公开(公告)号：CN101031846A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580021579.9

申请日：2005-06-29

Applicant: 大日本油墨化学工业株式会社 ,  日本AZ电子材料株式会社

Inventor： 松尾二郎 ,  高野圣史 ,  高野祐辅 ,  秋山靖

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/952

Abstract: 本发明提供一种维持作为防反射膜的性能并具有特别优异的涂布特性的防反射涂层用组合物以及使用该组合物的图案形成方法。一种防反射涂层用组合物，其至少含有下述(A)、(B)、(C)、(D)和(E)成分：(A)下述通式(1)所示的全氟烷基·亚烷基磺酸；CnF2n+1(CH2CH2)mSO3H(1)(式中，n表示1～20的整数、m表示0～20的整数)(B)有机胺；(C)水溶性聚合物；(D)下述通式(2)所示的含有全氟烷基乙基的化合物；CkF2k+1CH2CH2－X－Y(2)(式中，k表示1～20的整数、X表示单键或2价的连接基团、Y表示阴离子性基团或非离子性基团。其中，该化合物具有与上述(A)成分不同的结构)(E)水。

公开(公告)号：CN1323326C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200310122533.9

申请日：2003-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  AZ电子材料株式会社

Inventor： 何邦庆 ,  陈建宏 ,  高野洋介 ,  卢炳宏

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/038 ,  G03F7/095

Abstract: 本发明提供一种水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法，该水溶性负型光阻至少包括聚合物、光活性化合物、抑制剂、交联剂、以及溶剂。由于此水溶性负型光阻不会与之前形成的光阻层互相混合，在曝光之后即可用去离子水来显影出预定的光阻图案。本发明提供的该形成光阻图案的方法，应用此水溶性负型光阻于构装与解除(Packing And Unpacking；PAU)的光罩组合的方式，可增加聚焦深度(Depth Of Focus；DOF)，降低光罩误差系数(Mask ErrorFactor；MEF)，并缩小洞与洞的分离率(Hole-to-separation Ratio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。

公开(公告)号：CN100587600C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200580021579.9

申请日：2005-06-29

Applicant: 大日本油墨化学工业株式会社 ,  日本AZ电子材料株式会社

Inventor： 松尾二郎 ,  高野圣史 ,  高野祐辅 ,  秋山靖

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/952

Abstract: 本发明提供一种维持作为防反射膜的性能并具有特别优异的涂布特性的防反射涂层用组合物以及使用该组合物的图案形成方法。一种防反射涂层用组合物，其至少含有下述(A)、(B)、(C)、(D)和(E)成分：(A)下述通式(1)所示的全氟烷基·亚烷基磺酸；CnF2n+1(CH2CH2)mSO3H (1)；(式中，n表示1～20的整数、m表示0～20的整数)(B)有机胺；(C)水溶性聚合物；(D)下述通式(2)所示的含有全氟烷基乙基的化合物；CkF2k+1CH2CH2-X-Y (2)；(式中，k表示1～20的整数、X表示单键或2价的连接基团、Y表示阴离子性基团或非离子性基团。其中，该化合物具有与上述(A)成分不同的结构)(E)水。