基存储介质上表层也形成了Si元素掺杂，从而提高该电阻型存储器的Ron和数据保持特性。采用该方法制备的CuxO电阻型存储器具有低功耗、长数据保持特性的优点。

公开(公告)号：CN101872649A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200910050100.4

申请日：2009-04-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  尹明 ,  金钢 ,  吴雨欣 ,  张佶

IPC: G11C29/00

Abstract: 本发明属于存储器技术领域，涉及一种一次可编程电阻型存储器测试方法。本发明利用一次可编程电阻型存储器的存储介质具有多次擦写容限的能力，在测试过程中进行擦除操作验证、存储功能验证和可靠性作测试。利用该测试方法可以大大提高一次可编程电阻型存储器的产品出厂良率。

公开(公告)号：CN101872647A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200910050101.9

申请日：2009-04-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  金钢 ,  尹明 ,  张佶 ,  吴雨欣 ,  解玉凤

IPC: G11C17/14

Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。

公开(公告)号：CN101740717A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910145691.3

申请日：2009-05-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吕杭炳 ,  王明 ,  周鹏

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成，其中，1＜x≤2。该发明提供的电阻型存储器能避免存储介质之下产生空洞，从而保证器件的良率以及可靠性，同时具有相对低功耗的特点。

公开(公告)号：CN101452740A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810207839.7

申请日：2008-12-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  吴雨欣 ,  金钢 ,  张佶 ,  解玉凤

IPC: G11C8/10

Abstract: 一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以成功实现同时选中多条位线，对多条位线上的多个存储单元进行写或者激活(Forming)等操作，可以大大提高工作的效率，尤其适应于对电阻存储器的激活操作过程。

公开(公告)号：CN101359503A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810040934.2

申请日：2008-07-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  薛晓勇 ,  张佶 ,  吴雨欣 ,  胡倍源 ,  廖启宏 ,  徐乐

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115 ,  G11C16/10

Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种电阻转换存储器及对这种存储器进行存储操作的方法。采用相变材料(如Ge2Sb2Te5)或者二元以上(包括二元)的多元金属氧化物(如CuxO1＜x≤2、WOx2≤x≤3、钛的氧化物、镍的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物等)作为存储电阻，每个存储单元中都包括两个存储电阻，每个存储电阻的第一电极都与同一个选通器件连接，第二电极与不同的位线耦连，形成同一存储单元中若干个存储电阻共享同一个选通器件的结构。这种存储器不仅大大提高存储集成密度，而且提供更强的写操作信号。

公开(公告)号：CN101315969A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810039607.5

申请日：2008-06-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  尹明 ,  周鹏

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体涉及一种具有掺杂控制层的电阻存储器。该电阻存储器包括：上电极、下电极、用于实现电阻值的存储转换的电阻存储介质层、用来实现对所述电阻存储介质层的金属元素掺杂及其掺杂含量控制的掺杂控制层。掺杂控制层与电阻存储介质层直接，上电极或者下电极中的金属元素透过掺杂控制层向存储介质层表面扩散，以实现对电阻存储介质层的可控低掺杂，从而达到稳定电阻存储器的电学性能的目的。

公开(公告)号：CN101232076A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810032764.3

申请日：2008-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  陈邦明 ,  吕杭炳

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体是一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法。生长完CuxO存储介质后，在N2、Ar、forming gas或真空等缺氧气氛中进行退火，表层CuO会由于缺氧而被还原成Cu2O，从而消除存储器第一次编程时的形成电压，降低写操作电流、电压，保护表层CuO下面的具有电阻转换特性的CuxO存储介质免受大电流破坏。本发明方法工艺简便，成本低，可显著改善CuxO电阻存储器的疲劳特性。

公开(公告)号：CN100379047C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510028247.5

申请日：2005-07-28

Applicant: 复旦大学 ,  硅存储技术公司

Inventor： 吕杭炳 ,  林殷茵 ,  汤庭鳌 ,  陈邦明

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明属微电子技术领域，具体为一种纳米相变存储器件的制备方法。它利用边墙技术构建纳米电极，通过形成纳米电极来减小电极接触面积。纳米线和相变材料或包含相变材料的复合层进行边沿式接触，接触面积的大小就是纳米线横截面积的大小，从而构建成完全突破光刻条件限制的纳米相变存储器单元结构。采用本发明方法制备的器件具有较小的写操作电流、较低的功耗，较快的读写速度，提高了器件性能。