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公开(公告)号：CN109061429A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810654435.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种利用瞬态电压响应表征GaN HEMT器件中陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN HEMT器件处以某一栅压下，在漏源两端施加一恒定电流，其漏源电压随时间呈现指数增长变化。这种变化是由于陷阱对沟道二维面电子气(2DEG)中的载流子进行俘获或对栅反偏电流中的电子俘获引起的，称之为陷阱俘获过程。如果先对器件施加恒定电应力进行陷阱的填充，应力结束后再测量其恢复响应，即陷阱释放过程。通过对这种陷阱释放过程中的瞬态漏源电压变化进行采集，提取，分析，可以得到器件中陷阱的特性及参数。在不同温度下测量释放过程中的陷阱时间常数，可以绘制陷阱的阿伦尼乌斯方程，从而获取其陷阱能级。
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公开(公告)号：CN108061611A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711300702.1
申请日：2017-12-10
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G01K13/00 , G01K15/005
Abstract: 本发明公开了一种利用FPGA嵌入式环形振荡器测量温度分布的装置和方法，该装置包括被测芯片、FPGA核心板、USB转串口、串口线、温箱、PC机和串口传输软件；温箱通过USB转串口、串口线与PC机连接；FPGA核心板设置在温箱中；被测芯片与FPGA连接，串口传输软件设置在PC机中。利用FPGA内部资源搭建的可重构环形振荡器的延迟与温度的对应关系实现探测温度。被探测温度可以转换成一个随温度比例变化的时间信号，输出的频率被一个带扫描回路的计数器读出，然后通过串口传回到电脑的上位机，得到被测芯片各个不同位置的温度。通过不断扫描环形振荡器得到温度分布，改变传感器位置多次测量最终得到芯片的整体温度分布。
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公开(公告)号：CN105158666B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510524770.0
申请日：2015-08-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN基HEMT器件栅极处以某一偏压下，在其漏源端加上恒定的电压，其漏极电流会随着时间变化。在较低的功率下，自热效应的影响可以忽略，而此时漏源电流的变化完全由陷阱及缺陷引起，因此，对漏源电流的变化进行提取，处理，分析可以得到其中包含的陷阱及缺陷的相关参数信息。根据这一特性，提出了一种陷阱的RC网络等效模型，并可以测量出陷阱种类数，时间常数大小，俘获电量等参数，测量过程简便，快捷，无损，能够获得器件陷阱参数的信息及其变化。
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公开(公告)号：CN103869233B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410128395.3
申请日：2014-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件内部薄层热阻的测量方法。测量时将半导体器件3置于恒温平台4上，仅改变与薄层1相邻的下一层材料2的厚度d，以半导体器件3有源区为热源，对不同结构的半导体器件3进行热阻测量，通过分析测得的热阻微分结构函数曲线，得到薄层1及其相邻下层材料2热阻总和R与厚度d的关系曲线，进一步确定半导体器件3内部的薄层1热阻。本发明通过测量半导体器件薄层材料与相邻下层材料的总热阻R随下层材料厚度d的变化规律，并进行函数拟合，从而测得薄层材料的热阻。解决了现有测量方法由于高电子迁移率晶体管器件中间材料热容低于上下两层材料，无法对中间薄层材料进行热阻测量的问题。
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公开(公告)号：CN106409818A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610905648.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L28/55
Abstract: 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法，属于铁电器件及半导体工艺领域。本发明为通过便捷、经济的方法得到无机衬底且具备柔性的铁电薄膜电容器件，通过使用金刚砂、工业蜡、玻璃片和玻璃板等常见材料作为衬底研磨的工具，利用加热平台使工业蜡融化并粘合玻璃片与PZT，而后用金刚砂可以将衬底厚度约为500μm的刚性PZT器件减薄到100μm厚从而成为柔性PZT，再利用少量化学试剂可以去除粘附在器件表面的残留工业蜡。该方法原理简单、成本低廉、安全可靠，相比于其他方法可以更快更安全地得到柔性铁电薄膜器件，同时不会失去其优良的电学特性，且该柔性器件在反复受力条件下仍能保持良好的电学性能，具备优良的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104316855A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410539936.1
