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公开(公告)号：CN119787084A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411963419.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/02315 , H01S5/024 , H01S5/0237 , H01S5/02355
Abstract: 本发明公开一种垂直腔面发射激光器的封装方法及装置，属于半导体激光器芯片封装工艺领域。本发明在VCSEL芯片的顶部额外加装封装散热罩，采用封装散热罩、支撑连接块和底部热沉部件将VCSEL芯片上、下包围，本发明将器件顶部的散热模式由低效向空气进行热辐射调整为经由高热导率固体材料进行热传导。与现有技术相比，本发明可以有效地增加热源中心附近介质的导热能力，显著降低了顶部DBR材料对热量的阻隔效应。此外本发明还利用通孔内的倒角结构和二维透明导热材料进一步增加顶部热流的横向分量，提高VCSEL芯片热量向顶部两侧流动的效率。
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公开(公告)号：CN117766642A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311841111.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于无掩模二次外延的micro‑LED芯片阵列的制备方法。本发明通过对GaN模板进行干法刻蚀，形成应力弛豫图形化GaN模板，再在应力弛豫图形化GaN模板基础上选区二次外延多量子阱等结构，有效避免对多量子阱区域进行干法刻蚀，从而避免了多量子阱的侧壁刻蚀损伤；应力弛豫图形化GaN模板使得n型掺杂的GaN受到的应力得到有效弛豫；在应力弛豫图形化GaN模板上生长的预应力层，所受到的压应力得到部分弛豫，面内晶格常数得到扩张，从而减小铟并入所需要的能量，增加多量子阱中铟的并入；在制备应力弛豫图形化GaN模板中的刻蚀，使得只有GaN微米柱阵列的顶面为c面，作为生长面；选区二次外延生长，不需要额外的掩模，降低了micro‑LED制备工艺的复杂度。
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公开(公告)号：CN117747725A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311727409.9
申请日：2023-12-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种长波长InGaN基发光二极管的外延结构及其制备方法。本发明括衬底、非故意掺杂的氮化镓层、n型掺杂的氮化镓层、长沟槽型多量子阱、修复层、发光多量子阱和p型掺杂的氮化镓层；沟槽型多量子阱表面具有环状V型坑，为沟槽型多量子阱和修复层提供应力弛豫，使得修复层的晶格得到扩张，有利于提高发光多量子阱中的铟并入，并且作为空间隔离，避免环状V型坑内部的量子阱中的载流子受到外部缺陷的影响；修复层修复低温生长的沟槽型多量子阱的粗糙表面，为后续生长的发光多量子阱提供平整的生长表面；修复层作为空穴阻挡层，阻挡来自p型掺杂的氮化镓层的空穴进入到沟槽型多量子阱中，使得空穴集中于发光多量子阱中用于辐射复合。
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公开(公告)号：CN114333617B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111551219.7
申请日：2021-12-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种改善非视觉效应的广色域显示方法。本发明通过设定目标显示色彩，构建起四基色显示技术中单个micro‑LED发光特性与显示色域和非视觉效应的关系，包括显示发光的蓝光危害和生物节律影响；通过对显示色域和非视觉效应相关参数的优化，得到单个micro‑LED的峰值波长和光谱半宽；并在一定范围内改变优化的峰值波长和光谱半宽，计算色域覆盖率的变化；优化过程中，除了考虑显示D65白光时的显示屏发光的非视觉效应，还考虑显示其他色彩时的非视觉效应，真实反映全彩显示的非视觉效应；利用本发明，能够在保持广色域的同时，降低显示设备发光的蓝光危害和生物节律影响，并具有高色域稳定性。
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公开(公告)号：CN106268906A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610656927.X
申请日：2016-08-11
Applicant: 北京大学
IPC: B01J27/24
CPC classification number: B01J27/24 , B01J35/004
Abstract: 本发明公开了一种同质外延生长的氮化镓基光催化材料及其制备方法。本发明的氮化镓基光催化材料从下至上依次包括：n型氮化镓基衬底、氮化镓基外延层和金属层；本发明采用n型氮化镓基衬底同质外延生长GaN基光催化材料的方式，解决了异质外延生长由于晶格失配和热失配带来的外延层晶体质量差的问题，省去生长缓冲层等提高异质外延生长晶体质量的步骤；采用n型氮化镓基衬底使得衬底和MOCVD生长的GaN基外延层一起构成PIN异质结构，其内建电场使得光生载流子有效分离，大大提高了材料的催化活性；本发明制备的氮化物光催化材料在光照下对甲基橙等偶氮染料表现出优异的降解活性，显示出其在光催化领域潜在的应用价值，在污水处理方面具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116682814A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310835780.0
申请日：2023-07-10
Applicant: 北京大学
Inventor： 陈志忠 , 邓楚涵 , 康香宁 , 陈伟华 , 焦飞 , 聂靖昕 , 潘祚坚 , 张浩东 , 董勃言 , 李俞辰 , 王大奇 , 陈怡安 , 席鑫 , 沈波 , 夏晨辉 , 朱剑峰 , 袁林
IPC: H01L25/075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种微米级垂直结构分立Micro‑LED芯片及其制备方法。本发明通过制备硬掩膜，采用光刻再深刻蚀的方式制备出分立的作为发光结构的微米柱，保证较好的光提取效率，从而改善远场分布；采用先深刻蚀再蒸镀金属的方式实现了侧壁修复的工艺，避免了腐蚀性溶液对金属电极造成损伤，解决垂直结构Micro‑LED不易侧壁修复的问题；在侧壁蒸镀金属反射层，并配合出光表面光子晶体结构，实现高度准直发光，避免了芯片与芯片之间的串扰；利用光刻负胶与键合胶化学性质的不同，解决了背面光刻去胶的难题；在N型GaN层通过纳米压印然后刻蚀出光子晶体结构，实现出光效率的增强；本发明为未来大规模量产垂直结构Micro‑LED提供了一种解决方案。
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公开(公告)号：CN101383480B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710121505.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
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公开(公告)号：CN101383480A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121505.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法，属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括：在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后，P型和N型电极蒸镀前，将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理；优化PECVD条件生长钝化层包裹整个激光器；在钝化层表面甩涂光刻胶，光刻P型电极窗口，并随后坚膜；采用湿法腐蚀或干法刻蚀加湿法腐蚀去除窗口区暴露的钝化层，然后保留原有光刻胶，烘干后直接电子束蒸镀P型Ni/Au电极；进行剥离，完成整个P型电极工艺。本发明尽可能地消除工艺流程中的不利因素对器件性能造成的影响，有效的提高了工艺可靠性及器件性能。
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公开(公告)号：CN101257080A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810101681.5
申请日：2008-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法，属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于，在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层，该介质层设有若干个窗口或窗口组，所述脊型p型接触层作为上述窗口或窗口组形成的光、电限制层。通过二次再生长的工艺实现脊型结构的形状，可解决脊型的自对准。将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。同时，这一方法可避免覆盖层生长太厚的开裂问题，结合侧向外延生长可以大大提高外延片的利用率。此外，这一方法也给优化波导限制、电流注入限制提供了灵活的方案。
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公开(公告)号：CN116978995A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311010635.5
申请日：2023-08-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种改善认知和睡眠的四通道LED混合白光光源的制备方法，属于发光二极管照明技术领域。本发明采用四通道LED照明技术，优化各通道LED的峰值波长和光谱半宽，制备低色温、高照度、高显色性的照明白光LED光源，具有更高的照度和更好的显色性，实现了同时改善夜晚认知表现和光照后睡眠质量的效果。
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