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公开(公告)号：CN103320753B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310250357.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中，放入样品台，然后将衬底放置于样品台上；将铝置于E-Beam生长腔体内，用高能电子束轰击膜料铝，使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态，并沉积在衬底上，完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法，可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控，有利于制备电学/光电器件。制备条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103474503A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310461747.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103320753A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310250357.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中，放入样品台，然后将衬底放置于样品台上；将铝置于E-Beam生长腔体内，用高能电子束轰击膜料铝，使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态，并沉积在衬底上，完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法，可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控，有利于制备电学/光电器件。制备条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117404785A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311314708.X
申请日：2023-10-11
Applicant: 国网福建省电力有限公司经济技术研究院 , 厦门大学 , 国网福建省电力有限公司
IPC: F24F11/77 , F24F11/64 , F24F11/54 , F24F11/58 , F24F110/10 , F24F110/20 , F24F120/12
Abstract: 本发明涉及一种基于建筑环境参数的办公建筑智能通风系统及控制方法。包括温湿度传感器、智能通风器、风盘控制器、风扇及相应的控制模块。本发明还公开了一种基于建筑环境参数的办公建筑智能通风控制方法，具体控制方法包括：根据传感器所收集到的室内温度、室内湿度等信号等信息，转换成相应的数据并处理后送至中央控制器，由中央控制器进行相应处理后再发送给各调控设备并对智能通风器及风盘控制器进行参数调整，从而完成智能通风控制。本发明提供一种基于建筑环境参数的办公建筑智能通风系统及控制方法，能够实现通过监测室内环境并预设操作临界点达到不同环境条件选择不同通风措施，改善室内通风状况，并提高设备利用效率，达到节能减碳的目的。
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公开(公告)号：CN119506423A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311079473.0
申请日：2023-08-25
Applicant: 厦门大学
IPC: C12Q1/6886 , G01N33/574 , A61K45/00 , A61K31/7088 , A61K31/18 , A61P35/00 , A61P15/14
Abstract: 本发明公开了LINC02568作为靶标在制备ER+乳腺癌治疗试剂盒中的应用。本发明中靶向LINC02568的试剂能够有效抑制ER+乳腺癌细胞的体外生长以及体内的肿瘤形成，并能与内分泌治疗药物或靶向CA12的小分子抑制剂联用对细胞和肿瘤的生长具有协同抑制效应。
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公开(公告)号：CN103474503B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310461747.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
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公开(公告)号：CN103346232A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310268722.0
申请日：2013-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列，在n-AlGaN层上设有n型电极，在p-GaN盖层上设有p型电极。在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。
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