公开(公告)号：CN100463102C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200410009840.0

申请日：2004-11-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  康香宁 ,  陈志忠 ,  陈皓明 ,  秦志新 ,  于彤军 ,  胡晓东 ,  章蓓 ,  杨志坚

IPC: H01L21/00 ,  B23K26/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法，本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜，GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生长的薄层外延膜，将GaN外延片通过特定的焊接材料和工艺焊接在Si片等其他热导性和电导性良好的支撑材料上，保证GaN外延层和承载衬底具有好的电和热接触，同时又有相当的机械强度和耐温能力。利用由外向内的扫描方式及热衬底、加入激光阈值偏置等措施，从蓝宝石一侧使用对蓝宝石透明而GaN强烈吸收的脉冲激光扫描外延片，实现GaN外延层和蓝宝石衬底的大面积均匀分离。发明尤其有利于完整剥离大面积薄层外延膜，通常为2inch的GaN基外延片。

公开(公告)号：CN1779900A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200410009840.0

申请日：2004-11-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  康香宁 ,  陈志忠 ,  陈皓明 ,  秦志新 ,  于彤军 ,  胡晓东 ,  章蓓 ,  杨志坚

IPC: H01L21/00 ,  B23K26/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法，本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜，GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生长的薄层外延膜，将GaN外延片通过特定的焊接材料和工艺焊接在Si片等其他热导性和电导性良好的支撑材料上，保证GaN外延层和承载衬底具有好的电和热接触，同时又有相当的机械强度和耐温能力。利用由外向内的扫描方式及热衬底、加入激光阈值偏置等措施，从蓝宝石一侧使用对蓝宝石透明而GaN强烈吸收的脉冲激光扫描外延片，实现GaN外延层和蓝宝石衬底的大面积均匀分离。发明尤其有利于完整剥离大面积薄层外延膜，通常为2inch的GaN基外延片。