公开(公告)号：CN116387431A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310417910.9

申请日：2023-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 康香宁 ,  张浩东 ,  陈志忠 ,  潘作坚 ,  邓楚涵 ,  聂靖昕 ,  董勃言 ,  王大奇 ,  李俞辰 ,  沈波

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公布了一种异质纳米图形衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本发明利用异质纳米图形材料和蓝宝石材料对腐蚀液的选择性，通过化学腐蚀的方法实现将GaN从衬底上剥离而不引入损伤。采用本发明实现了外延质量的提高和衬底的有效剥离，有效解决了湿法剥离过程中的均匀性控制问题，提高了后续制备的Micro‑LED性能和良品率。