-
公开(公告)号：CN103311395A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310165612.1
申请日：2013-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种激光剥离薄膜LED及其制备方法。本发明的激光剥离薄膜型LED的芯片单元包括：n型层、量子阱、在量子阱上的p型层、在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构、p电极、绝缘层及n电极，上述结构倒扣在衬底上；以及在芯片一角的p焊盘。本发明使用了表面等离激元与量子阱结构的共振耦合作用，大大增加了大注入下LED的辐射复合和效率和出光效率，同时对发光效率低的黄绿光、紫外光LED也有一定的效果；采用激光划片和腐蚀的方法，分割芯片单元，减少外延片的翘曲，降低工艺难度和成本；p焊盘采用保护层和银层蒸镀工艺，简化了p焊盘的制作工艺，降低工艺成本；采用热磷酸粗化的方法，降低工艺成本，提高LED的出光效率。
-
公开(公告)号：CN102185061A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110085237.0
申请日：2011-04-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种LED结构及其制备方法，属于光电器件领域。该LED结构包括n-GaN层、多量子阱层和p-GaN层，n-GaN层为出光面，本发明在非出光面的p-GaN层或与p-GaN层接触的透明电极表面上制备出周期性微纳结构。由于周期性微纳结构在非出光面p-GaN层表面或与p-GaN层接触的透明电极上可表现出独特的光学性质，可大幅改善LED器件的背向反射率；另外，通过改变微纳结构的参数(如结构单元形状、周期、孔径及孔洞深度等)还可实现对材料光学性质的调制，从而有效提高LED器件的出光效率；进一步，对实现金属反射层的工艺兼容性有帮助。
-
公开(公告)号：CN101452988B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810241116.9
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部分制备绝缘钝化层，然后在整个LED外延层和基板上均匀涂上适量的、高导热率、膨胀系数和弹性模量匹配的导电银胶，高温键合后激光剥离蓝宝石衬底，清洁表面，在表面形成n电极，对电极以外的出光表面进行粗化处理，减薄基板至所需厚度并在其背部制备欧姆接触和共晶焊垫。最后进行激光划片，裂片，得到薄膜型LED芯片。本发明可减少激光剥离带来的芯片破裂，增加芯片侧面光的出射，同时增加粘接强度，提高芯片出光效率和可靠性。
-
公开(公告)号：CN101343733B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810042187.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 一种用MOCVD生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用MOCVD技术，利用高纯NH3做N源，高纯H2或N2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)和三甲基铟(TMIn)和三甲基铝(TMAl)分别做Ga源和In源和Al源；衬底为蓝宝石(Al2O3)；该方法包括在MOCVD反应室中把蓝宝石衬底加热到500℃，在H2气氛下，通入三甲基镓(TMGa)生长一GaN层，在高温(～1200℃)H2气氛下，GaN和衬底表层的蓝宝石(Al2O3)发生反应，可以更好地清除蓝宝石表面的损伤层及其表面的污染，也可以在蓝宝石表面腐蚀出纳米量级的微坑，这些微坑对改善外延层的质量有好处，更重要的是可以增加LED的出光效率。
-
公开(公告)号：CN101736374A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810226571.1
申请日：2008-11-14
Applicant: 北京大学 , 上海蓝光科技有限公司
IPC: C25D7/12 , C25D5/10 , H01L21/288 , H01L27/15 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种制作氮化镓基垂直结构LED金属衬底的方法，采用两种或两种以上金属进行交替电镀，得到多层金属组成的金属衬底，其中至少有一种张应力金属和一种压应力金属相搭配。本发明将电镀中常用的电流调节应力方法和金属本身材料应力特性不同的特点结合起来，应用多种金属进行搭配，交替电镀，并通过调节各金属层电镀的电流和厚度，达到控制电镀金属内应力，实现电镀金属衬底翘曲度和GaN薄膜翘曲度相匹配的目的。与现有技术相比，本发明改善了电镀金属的致密度，有助于调节衬底支撑度；而且增强了电镀金属与GaN薄膜连接强度，改善了垂直结构LED器件的老化特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345281A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810042186.1
申请日：2008-08-28
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学 , 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 一种发光二极管芯片制造方法，在做芯片的常规工艺之前，采用掩膜技术，用激光划片技术、ICP技术或RIE技术对芯片的走道刻蚀至蓝宝石衬底或刻入蓝宝石衬底5－50微米，再用磷酸(温度为100－220度)、熔融的KOH或加热的浓KOH溶液对芯片的侧壁和暴露在侧壁的N－GAN进行湿法腐蚀，使芯片形成倾斜角小于90度的侧壁或使芯片侧壁底部与蓝宝石衬底部分脱离，形成侧壁向内悬空3－40微米，采用SC－2溶液和有机溶液清洗外延片，再进行ICP或RIE刻蚀至N－GAN，最后做常规工艺。实验结果表明，芯片的出光效率大大提升，其亮度和毫瓦数均比常规工艺芯片提升30％以上。
-
公开(公告)号：CN1779900A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410009840.0
申请日：2004-11-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法，本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜，GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生长的薄层外延膜，将GaN外延片通过特定的焊接材料和工艺焊接在Si片等其他热导性和电导性良好的支撑材料上，保证GaN外延层和承载衬底具有好的电和热接触，同时又有相当的机械强度和耐温能力。利用由外向内的扫描方式及热衬底、加入激光阈值偏置等措施，从蓝宝石一侧使用对蓝宝石透明而GaN强烈吸收的脉冲激光扫描外延片，实现GaN外延层和蓝宝石衬底的大面积均匀分离。发明尤其有利于完整剥离大面积薄层外延膜，通常为2inch的GaN基外延片。
-
公开(公告)号：CN116978995A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311010635.5
申请日：2023-08-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种改善认知和睡眠的四通道LED混合白光光源的制备方法，属于发光二极管照明技术领域。本发明采用四通道LED照明技术，优化各通道LED的峰值波长和光谱半宽，制备低色温、高照度、高显色性的照明白光LED光源，具有更高的照度和更好的显色性，实现了同时改善夜晚认知表现和光照后睡眠质量的效果。
-
公开(公告)号：CN116387431A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310417910.9
申请日：2023-04-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种异质纳米图形衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本发明利用异质纳米图形材料和蓝宝石材料对腐蚀液的选择性，通过化学腐蚀的方法实现将GaN从衬底上剥离而不引入损伤。采用本发明实现了外延质量的提高和衬底的有效剥离，有效解决了湿法剥离过程中的均匀性控制问题，提高了后续制备的Micro‑LED性能和良品率。
-
公开(公告)号：CN116014053A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310178195.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元隙模式的颜色转换micro‑LED及其制备方法。本发明在P型透明电极的表面形成量子点凹槽，量子点分散在各个量子点凹槽内不会凝结，P型透明电极位于金属层与金属纳米颗粒之间，使得金属层和金属纳米颗粒这两个金属结构之间形成金属结构间隙；表面等离激元使得量子阱的自发辐射光被提取至金属结构间隙中，增强量子点的发光速率，同时表面等离激元使得金属纳米颗粒具有天线作用，将能量散射出去；并且，量子点与等离激元和量子阱能够相互作用，从而量子点的发光和自发辐射速率都得到增强，并且与表面等离激元相互作用使得量子阱发射出的大部分光被量子点吸收并增强量子点发光，从而增强颜色转换效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
93
records
(took 0.02 seconds)
