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公开(公告)号：CN101776727A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010034446.8
申请日：2010-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法涉及电子器件测量领域。本发明将被测器件置于一真空系统中，真空系统外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一温敏电阻A，将温敏电阻B与加热薄片一面接触，加热薄片另一面与被测器件的底部即散热端点接触；获取建立有源区到散热端点的温度梯度所需时间t1；建立散热端点到有源区的温度梯度所需时间t2；对被测器件施加功率为P，接通时间为t1+t2，当温敏电阻A和B趋于一恒定值，该温度即为被测器件正常工作时的温度，可得被测到器件的工作温升及热阻。该方法对半导体器件或功能模块的封装形式没有要求，且属于非破坏性测试。
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公开(公告)号：CN101776727B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010034446.8
申请日：2010-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种利用真空环境测量电子元器件工作结温和热阻的方法涉及电子器件测量领域。本发明将被测器件置于一真空系统中，真空系统外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一温敏电阻A，将温敏电阻B与加热薄片一面接触，加热薄片另一面与被测器件的底部即散热端点接触；获取建立有源区到散热端点的温度梯度所需时间t1；建立散热端点到有源区的温度梯度所需时间t2；对被测器件施加功率为P，接通时间为t1+t2，当温敏电阻A和B趋于一恒定值，该温度即为被测器件正常工作时的温度，可得被测到器件的工作温升及热阻。该方法对半导体器件或功能模块的封装形式没有要求，且属于非破坏性测试。
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公开(公告)号：CN201653950U
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201020125895.9
申请日：2010-03-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本实用新型涉及一种测量电子元器件工作结温和热阻的装置，属于电子器件的生产测量领域。装置特征在于：被测器件置于一真空系统中，该真空系统留有接线柱与外部装置相连；外部装置包括A/D采集板、计算机、电源、和加热电源；被测器件通过真空系统中接线柱，与电源连接；在靠近被测器件的热源部分即有源区处放置一温敏电阻A，温敏电阻A通过接线柱与A/D采集板连接；将另一温敏电阻B通过接线柱与A/D采集板连接，并将温敏电阻B与加热薄片一面接触，加热薄片另一面与被测器件的底部即散热端点接触；加热薄片通过接线柱与加热电源连接；计算机连接电源、A/D采集板、加热电源。本实用新型对半导体器件或功能模块的封装形式没有要求，且属于非破坏性测试。
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