公开(公告)号：CN1323326C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200310122533.9

申请日：2003-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  AZ电子材料株式会社

Inventor： 何邦庆 ,  陈建宏 ,  高野洋介 ,  卢炳宏

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/038 ,  G03F7/095

Abstract: 本发明提供一种水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法，该水溶性负型光阻至少包括聚合物、光活性化合物、抑制剂、交联剂、以及溶剂。由于此水溶性负型光阻不会与之前形成的光阻层互相混合，在曝光之后即可用去离子水来显影出预定的光阻图案。本发明提供的该形成光阻图案的方法，应用此水溶性负型光阻于构装与解除(Packing And Unpacking；PAU)的光罩组合的方式，可增加聚焦深度(Depth Of Focus；DOF)，降低光罩误差系数(Mask ErrorFactor；MEF)，并缩小洞与洞的分离率(Hole-to-separation Ratio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。

公开(公告)号：CN1573540A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200310122533.9

申请日：2003-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  瑞士商科莱恩国际股份有限公司

Inventor： 何邦庆 ,  陈建宏 ,  高野洋介 ,  卢炳宏

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/038 ,  G03F7/095

Abstract: 本发明提供一种水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法，该水溶性负型光阻至少包括聚合物、光活性化合物、抑制剂、交链剂、以及溶剂。由于此水溶性负型光阻不会与之前形成的光阻层互相混合，在曝光之后即可用去离子水来显影出预定的光阻图案。本发明提供的该形成光阻图案的方法，应用此水溶性负型光阻于构装与解除(Packing And Unpacking；PAU)的光罩组合的方式，可增加聚焦深度(Depth Of Focus；DOF)，降低光罩误差系数(Mask Error Factor；MEF)，并缩小洞与洞的分离率(Hole－to－separation Ratio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。