公开(公告)号：CN115579361A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210962225.X

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄宗翰 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种集成电路装置，包括基板、基板之上第一纳米结构通道及基板与第一纳米结构通道之间的第二纳米结构通道。内间隔物位于第一纳米结构通道与第二纳米结构通道之间。栅极结构抵接第一纳米结构通道、第二纳米结构通道与内间隔物。衬层位于内间隔物与栅极结构之间。

公开(公告)号：CN115346922A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210719174.8

申请日：2022-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  姚茜甯 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  庄宗翰 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的实施例提供了集成电路及其形成方法。集成电路包括第一纳米结构晶体管，第一纳米结构晶体管包括：多个第一半导体纳米结构，位于衬底上方；和源极/漏极区，与每个第一半导体纳米结构接触。集成电路包括第二纳米结构晶体管，第二纳米结构晶体管包括：多个第二半导体纳米结构；和第二源极/漏极区，与一个或者多个第二半导体纳米结构接触，但是不与一个或者多个其他第二半导体纳米结构接触。

公开(公告)号：CN114935836A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210183928.2

申请日：2022-02-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 宋巍巍 ,  斯帝芬·鲁苏 ,  陈建宏 ,  林志昌

IPC: G02F1/025

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件以及操作硅环形调制器的方法。半导体器件包括：第一总线波导；第一硅环，光耦合到第一总线波导；备用硅环，光耦合到第一总线波导；第一加热器和第二加热器，被配置为分别加热第一硅环和备用硅环；第一开关，其中第一开关被配置为当第一开关处于第一开关位置时将第一硅环电耦合到第一射频(RF)电路，并且被配置为当第一开关处于第二开关位置时将备用硅环电耦合到第一RF电路。

公开(公告)号：CN114864579A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210330288.3

申请日：2022-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  江国诚 ,  林志昌

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括基板；第一与第二源极/漏极结构位于基板上；第一与第二半导体层，位于第一与第二源极/漏极结构之间；以及栅极位于第一与第二源极/漏极结构之间。栅极的一部分更位于第一与第二半导体层之间。此外，半导体装置包括第一与第二内侧间隔物。第一内侧间隔物位于第一与第二半导体层之间，且更位于栅极的部分与第一源极/漏极结构的部分之间。第一源极/漏极结构的部分位于第一与第二半导体层之间。第一内侧间隔物具有U形轮廓。第二内侧间隔物位于第一内侧间隔物与第一源极/漏极结构的部分之间。

公开(公告)号：CN113764344A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110735233.6

申请日：2021-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  江国诚 ,  林志昌

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括提供具有半导体通道层和设置于半导体通道层之间的多层外延层的一鳍片。多层外延层包括设置于第二、第三外延层之间的第一外延层。第一外延层具有第一蚀刻速率，第二和第三外延层具有大于第一蚀刻速率的第二蚀刻速率。方法还包括横向蚀刻第一、第二和第三外延层，以在多层外延层的相对侧表面上提供外凸的侧壁轮廓。方法还包括在相邻半导体通道层之间形成内部间隔物。内部间隔物沿着第一内部间隔物侧壁表面与多层外延层的外凸的侧壁轮廓相接。方法还包括用一栅极结构的一部分替代每一个多层外延层。

公开(公告)号：CN113725277A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110377536.5

申请日：2021-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  江国诚 ,  林志昌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明的半导体装置包括有源区、多个通道部件的垂直堆叠、栅极结构、底部介电结构、源极/漏极结构和锗层，有源区包括通道区以及与通道区相邻的源极/漏极区。多个通道部件的垂直堆叠位于通道区上。栅极结构位于通道部件的垂直堆叠周围与之上。底部介电结构位于源极/漏极区上。源极/漏极结构位于底部介电结构上。锗层位于底部介电结构与源极/漏极区之间。

公开(公告)号：CN113539964A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110653419.7

申请日：2021-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张罗衡 ,  张荣宏 ,  林志昌 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括：形成半导体纳米结构以及牺牲层的交替膜层的鳍片；横向蚀刻牺牲层的侧壁部分；以及在半导体纳米结构以及牺牲层的侧壁上沉积额外的半导体材料。在额外的半导体材料上沉积介电材料以及额外的蚀刻之后，半导体结构的剩余部分以及额外的半导体材料在鳍片各自的两侧共同形成锤形(hammer shape)。在鳍片两侧上形成的外延源极/漏极区将接触锤形的头部。

公开(公告)号：CN111490012A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010074227.6

申请日：2020-01-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  林志昌 ,  潘冠廷 ,  王志豪 ,  朱熙甯

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提供一种半导体装置结构及其形成方法，形成方法包括形成衬层于第一鳍结构及第二鳍结构的侧壁上；形成虚置鳍结构于隔离结构上，虚置鳍结构位于第一鳍结构及第二鳍结构之间；形成盖层于虚置鳍结构上；形成虚置栅极结构于盖层、第一鳍结构及第二鳍结构上；形成介电层包围虚置栅极结构；移除虚置栅极结构以于介电层中形成沟槽；移除沟槽下的衬层以形成第一凹槽于第一鳍结构及虚置鳍结构之间，及第二凹槽于第二鳍结构及虚置鳍结构之间；分别形成第一栅极结构于第一凹槽中及第二栅极结构于第二凹槽中，以虚置鳍结构及盖层分隔第一栅极结构及第二栅极结构。

公开(公告)号：CN110957299A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910916829.9

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  蔡腾群 ,  吴伟豪

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的实施例提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括半导体衬底；第一导电部件和第二导电部件，设置在半导体衬底上；以及交错的介电部件，插入在第一导电部件和第二导电部件之间。交错的介电部件包括相互交叉的第一介电层和第二介电层。第一介电层包括第一介电材料，并且第二介电层包括与第一介电材料不同的第二介电材料。

公开(公告)号：CN110943043A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910904006.4

申请日：2019-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏焕杰 ,  林志昌 ,  徐廷鋐 ,  余佳霓 ,  吴伟豪 ,  林佑明 ,  王志豪

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括：第一源极和第一漏极，分隔开第一距离；第一半导体结构，设置在第一源极和第一漏极之间；第一栅电极，设置在第一半导体结构上方；以及第一介电结构，设置在第一栅电极上方。第一介电结构具有下部和上部，上部设置在下部上方并且比下部宽。第二晶体管包括：第二源极和第二漏极，分隔开第二距离，第二距离大于第一距离；第二半导体结构，设置在第二源极和第二漏极之间；第二栅电极，设置在第二半导体结构上方；以及第二介电结构，设置在第二栅电极上方。第二介电结构和第一介电结构具有不同的材料组分。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。