公开(公告)号：CN100438108C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200610092944.1

申请日：2006-06-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘学林 ,  康俊勇

IPC: H01L33/00

Abstract: 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，涉及一种发光二极管芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。可使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散，提高发光效率。

公开(公告)号：CN1870313A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610092944.1

申请日：2006-06-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘学林 ,  康俊勇

IPC: H01L33/00

Abstract: 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，涉及一种发光二极管芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。可使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散，提高发光效率。