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公开(公告)号：CN117747725A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311727409.9
申请日：2023-12-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法。本发明括衬底、非故意掺杂的氮化镓层、n型掺杂的氮化镓层、长沟槽型多量子阱、修复层、发光多量子阱和p型掺杂的氮化镓层；沟槽型多量子阱表面具有环状V型坑，为沟槽型多量子阱和修复层提供应力弛豫，使得修复层的晶格得到扩张，有利于提高发光多量子阱中的铟并入，并且作为空间隔离，避免环状V型坑内部的量子阱中的载流子受到外部缺陷的影响；修复层修复低温生长的沟槽型多量子阱的粗糙表面，为后续生长的发光多量子阱提供平整的生长表面；修复层作为空穴阻挡层，阻挡来自p型掺杂的氮化镓层的空穴进入到沟槽型多量子阱中，使得空穴集中于发光多量子阱中用于辐射复合。
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公开(公告)号：CN114333617B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111551219.7
申请日：2021-12-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种改善非视觉效应的广色域显示方法。本发明通过设定目标显示色彩，构建起四基色显示技术中单个micro‑LED发光特性与显示色域和非视觉效应的关系，包括显示发光的蓝光危害和生物节律影响；通过对显示色域和非视觉效应相关参数的优化，得到单个micro‑LED的峰值波长和光谱半宽；并在一定范围内改变优化的峰值波长和光谱半宽，计算色域覆盖率的变化；优化过程中，除了考虑显示D65白光时的显示屏发光的非视觉效应，还考虑显示其他色彩时的非视觉效应，真实反映全彩显示的非视觉效应；利用本发明，能够在保持广色域的同时，降低显示设备发光的蓝光危害和生物节律影响，并具有高色域稳定性。
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公开(公告)号：CN109920887B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201910179543.7
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱。本发明提出的发光二级管芯片优化了纳米柱的结构，改善了出光效率，具有较大的推广应用价值。
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公开(公告)号：CN108615795B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810257305.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出了一种微米LED芯片内互联的实现方法，属于光电子高功率发光器件技术领域。利用本发明既实现了LED芯片的高压高功率特性,且避免了后续封装时对大量微米级芯片集成的困难，进而降低了对封装设备和工艺的要求，可以大幅度提高微米LED的器件性能。本发明既结合了微米LED大注入优良特性，同时又降低了制备难度，对微米LED用于各种新兴产业具有重要的实用及指导意义。
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公开(公告)号：CN109982479A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910096412.2
申请日：2019-01-31
Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: H05B33/08
Abstract: 本发明提供一种白光发光二极管的调光电路，所述白光发光二极管的调光电路包括：控制单元，以输出控制信号；恒流源模块，以输出恒定电流，所述控制单元耦合至所述恒流源模块；多个发光二极管，包括红色发光二极管、黄色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管，所述恒流源模块与所述多个发光二极管电性连接；其中，所述控制单元通过脉冲宽度调制的方法，利用所述恒流源模块对所述多个发光二极管输出不同占空比的控制信号；其中，所述红色发光二极管的峰值波长是介于670nm到700nm之间。本发明制备出的白光发光二极管显色性高、蓝光危害低、同时可调节色温，满足在任何色温下都可得到显色性高且蓝光危害低的白光发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103103503A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310027701.X
申请日：2013-01-24
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种在管式基底上制备半导体薄膜的生产设备。本发明采用单槽多管方式，加热液体流入管式基底的内壁，从内部对管式基底加热，再通过管式基底加热反应溶液，反应溶液可以以常温状态存在，而不影响半导体薄膜生长的进行，能够使反应先在管式基底的外壁优先进行，从而节约溶液；采用独立恒温的高温加热箱提供高温的加热液体作为热源，使得半导体薄膜沉积的温度稳定，实现半导体薄膜沉积的高重复性；进一步采用将溢流结构与管式基底的内部加热有效的结合；采用反应溶液溢流循环系统实现溶液的实时更新，减少浓度降低对后期反应过程的影响，降低废液排放量，减少溶液注入量。本发明适用在各种管式基底上沉积半导体薄膜的工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN118388578A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410387212.3
申请日：2024-04-01
Applicant: 北京大学口腔医学院
IPC: C07K1/107 , C07K14/805 , C07K14/555 , A61K47/10 , A61K47/60 , A61K38/02 , A61K38/42 , A61K38/21 , A61P31/12 , A61P35/00 , A61P37/02 , A61P1/16 , A61P35/02
Abstract: 本发明公开一种用于聚乙二醇化蛋白质的方法、非共价聚乙二醇化蛋白及含有其的蛋白质药物和应用。本发明开发了一种基于位点特异原位聚合诱导共组装的蛋白质非共价聚乙二醇化的新策略，位点特异性修饰能够提高蛋白质保留的体外活性，通过原位聚合提高产量并简化纯化，同时通过共组装延长蛋白质的体内循环半衰期，从而大大提高整体治疗效果。此外，本发明的非共价聚乙二醇化方法具有良好的通用性，适用于不同性质的蛋白药物的长效修饰。
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公开(公告)号：CN116978995A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311010635.5
申请日：2023-08-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种改善认知和睡眠的四通道LED混合白光光源的制备方法，属于发光二极管照明技术领域。本发明采用四通道LED照明技术，优化各通道LED的峰值波长和光谱半宽，制备低色温、高照度、高显色性的照明白光LED光源，具有更高的照度和更好的显色性，实现了同时改善夜晚认知表现和光照后睡眠质量的效果。
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公开(公告)号：CN116014053A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310178195.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离激元隙模式的颜色转换micro‑LED及其制备方法。本发明在P型透明电极的表面形成量子点凹槽，量子点分散在各个量子点凹槽内不会凝结，P型透明电极位于金属层与金属纳米颗粒之间，使得金属层和金属纳米颗粒这两个金属结构之间形成金属结构间隙；表面等离激元使得量子阱的自发辐射光被提取至金属结构间隙中，增强量子点的发光速率，同时表面等离激元使得金属纳米颗粒具有天线作用，将能量散射出去；并且，量子点与等离激元和量子阱能够相互作用，从而量子点的发光和自发辐射速率都得到增强，并且与表面等离激元相互作用使得量子阱发射出的大部分光被量子点吸收并增强量子点发光，从而增强颜色转换效率。
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公开(公告)号：CN111610177B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010528322.9
申请日：2020-06-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种micro LED芯片的拉曼增强的检测方法及其装置。本发明提出的检测方法中，将光致发光检测和拉曼检测结合，光致发光检测提供发光波长和亮度信息，拉曼检测给出电学性质，弥补了光致发光检测准确度不足的问题；采用电子能级共振以及表面等离激元共振增强拉曼技术使得拉曼散射强度有103～108的增强，部分达到了光致发光的强度，从而为快速测量奠定基础；金属纳米结构不但提高micro LED芯片的发光效率，同时也可以利用表面等离激元增强拉曼散射信号，提高检测速度；显微拉曼检测是一种无损伤测试手段，检测过程简单，所需时间短，检测速度快，且不需要对micro LED芯片进行特别处理，适用于micro LED芯片的巨量检测。
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