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公开(公告)号：CN101435852A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810239394.0
申请日：2008-12-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法属于半导体发光器件产品的质量监控领域。半导体发光器件(发光管和激光器)的发光效率η是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学仪器。本技术利用光效与器件温升和热阻的关系，通过使用电学参数方法，测量器件的温升和热阻随老化工作时间的变化关系，测出发光器件光效的退化参数。本技术适用于半导体发光器件产品的质量监控，可靠性分析和寿命预测的生产和研究等领域。
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公开(公告)号：CN102288639A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110197798.X
申请日：2011-07-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 功率半导体LED热阻快速批量筛选装置和方法属于半导体LED及相关PN结器件热阻考核和筛选技术领域。该发明主要应用于快速、非破坏性确定器件热阻过大的方法和装置。本发明的主要发明点在于：设计了可容纳百颗LED的夹具，保证每颗LED的热学接触状况均匀一致，且稳定可靠；通过针台结构，实现LED电学接触便捷、可靠；利用程序控制的继电器方式，实现批量LED扫描测试的快速切换。本发明可以对测量LED的个数实现较好的扩展性。
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公开(公告)号：CN101776727A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010034446.8
申请日：2010-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法涉及电子器件测量领域。本发明将被测器件置于一真空系统中，真空系统外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一温敏电阻A，将温敏电阻B与加热薄片一面接触，加热薄片另一面与被测器件的底部即散热端点接触；获取建立有源区到散热端点的温度梯度所需时间t1；建立散热端点到有源区的温度梯度所需时间t2；对被测器件施加功率为P，接通时间为t1+t2，当温敏电阻A和B趋于一恒定值，该温度即为被测器件正常工作时的温度，可得被测到器件的工作温升及热阻。该方法对半导体器件或功能模块的封装形式没有要求，且属于非破坏性测试。
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公开(公告)号：CN102074550B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010285857.4
申请日：2010-09-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/544 , G01R31/26 , H01L21/02
Abstract: 一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片及方法属于半导体技术，特别是半导体器件失效评估领域。本发明提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片，其特征在于：在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极，然后在每个圆环电极上固接出一个外引电极；每个圆环电极和外引电极的固接点都在一条直线上。本发明测量芯片和方法不但可以测量半导体芯片欧姆接触电阻率随施加电流的变化关系以及随施加电流时间的关系，同时测量芯片可以满足大电流冲击要求。因此，使用本发明芯片和方法能更为准确有效的评估欧姆接触。
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公开(公告)号：CN102074550A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010285857.4
申请日：2010-09-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/544 , G01R31/26 , H01L21/02
Abstract: 一种测量半导体器件欧姆接触退化芯片及方法属于半导体技术，特别是半导体器件失效评估领域。本发明提供了一种专门测量欧姆接触退化的芯片，其特征在于：在至少有6个圆环电极的CTLM欧姆接触测试芯片的圆环形欧姆接触表面淀积有SiO2绝缘介质层，在CTLM欧姆接触测试芯片的另一面有利用金属镀膜工艺制备的背电极，然后在每个圆环电极上固接出一个外引电极；每个圆环电极和外引电极的固接点都在一条直线上。本发明测量芯片和方法不但可以测量半导体芯片欧姆接触电阻率随施加电流的变化关系以及随施加电流时间的关系，同时测量芯片可以满足大电流冲击要求。因此，使用本发明芯片和方法能更为准确有效的评估欧姆接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100561243C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710179493.X
申请日：2007-12-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量半导体器件内部芯片热接触面积的方法属于半导体器件领域，主要用于测量电学性能参数合格的器件，其芯片或管壳等主要散热构成的热接触面积，以利于热特性考核。本发明的技术方案：对测量的半导体器件瞬态温升曲线，进行微分，求出传热导路径上，主要热时间常数；通过热时间常数与热阻、热容的关系，求出该段结构的热传输长度L；通过求出的热时间常数，对温升曲线进行拟合，求出与时间常数对应的温升值和热阻值。通过热阻与结构的传热长度和接触面积的关系，求出该结构部分的热接触面积。该方法可以测量出半导体内部芯片的实际热传导长度和热接触面积，半导体器件产品的检测和质量分析方面有着重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN102288639B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110197798.X
申请日：2011-07-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 功率半导体LED热阻快速批量筛选装置和方法属于半导体LED及相关PN结器件热阻考核和筛选技术领域。该发明主要应用于快速、非破坏性确定器件热阻过大的方法和装置。本发明的主要发明点在于：设计了可容纳百颗LED的夹具，保证每颗LED的热学接触状况均匀一致，且稳定可靠；通过针台结构，实现LED电学接触便捷、可靠；利用程序控制的继电器方式，实现批量LED扫描测试的快速切换。本发明可以对测量LED的个数实现较好的扩展性。
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公开(公告)号：CN102129023B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110026227.X
申请日：2011-01-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量半导体器件有源区薄层材料中热传导参数的方法涉及半导体器件测试领域。现有技术中有源区同时起到发热区和温度探测区的作用，热量在薄层中的传导速度也无法测量。采用本方法制备的测试芯片，将热源区和温敏探测区空间上分开。加热和测量过程可以同时进行，不存在时间延迟，可以测量出实际器件结构的热时间常数达到纳秒量级(依高速A/D采集卡的速度而定)。本发明可以实现测试器件实际有源区薄层热传导参数的目的，如GaN HEMT等基于肖特基栅结构的器件，也可以用于特定薄膜材料的热传导参数测定。
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公开(公告)号：CN101435852B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810239394.0
申请日：2008-12-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电学法测量结型半导体发光器件光效退化参数的方法属于半导体发光器件产品的质量监控领域。半导体发光器件(发光管和激光器)的发光效率η是决定产品退化和工作寿命的重要参数。发光效率的测量通常使用光学仪器。本技术利用光效与器件温升和热阻的关系，通过使用电学参数方法，测量器件的温升和热阻随老化工作时间的变化关系，测出发光器件光效的退化参数。本技术适用于半导体发光器件产品的质量监控，可靠性分析和寿命预测的生产和研究等领域。
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公开(公告)号：CN101776727B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010034446.8
申请日：2010-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法涉及电子器件测量领域。本发明将被测器件置于一真空系统中，真空系统外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一温敏电阻A，将温敏电阻B与加热薄片一面接触，加热薄片另一面与被测器件的底部即散热端点接触；获取建立有源区到散热端点的温度梯度所需时间t1；建立散热端点到有源区的温度梯度所需时间t2；对被测器件施加功率为P，接通时间为t1+t2，当温敏电阻A和B趋于一恒定值，该温度即为被测器件正常工作时的温度，可得被测到器件的工作温升及热阻。该方法对半导体器件或功能模块的封装形式没有要求，且属于非破坏性测试。
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