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公开(公告)号：CN113484948A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110675284.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/10
Abstract: 根据本发明的半导体结构包括掩埋氧化物层、设置在掩埋氧化物层上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一波导部件、设置在第一介电层和第一波导部件上方的第二介电层、设置在第二介电层上方的第三介电层以及设置在第二介电层和第三介电层中的第二波导部件。第二波导部件设置在第一波导部件上方，并且第二波导部件的部分与第一波导部件的部分垂直地重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN113138473A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011635189.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈建宏
Abstract: 一种光学相移器件包括在绝缘层上的肋状波导部分，该波导部分具有沿着纵向方向延伸并具有高度的p‑n或p‑i‑n结。一对平板部分与波导部分相邻布置，分别在肋状波导部分的每一侧以及绝缘层上。平板部分的掺杂浓度比肋状波导部分中的相应掺杂浓度更高。每个平板部分的至少部分的高度随着距波导部分的距离而增加，并且平板高度小于在波导部分与平板部分之间的接合处的波导部分的高度。一对接触部分形成在相应的平板部分附近并且远离波导部分。每个接触部分的一部分还可以具有随着距波导部分的距离而变化的高度。本发明的实施例还涉及制造光学相移器件的方法。
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公开(公告)号：CN112599670A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010265891.9
申请日：2020-04-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 公开了硅上氮化镓结构，其中，二维电子气(2DEG)层是包括至少两个2DEG段的不连续层。每个2DEG段通过间隙与另一个2DEG段分隔开。2DEG层可以由设置在氮化铝镓层的一部分上方的p型掺杂的氮化镓层耗尽。另外地或可选地，可以在结构中形成穿过2DEG层的沟槽以在2DEG层中产生间隙。电子组件位于间隙的至少一部分上方。本发明的实施例还涉及电子器件、电子组件器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN112542525A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010984880.6
申请日：2020-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈建宏
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种光检测器，光检测器包括半导体层、第一超晶格结构以及吸光材料。第一超晶格结构位于半导体层中，吸光材料位于第一超晶格结构上。第一超晶格结构包括垂直堆叠的多对硅层与第一硅锗层。第一硅锗层的组成为Si1‑xGex，且x为锗原子在该第一硅锗层的含量，而0.1≤x≤0.9。
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公开(公告)号：CN111129001A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911052460.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 陈建宏
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L21/8232
Abstract: 本发明实施例公开包含具有不同阈值电压的晶体管的设备和电路以及其制造方法。在一个实例中，公开一种半导体结构。半导体结构包含衬底、有源层、极化调制层以及多个晶体管。有源层形成在衬底上方且包括多个有源部分。极化调制层包括多个极化调制部分，多个极化调制部分中的每一个设置于多个有源部分中的对应一个上。多个晶体管中的每一个包括源极区、漏极区以及形成于多个极化调制部分中的对应一个上的栅极结构。晶体管具有至少三个不同阈值电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110534453A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910380359.9
申请日：2019-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种环框架处理系统，提供一种清洁以及检查环框架的系统以及方法。在一实施例中，环框架处理系统包括清洁站以及检查站，清洁站配置以使用第一刀片移除环框架的第一表面上的第一胶带，使用第一轮刷清洁来自环框架的第一表面上的第一胶带的第一粘着剂残留物，并使用第二刀片移除来自环框架的第二表面上的第二胶带的第二粘着剂残留物，检查站包括自动光学检查系统，且自动光学检查系统配置以在清洁之后，判定环框架的第一表面以及第二表面的清洁度。
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公开(公告)号：CN105322941B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201410808386.9
申请日：2014-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K19/018507 , H03K19/0185 , H03K19/018521
Abstract: 本发明提供了电平位移装置，包括第一电容器，第一电容器的第一侧被配置为接收第一电压。电平位移装置还包括被配置为接收第一电压的边沿检测器。电平位移装置还包括连接至第一电容器的第二侧的输出反相器，输出反相器被配置为输出电平位移装置的电压电平位移信号。电平位移装置还包括锁存器回路，锁存器回路被配置为将输出信号反馈至输出反相器的输入端，其中，边沿检测器被配置为选择性地中断输出信号至输出反相器的输入端的反馈。本发明还提供了一种使用电平位移装置的方法。
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公开(公告)号：CN107888167A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710741364.9
申请日：2017-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K3/03 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/6877 , H01L23/3107 , H02M3/07 , H03K17/063 , H03K2217/0036 , H03K2217/0081 , H03K3/0315 , H03K17/687
Abstract: 本发明实施例是关于一种低静止电流半导体装置。一种半导体装置包含功率晶体管及驱动电路。所述驱动电路耦合到所述功率晶体管且经配置以驱动所述功率晶体管且包含第一级及第二级。所述第二级耦合于所述第一级与所述功率晶体管之间。所述第一级及所述第二级的各者包含一对增强模式高电子迁移率晶体管HEMT。如此的建构降低所述驱动电路的静止电流。
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公开(公告)号：CN105161056B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510616544.5
申请日：2013-04-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G09G3/3233
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3406 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0295 , G09G2320/045 , G09G2330/028
Abstract: 本发明涉及用于显示器的像素，调节显示器的第一像素的电流值和/或第二像素的电流值，直到电流差值可接受为止。第一像素的电流值对应于第一像素的亮度级。第二像素的电流值对应于第二像素的亮度级。调节第一像素的电流值涉及利用第一像素的第一开关和第一像素的第二开关，调节第一像素的晶体管的阈值电压值，其中，第一像素的第一开关与第一像素的晶体管的栅极端电连接，第一像素的第二开关与第一像素的晶体管的源极端电连接，并且第一像素的LED与第一像素的晶体管的源极端电连接。调节第二像素的电流值涉及利用第二像素的第一开关和第二像素的第二开关，调节第二像素的晶体管的阈值电压值，第二像素的第一开关与第二像素的晶体管的栅极端电连接，其中，第二像素的第一开关与第二像素的晶体管的栅极端电连接，第二像素的第二开关与第二像素的晶体管的源极端电连接，并且第二像素的LED与第二像素的晶体管的源极端电连接。
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公开(公告)号：CN104049662B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310583338.X
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H02M3/156 , H02M2001/0025
Abstract: 一种调压器包括：驱动电路、反馈电路、第一和第二控制电路以及电阻器。驱动电路连接至输入节点和输出节点，并且根据输入节点处的输入电压在输出节点处生成输出电压。反馈电路连接至输出节点并且基于输出电压生成反馈电压。第一控制电路连接至反馈电路和驱动电路，以基于反馈电压来控制输出电压。电阻器具有相对的第一端和第二端。电阻器的第一端连接至输出节点。第二控制电路连接至输出级电阻器的第二端和反馈电路，以基于输出级电阻器的第二端处的调节电压来控制反馈电压。
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