申请日：2014-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种HEMT器件结温的测试方法，属于电子器件测试领域。其包括HEMT器件(1)、电源(2)、器件夹具(3)、防自激电路(4)、红外热像仪(5)、温度测量计(6)、红外热像仪恒温平台(7)、仿真软件ISE。所述方法基于HEMT器件的器件参数及红外热像仪测量的温度分布结果作为边界条件，建立仿真模型；并利用不同条件下红外热像仪测量的温度分布结果验证、优化模型，保证模型的准确性；根据结温测量的精度需求，利用优化后的模型提取栅极0.05um-2um分辨率HEMT器件的结温。解决了目前红外法及其它方法不能准确测量HEMT器件结温的问题。
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公开(公告)号：CN103616628A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310591383.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 肖特基栅场效应晶体管温升和热阻测量方法及装置属于微电子技术中，半导体器件测量技术领域。本发明设计了控制信号控制的快速切换开关；漏源电压切断与栅压由反偏转为正偏的延时精确地由FPGA控制模块设定及输出；正向测试电流下，肖特基结电压的稳态过程与器件自身电容和测试电流值相关，通过采用恒温下，结电压的建立过程，作为恒温参考结电压，减小计算工作下温升的延时误差；采用FPGA设计了漏源电压、漏源电流、栅源电压的采集和设定功能，可以实现小于毫秒级时间的反馈功能，可以有效保护器件由于振荡或误操作带来的器件烧毁。
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公开(公告)号：CN103076551A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310000861.5
申请日：2013-01-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种LED灯具热阻构成测试装置和方法属于半导体LED照明和显示可靠性设计和考核技术领域。本发明的主要发明点在于：在实际LED灯具中，选取、隔离部分LED作为测温元件，设计了控制外部灯具电源的同步开关方式和装置，利用瞬态温升过程曲线的采集线路和方法，在线测量实际LED灯具的热阻构成。当LED灯具实用不同的散热器，或散热器与LED器件接触不良，其各部分的热阻就不同，通过测量不同设计和装备下的热阻构成，可以优化LED灯具的散热设计，降低灯具的最高结温，保证LED灯具使用寿命和品质。该发明主要应用于快速、非破坏性确定LED灯具热阻构成的方法和装置。
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公开(公告)号：CN102288639A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110197798.X
申请日：2011-07-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 功率半导体LED热阻快速批量筛选装置和方法属于半导体LED及相关PN结器件热阻考核和筛选技术领域。该发明主要应用于快速、非破坏性确定器件热阻过大的方法和装置。本发明的主要发明点在于：设计了可容纳百颗LED的夹具，保证每颗LED的热学接触状况均匀一致，且稳定可靠；通过针台结构，实现LED电学接触便捷、可靠；利用程序控制的继电器方式，实现批量LED扫描测试的快速切换。本发明可以对测量LED的个数实现较好的扩展性。
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公开(公告)号：CN101776727A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010034446.8
申请日：2010-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法涉及电子器件测量领域。本发明将被测器件置于一真空系统中，真空系统外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一温敏电阻A，将温敏电阻B与加热薄片一面接触，加热薄片另一面与被测器件的底部即散热端点接触；获取建立有源区到散热端点的温度梯度所需时间t1；建立散热端点到有源区的温度梯度所需时间t2；对被测器件施加功率为P，接通时间为t1+t2，当温敏电阻A和B趋于一恒定值，该温度即为被测器件正常工作时的温度，可得被测到器件的工作温升及热阻。该方法对半导体器件或功能模块的封装形式没有要求，且属于非破坏性测试。
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