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公开(公告)号：CN106226998A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610770956.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化阻剂层，其中上述第二图案化阻剂层的至少一部分设置于上述第一图案化阻剂层的至少一个开口内或邻接上述第一图案化阻剂层的至少一部分。然后使用上述第一图案化阻剂层与第二图案化阻剂层作为掩模，并蚀刻上述基板。本发明形成出具有整体强化的抗蚀刻性的阻剂图案，可用于形成次微米半导体装置所需的细粒度图形。使用这些材料导致图案化的阻剂层较不倾向于顶部损失、圆角、以及阻剂图案损伤。
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公开(公告)号：CN102237869B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201110021189.9
申请日：2011-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H03K19/01855 , H03K3/012 , H03K3/356008 , H03K3/35625 , H03K19/0016 , H03K19/0963
Abstract: 本发明提供一种集成电路，用以消除负偏温度不稳定性，包括一逻辑门驱动器的一操作型PMOS晶体管；一控制电路，用以在一待命模式下，停止导通操作型PMOS晶体管；一第一PMOS晶体管；以及一输出节点；其中操作型PMOS晶体管耦接至输出节点，并且在待命模式下，第一PMOS晶体管用以使输出节点的逻辑电平为逻辑1。本发明能够消除负偏温度不稳定性，减少对逻辑门驱动器的损害。
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公开(公告)号：CN103107802B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210146727.1
申请日：2012-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H02H9/04 , H01L23/60 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H03F2200/294 , H03F2203/45638 , H03G1/0023 , H03K3/35613 , H03K19/018514 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有电感器的输入/输出(I/O)电路包括与I/O电路的输出节点电连接的静电放电(ESD)保护电路。至少一个电感器和至少一个负载以串联方式且在I/O电路的输出节点和电源线之间进行电连接。电路与至少一个电感器和至少一个负载之间的节点电连接。电路用于增加信号变换期间流过至少一个电感器的电流。
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公开(公告)号：CN104917369A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410310873.2
申请日：2014-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种电压源单元，包括稳压单元、分压器和第一电流镜。稳压单元被配置为接收第一电压信号和第二电压信号，并且被配置为生成第三电压信号。分压器连接在第一电流镜和稳压单元之间，并且控制第二电压信号。第一电流镜连接至稳压单元、输入电压源和分压器。第一电流镜被配置为生成第一电流信号和第二电流信号，第二电流信号是第一电流信号的镜像，通过第三电压信号控制第一电流信号，而第二电流信号控制输出电压源信号。本发明还提供了电压源单元的操作方法。
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公开(公告)号：CN104049662A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310583338.X
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H02M3/156 , H02M2001/0025
Abstract: 一种调压器包括：驱动电路、反馈电路、第一和第二控制电路以及电阻器。驱动电路连接至输入节点和输出节点，并且根据输入节点处的输入电压在输出节点处生成输出电压。反馈电路连接至输出节点并且基于输出电压生成反馈电压。第一控制电路连接至反馈电路和驱动电路，以基于反馈电压来控制输出电压。电阻器具有相对的第一端和第二端。电阻器的第一端连接至输出节点。第二控制电路连接至输出级电阻器的第二端和反馈电路，以基于输出级电阻器的第二端处的调节电压来控制反馈电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102156503B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010213338.7
申请日：2010-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/63
CPC classification number: G01C19/5776
Abstract: 本发明的实施例提供一种用于自动电平控制的电路及其方法。于一实施例中，高电压NMOS(例如HV NMOS)晶体管用于提供用在回转仪驱动回路的电阻(例如回转仪电阻)。转换自回转电流(例如电流Igyro)且输入到锁相回路的电压(例如电压Vpillin)与回转电阻成比例。振幅检测器检测与电压Vpllin成比例的电压Vamp的振幅，并且传送它到比较单元，根据电压振幅且参考既定临界值，提供信号去调整在HV NMOS晶体管的栅极的电压电平，也因此相对应地调整回转电阻。因为回转电流与回转电阻被控制，所以电压Vpllin的振幅是自动地调整在令人满意的范围内。
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公开(公告)号：CN101308326B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710187758.0
申请日：2007-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 一种适用于半导体工艺中的感光材质，包括：感光材料以及共聚物，其中该共聚物包括：多个光阻链以及多个疏水性碳链，其中每一个疏水性碳链系于这些光阻链中的一个上，且这些光阻链和这些疏水性碳链系相互复合，并对外加能量产生反应，而进行自组装以形成光阻层和疏水层。
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公开(公告)号：CN101819947A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010125527.9
申请日：2010-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈建宏
IPC: H01L21/8234 , H01L21/71
CPC classification number: G06F17/5068 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0692
Abstract: 本发明提供一种形成位于芯片上的集成电路结构的方法。包括从集成电路结构的设计取出有源层；形成围绕有源层且与有源层形状一致的保护带，且保护带与有源层相隔沿X轴方向的第一固定间距以及沿Y轴方向的第二固定间距；移除保护带的凸角；于保护带外侧的芯片的剩余空间中增加虚设扩散图案。特别指定第一和第二固定间距与集成电路结构的电性参数模型特性描述的间距相同。上述方法的虚设扩散图案具有不同的粒度。上述方法增加虚设扩散图案以使遍及芯片的扩散区密度为均一。
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公开(公告)号：CN101795112A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010003515.9
申请日：2010-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G05F3/242
Abstract: 提供一种与温度无关的固定参考电流的电路架构和方法，本发明实施例所公开的一固定转导偏压电路包括一压控电阻用以提供至一电流镜中的电流，上述电流镜降低其输出端的参考电流，通过提供一控制上述压控电阻的反馈电路，可获得一温度补偿电路，上述压控电阻的温度相依性为正温度相依的，并且上述反馈电路维持该压控电阻在可补偿上述电流镜的负温度相依性的一数值大小中，因此，所获得的参考电流可位于与温度无关的一既定电平上。本发明实施例涉及提供一参考电流的方法，提供一电压相依电阻以供应电流至一电流镜，该电压相依电阻接收来自电流镜的反馈电压，并该反馈电压控制该电压相依电阻，因此可获得与温度无关的参考电流。
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公开(公告)号：CN1323326C
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200310122533.9
申请日：2003-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , AZ电子材料株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/0035 , G03F7/038 , G03F7/095
Abstract: 本发明提供一种水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法，该水溶性负型光阻至少包括聚合物、光活性化合物、抑制剂、交联剂、以及溶剂。由于此水溶性负型光阻不会与之前形成的光阻层互相混合，在曝光之后即可用去离子水来显影出预定的光阻图案。本发明提供的该形成光阻图案的方法，应用此水溶性负型光阻于构装与解除(Packing And Unpacking；PAU)的光罩组合的方式，可增加聚焦深度(Depth Of Focus；DOF)，降低光罩误差系数(Mask ErrorFactor；MEF)，并缩小洞与洞的分离率(Hole-to-separation Ratio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。
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