公开(公告)号：CN114171652B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202010954991.2

申请日：2020-09-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  张娜 ,  王嘉铭 ,  康香宁 ,  秦志新

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/04 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明属于光电子发光器件技术领域，具体涉及一种提高AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)光提取效率的结构及其应用。所述提高AlGaN基DUV‑LED光提取效率的结构，其p型层由p‑AlGaN层及p‑GaN层组成；所述p‑AlGaN层具有超晶格结构；所述p‑GaN层的厚度控制在2‑10nm之间；所述p型欧姆接触金属为Ag纳米点/Al的复合金属。本发明所述结构可在保证电学性能的前提下具有更高的光提取效率LEE，进而提高其外量子效率EQE，提高了DUV‑LED器件性能。

公开(公告)号：CN111933757B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202010600704.8

申请日：2020-06-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  孙元浩 ,  王嘉铭 ,  康香宁 ,  秦志新

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：S2：调整生长温度到临界生长温度，准备生长AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN(x

公开(公告)号：CN111933757A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010600704.8

申请日：2020-06-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  孙元浩 ,  王嘉铭 ,  康香宁 ,  秦志新

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种AlGaN基深紫外量子阱及其制备方法和应用，该方法包括以下步骤：S2：调整生长温度到临界生长温度，准备生长AlxGa1-xN/AlyGa1-yN(x

公开(公告)号：CN111628059A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010351078.3

申请日：2020-04-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  郎婧 ,  王嘉铭 ,  康香宁 ,  秦志新

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明实施例提供AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法，器件由底向上依次包括衬底、AlN层、应力缓冲层、n型AlGaN层、有源区、p型电子阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN层；采用n个量子阱作为有源区，每个量子阱的势垒部分采用非对称凹型结构,由底向上包括n个阱层和n+1个势垒；每个势垒由底向上依次包括第一层、凹型层和第三层；第一、三层均为AlxGa1-xN层，凹型层为AlyGa1-yN层，第一层和第三层铝组分含量x大于凹型层铝组分含量y，第三层厚度小于第一层厚度；量子阱的阱层为AlzGa1-zN层，阱层的铝组分含量z小于凹型层铝组分含量y。可有效提高载流子注入效率，显著提高器件性能。

公开(公告)号：CN108767055B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201810373012.7

申请日：2018-04-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  王明星 ,  解楠 ,  孙元浩 ,  刘百银 ,  王新强 ,  秦志新

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/08

Abstract: 本发明涉及一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在化学气相沉积法制备AlGaN过程中，对生长中断过程中Ga和Al金属原子的脱附速率进行控制，得到具有周期变化的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构的p型AlGaN外延薄膜；其中，x

公开(公告)号：CN110021690A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201910209262.1

申请日：2019-03-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  张娜 ,  康香宁 ,  秦志新 ,  于彤军 ,  吴洁君

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用。所述降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法，包括：先通过刻蚀去除1/5-1/2深度的n-AlGaN层，再对刻蚀后的n-AlGaN层表面进行高温处理。所述方法解决了现有高Al组分n-AlGaN材料的欧姆接触问题，显著降低高Al组分n-AlGaN材料的接触电阻，提高了材料的电学性能，由其制得的相关器件的工作电压可大幅降低，大大减少了器件的散热，进一步提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN109787088A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910004608.4

申请日：2019-01-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  王钇心 ,  荣新 ,  沈波 ,  秦志新 ,  王丁 ,  郑显通 ,  于彤军

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/327 ,  H01S5/028

Abstract: 本发明公开了一种宽波段高效紫外光源及其制备方法。本发明通过控制多个顺次排列的多量子阱的厚度或元素组分，精确调控有源区的结构及发光波段，实现宽波段高效紫外光源；激励源采用电子束泵浦激励方式，该结构无需多结欧姆接触层，与传统LED结构相比结构简单，有效提高空穴注入效率；原子层或亚原子层的超薄势阱有效提高辐射复合几率，进而实现在深紫外波段的高光效输出；同时通过调控量子阱的周期数及势阱厚度，优化多量子阱的总厚度，既能保证电子束不会穿透光源的有源区，又能保证有源区的材料质量；采用III-V族或II-VI族半导体材料，实现几乎覆盖UVC、UVB全波段的高效紫外光源。

公开(公告)号：CN104733561A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510127695.4

申请日：2015-03-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  荣新 ,  沈波 ,  陈广 ,  郑显通 ,  王平 ,  许福军 ,  秦志新

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种新型氮化物量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器，在衬底上的掩膜层具有周期性排布的孔洞结构，纳米柱阵列从孔洞中生长出来，多量子阱生长在纳米柱阵列的顶部和侧面，分别对应为半极性面和非极性面多量子阱。其中，多量子阱生长于位错密度极低的纳米柱阵列上，可实现极高晶体质量的多量子阱结构；半极性面和非极性面多量子阱的极化场强度远低于传统极性面多量子阱的极化场强度，可实现高效光电流信号的提取；正面入射探测器表面即可有光电响应，省去传统量子阱红外探测器制备表面光栅结构或端面45°抛光的工艺；多量子阱材料采用第三代半导体材料，可实现全红外光谱窗口的光子探测，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN103138154A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110380608.8

申请日：2011-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 鲁辞莽 ,  康香宁 ,  胡晓东 ,  陈伟华 ,  张国义 ,  秦志新 ,  吴洁君 ,  于彤军 ,  陈志忠

IPC: H01S5/22

Abstract: 本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可以采用湿法腐蚀绝缘层窗口，接着借助对该挡光层的腐蚀实现对残余绝缘层的剥离。本发明同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层侧向腐蚀条件难于把握。

公开(公告)号：CN101604716A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200810114597.7

申请日：2008-06-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦志新 ,  桑立雯 ,  杨志坚 ,  方浩 ,  于彤军 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种深紫外发光二极管(LED)及其制备方法，采用低温GaN插入层取代AlN/AlGaN超晶格或高温GaN插入层来生长深紫外LED，该低温GaN插入层是在温度400－900℃，压力30－200torr，V/III 1500－2500条件下生长的厚度为20－50nm的GaN层。该方法可有效降低外延AlGaN层以及量子阱中的位错密度，提高表面平整度，所制备的LED器件表面光滑，晶体质量良好，开启电压下降，器件的串联电阻较小，电致发光峰值在300－370nm。