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公开(公告)号：CN101556437A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910005762.X
申请日：2009-02-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76816 , G03F7/0035 , G03F7/40 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明提供一种图案化方法，包括于基底上形成光致抗蚀剂图案，光致抗蚀剂图案于基底上包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中，于光致抗蚀剂图案与基底上形成图案化感光材料层，其中图案化感光材料层覆盖光致抗蚀剂图案的留白开口，以及对光致抗蚀剂图案的预期开口进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺。本发明通过进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺，以缩小临界尺寸及/或增加聚焦深度。
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公开(公告)号：CN106226998B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610770956.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化阻剂层，其中上述第二图案化阻剂层的至少一部分设置于上述第一图案化阻剂层的至少一个开口内或邻接上述第一图案化阻剂层的至少一部分。然后使用上述第一图案化阻剂层与第二图案化阻剂层作为掩模，并蚀刻上述基板。本发明形成出具有整体强化的抗蚀刻性的阻剂图案，可用于形成次微米半导体装置所需的细粒度图形。使用这些材料导致图案化的阻剂层较不倾向于顶部损失、圆角、以及阻剂图案损伤。
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公开(公告)号：CN101676801A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910138199.3
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/0035 , G03F7/405 , H01L21/3086
Abstract: 一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化阻剂层，其中上述第二图案化阻剂层的至少一部分设置于上述第一图案化阻剂层的至少一个开口内或邻接上述第一图案化阻剂层的至少一部分。然后使用上述第一图案化阻剂层与第二图案化阻剂层作为掩模，并蚀刻上述基板。本发明形成出具有整体强化的抗蚀刻性的阻剂图案，可用于形成次微米半导体装置所需的细粒度图形。使用这些材料导致图案化的阻剂层较不倾向于顶部损失、圆角、以及阻剂图案损伤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101308326A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200710187758.0
申请日：2007-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 一种适用于半导体工艺中的感光材质，包括：感光材料以及共聚物，其中该共聚物包括：多个光阻链以及多个疏水性碳链，其中每一个疏水性碳链系于这些光阻链中的一个上，且这些光阻链和这些疏水性碳链系相互复合，并对外加能量产生反应，而进行自组装以形成光阻层和疏水层。
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公开(公告)号：CN101556437B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910005762.X
申请日：2009-02-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/004
CPC classification number: H01L21/76816 , G03F7/0035 , G03F7/40 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明提供一种图案化方法，包括于基底上形成光致抗蚀剂图案，光致抗蚀剂图案包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中，于光致抗蚀剂图案与基底上形成图案化感光材料层，其中图案化感光材料层覆盖光致抗蚀剂图案的留白开口，以及对光致抗蚀剂图案的预期开口进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺，通过该预期开口蚀刻该基底，其中在蚀刻该基底期间，该图案化感光材料层覆盖该光致抗蚀剂图案的该留白开口。本发明通过进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺，以缩小临界尺寸及/或增加聚焦深度。
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公开(公告)号：CN106226998A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610770956.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化阻剂层，其中上述第二图案化阻剂层的至少一部分设置于上述第一图案化阻剂层的至少一个开口内或邻接上述第一图案化阻剂层的至少一部分。然后使用上述第一图案化阻剂层与第二图案化阻剂层作为掩模，并蚀刻上述基板。本发明形成出具有整体强化的抗蚀刻性的阻剂图案，可用于形成次微米半导体装置所需的细粒度图形。使用这些材料导致图案化的阻剂层较不倾向于顶部损失、圆角、以及阻剂图案损伤。
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公开(公告)号：CN102147568A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010246690.0
申请日：2010-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭示一种光刻图案化方法及双重图案化方法，所述光刻图案化方法包括：在一基底上形成一第一阻剂图案，其中第一阻剂图案内包括多个开口。在基底上且位于第一阻剂图案的开口内形成一第二阻剂图案，其中第二阻剂图案内包括至少一开口位于基底上。去除第一阻剂图案，以露出位于第一阻剂图案下方的基底。本发明可改善制造产能及产品品质，并降低制造成本。
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公开(公告)号：CN101308326B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710187758.0
申请日：2007-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 一种适用于半导体工艺中的感光材质，包括：感光材料以及共聚物，其中该共聚物包括：多个光阻链以及多个疏水性碳链，其中每一个疏水性碳链系于这些光阻链中的一个上，且这些光阻链和这些疏水性碳链系相互复合，并对外加能量产生反应，而进行自组装以形成光阻层和疏水层。
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