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公开(公告)号：CN108878547B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201810708469.9
申请日：2018-07-02
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段，在平面超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；所述孔阵的最小单元形状、尺寸、周期及刻蚀深度可调控。所述金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔间隙并与其下的超晶格吸收层形成肖特基接触。本发明避免了平面型超晶格吸收层中与表面较远处载流子隧穿能力较弱的问题，使得离表面较深处的超晶格吸收外深紫外光并将载流子被金属电极直接收集，有效增大了器件的光电流，最终提高深紫外MSM窄带光电探测器的外量子效率。
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公开(公告)号：CN108735806A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810540985.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生可控极化率的自旋电流的结构，该结构在基板上依次设置具有等离子激元金属材料的增强光吸收层、III-VI族硫属化物二维材料、具有铁磁金属团簇的铁磁金属层、沟道电极、BN二维材料保护层；采用激光垂直入射至该结构中，并通过III-VI族硫属化物二维材料表面的等离子激元金属材料增强光吸收效率，激发由铁磁金属层注入到III-VI族硫属化物二维材料的自旋极化电子的跃迁，经由与III-VI族硫属化物二维材料连接的沟道回路产生自旋电流；并可通过控制铁磁金属团簇的形貌及尺度，控制自旋电流的极化率。
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公开(公告)号：CN104959626B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510385468.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种合金包裹铜纳米线制备多功能核壳纳米材料的方法，涉及核壳纳米材料。将Cu纳米线与金属有机盐混溶于十八烯胺溶液中；将反应容器加热，第一阶段，将反应容器内溶液温度加热至80～120℃后，通入N2，恒温加热10～20min；第二阶段，当金属有机盐为乙酰丙酮镍或乙酰丙酮锌时，反应温度为180～210℃；当金属有机盐为乙酰丙酮钒或乙酰丙酮钛时，反应温度为140～170℃；当反应溶液的温度由80～120℃达到设定温度后，恒温加热30～60min，反应结束；待反应溶液冷却，加入正己烷溶液，超声，将溶液转移至离心管中离心，纳米线固体沉积在离心管底部，将离心管中上层溶液倒掉即得完成包裹后的Cu纳米线。
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公开(公告)号：CN103474503B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310461747.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
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公开(公告)号：CN103296141B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310215286.0
申请日：2013-06-03
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种枝状异质结纳米线阵列结构材料的制备方法，涉及一种纳米线阵列结构材料的制备方法。一个制备Si纳米线阵列的步骤；一个沉积ZnO薄膜的步骤；一个制备ZnO纳米线的步骤。应用一种低成本的方法制备了枝状结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学刻蚀法在Si衬底上制备了Si纳米线阵列，Si纳米线的直径尺寸及分布都比较均匀；然后利用水热法在Si纳米线的表面生长了ZnO纳米线，得到了枝形结构的Si/ZnO纳米线阵列。与现有的纳米材料相比，该结构材料拥有异质结界面，可通过改变材料成分调节能带结构，并且枝状结构增加了样品的曲率效应和表面积，非常适用于太阳能电池及光催化领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103346232A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310268722.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列，在n-AlGaN层上设有n型电极，在p-GaN盖层上设有p型电极。在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。
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公开(公告)号：CN102590559B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201210026594.4
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法，涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台，采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区，选取待测纳米结构，光纤定位，双探针定位，高能量分辨率电注入发光测试，高空间分辨率载流子选择性注入测试。
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公开(公告)号：CN102820398A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210319019.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应，改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底；分布式布拉格反射结构设在半导体基底上，分布式布拉格反射结构为多层介质，所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆；所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
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公开(公告)号：CN100438108C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610092944.1
申请日：2006-06-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，涉及一种发光二极管芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。可使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN1870313A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610092944.1
申请日：2006-06-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，涉及一种发光二极管芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。可使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散，提高发光效率。
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