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公开(公告)号：CN102749811A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210222498.7
申请日：2005-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03B27/52 , G03F7/70333
Abstract: 本发明公开一种以倾斜掩膜板或晶片进行多焦点扫描的方法，于光刻步进及扫描投影系统中实现于两或多个失焦位置之两或多个失焦晶片图像之分离重叠的方法。该方法包含使掩膜板及晶片中之一个相对于扫描方向倾斜，以及将光束分开于位于该掩膜板之不同失焦区中之至少两个发光区域。
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公开(公告)号：CN101308326B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710187758.0
申请日：2007-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 一种适用于半导体工艺中的感光材质，包括：感光材料以及共聚物，其中该共聚物包括：多个光阻链以及多个疏水性碳链，其中每一个疏水性碳链系于这些光阻链中的一个上，且这些光阻链和这些疏水性碳链系相互复合，并对外加能量产生反应，而进行自组装以形成光阻层和疏水层。
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公开(公告)号：CN100559275C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200610057843.0
申请日：2006-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 施仁杰
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/40
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/091 , G03F7/168 , H01L21/0276 , Y10S438/948 , Y10S438/949 , Y10S438/95 , Y10S438/952
Abstract: 本发明是有关于制造半导体元件，特别是有关于使用一真空腔体来制造半导体元件。用于半导体制造的方法包含：提供一光阻层于一晶圆上；使用一真空腔体从光阻层上移除溶剂残渣物；以及对此晶圆进行曝光。
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公开(公告)号：CN1658068A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410083999.7
申请日：2004-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种光刻制程、掩膜版及其制造方法，该掩膜版可用于光刻制程。其中，掩膜版包括一个透明基板和一个形成有至少一个开口的吸收层。此外，掩膜版还包括一个波长缩短材料层，设置于开口之中。该波长缩短材料层的厚度大约介于吸收层厚度至光刻制程所用光线的波长的10倍之间。此外，掩膜版还可以包括一个减反射涂布层。本发明提供的掩膜版，可以在开口尺寸保持不变的同时降低光的衍射作用，从而提高成像的分辨率。
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公开(公告)号：CN101556437A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910005762.X
申请日：2009-02-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76816 , G03F7/0035 , G03F7/40 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明提供一种图案化方法，包括于基底上形成光致抗蚀剂图案，光致抗蚀剂图案于基底上包括至少一预期开口与至少一留白开口于其中，于光致抗蚀剂图案与基底上形成图案化感光材料层，其中图案化感光材料层覆盖光致抗蚀剂图案的留白开口，以及对光致抗蚀剂图案的预期开口进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺。本发明通过进行化学微缩辅助光刻解析度强化工艺，以缩小临界尺寸及/或增加聚焦深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100547488C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200510079341.3
申请日：2005-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种浸入式光学投影系统与集成电路晶片的制造方法。该浸入式光学投影系统包括：一末端镜片元件；一晶圆基座，用于握持一晶圆；一透明板，于该浸入式光学投影系统使用时座落于该末端镜片元件与该晶圆间。该透明板具有一镜片侧表面与一晶圆侧表面，该浸入式光学投影系统具有一镜片侧流体层，位于该末端镜片元件与该透明板的该镜片侧表面之间；以及该浸入式光学投影系统具有一晶圆侧流体层，位于该透明板的该晶圆侧表面与该晶圆之间。该晶圆侧流体层与该镜片侧流体层之间并无流通，且该镜片侧流体层可与该晶圆侧流体层相同或不同。本发明较少污染镜片，且仍保有一般浸入式系统的优点与功能。
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公开(公告)号：CN100489666C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610161883.X
申请日：2006-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式(Immersion)微影系统。其至少包括：一晶圆吸附器，用以容纳并以浸润式微影来处理位于其上的一晶圆；至少一密封环，用以密封该晶圆于该晶圆吸附器上；一密封环承载器，用以装载该密封环至该晶圆吸附器，或自该晶圆吸附器卸下该密封环；以及一真空模组，用以吸附该密封环至该晶圆和该晶圆吸附器。借由此些密封环的排列结构，浸润式微影系统可提供较佳的密封效果，以处理位于晶圆吸附器(Wafer Chuck)上的晶圆。
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公开(公告)号：CN1815371A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510123786.7
申请日：2005-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/70341
Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件及其制程方法，该半导体元件至少包括：一基材；以及一位于基材之上的顶层，该顶层用于一浸润式微影制程中，且有一如小滴流体的混合物，存在于浸润式微影制程中的该混合物有一介于40度及80度间的接触角。该半导体元件的制造方法是在晶圆上施行浸润式微影制程的方法，包括将半导体晶圆置于一透镜之下，及将一流体置于此半导体晶圆的上表面与透镜之间。提供一添加物于在此上表面之上以使任何在此半导体晶圆上表面之上的小滴流体形成一介于40度至80度间的接触角。
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公开(公告)号：CN102749811B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210222498.7
申请日：2005-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03B27/52 , G03F7/70333
Abstract: 本发明公开一种以倾斜掩膜板或晶片进行多焦点扫描的方法，于光刻步进及扫描投影系统中实现于两或多个失焦位置之两或多个失焦晶片图像之分离重叠的方法。该方法包含使掩膜板及晶片中之一个相对于扫描方向倾斜，以及将光束分开于位于该掩膜板之不同失焦区中之至少两个发光区域。
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公开(公告)号：CN1815371B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200510123786.7
申请日：2005-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/70341
Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件及其制程方法，该半导体元件至少包括：一基材；以及一位于基材之上的顶层，该顶层用于一浸润式微影制程中，且有一如小滴流体的混合物，存在于浸润式微影制程中的该混合物有一介于40度及80度间的接触角。该半导体元件的制造方法是在晶圆上施行浸润式微影制程的方法，包括将半导体晶圆置于一透镜之下，及将一流体置于此半导体晶圆的上表面与透镜之间。提供一添加物于在此上表面之上以使任何在此半导体晶圆上表面之上的小滴流体形成一介于40度至80度间的接触角。
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