-
公开(公告)号：CN104181769A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410386558.8
申请日：2014-08-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种火山口型图形化蓝宝石衬底及其制备方法。本发明采用普通的商用微米PSS衬底作为压印模板，而非订制加工的压印模板，图形简单费用便宜，巧妙解决了压印模板制备困难且成本高昂的问题；同时利用纳米压印技术制备环形掩模，结合蓝宝石刻蚀技术得到高质量的VPSS，有利于VPSS的商业化；采用二次压印的方法以及IPS技术，避免将压印模板上的图形直接转印到外延片上旋涂的纳米压印胶上，导致模板碎裂；采用热压、紫外共压印STU，增加了产出效率和可重复性；本发明制备的火山口型图形化蓝宝石衬底比普通微米PSS具有更多侧向外延的成分和更多的反射面积，因而更有利于LED出光效率的提升。
-
公开(公告)号：CN102903608A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110215034.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种纳米级图形化蓝宝石衬底的制备方法，该方法包括：首先清洗蓝宝石衬底，并在其表面蒸镀一层金属铝膜；同时制备具有纳米结构的模板，通过压印或刻蚀在铝膜上产生相应的图形；放入电解质溶液中进行阳极氧化，直至铝膜表面的颜色发生明显变化且电流降至0为止，进行通孔，在氧化铝层上获得图形化纳米结构；然后淀积一层金属镍；放入强碱溶液中溶解掉氧化铝层，在蓝宝石衬底上得到金属镍纳米点阵；以上述的金属镍点阵为掩膜刻蚀蓝宝石，在蓝宝石衬底上获得深度可控的纳米结构阵列。本发明利用阳极氧化铝的方法在蓝宝石上获得高有序的纳米结构阵列。与现有技术相比，本发明制备过程简单，重复性好，成品率高。
-
公开(公告)号：CN102005520A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010526312.8
申请日：2010-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种LED封装方法，属于光电器件技术领域。该方法在封装过程中，利用AAO模板在环氧树脂上制备出周期性微结构，具体为：制备与所要封装的LED芯片的波长相匹配的周期性微结构的AAO模板；然后将AAO模板均匀铺在LED封装模具的内表面上；最后将液态环氧树脂浇铸到模具里，真空脱气，放入烘箱进行烘烤，待环氧树脂固化后，将所封装的器件从模具上取下，LED器件的环氧树脂的外表面具有与AAO模板一样的周期性微结构。本发明进一步用AAO模板制备出可重复使用、带有周期性微结构的封装模具。本发明通过将AAO模板上的周期性微结构转移到LED封装材料环氧树脂上，改善器件的光学性能，从而提高出光效率。
-
公开(公告)号：CN104651904A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510048337.4
申请日：2015-01-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阳极氧化铝的纳米压印模板的制备方法。本发明采用普通的铝片并采用阳极氧化方法制备具有周期性的纳米孔洞阵列的纳米压印模板，图形简单费用便宜，巧妙降低了纳米压印模板的制备成本；采用阳极氧化铝AAO方法，可以通过控制反应条件，制备不同周期不同孔径的纳米孔洞阵列，灵活方便，成本低廉，可以满足各种需求；采用纳米压印的方法转移和复制AAO的纳米孔洞阵列，避免了目前AAO纳米孔洞阵列图形转移过程中产生的结构有序性较差、AAO破损和无法重复使用等问题；采用二次压印的方法以及中间聚合物模板IPS方法，保护AAO的同时还可以有清洁作用，可以使得AAO重复使用，进一步降低成本。
-
公开(公告)号：CN103311395A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310165612.1
申请日：2013-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种激光剥离薄膜LED及其制备方法。本发明的激光剥离薄膜型LED的芯片单元包括：n型层、量子阱、在量子阱上的p型层、在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构、p电极、绝缘层及n电极，上述结构倒扣在衬底上；以及在芯片一角的p焊盘。本发明使用了表面等离激元与量子阱结构的共振耦合作用，大大增加了大注入下LED的辐射复合和效率和出光效率，同时对发光效率低的黄绿光、紫外光LED也有一定的效果；采用激光划片和腐蚀的方法，分割芯片单元，减少外延片的翘曲，降低工艺难度和成本；p焊盘采用保护层和银层蒸镀工艺，简化了p焊盘的制作工艺，降低工艺成本；采用热磷酸粗化的方法，降低工艺成本，提高LED的出光效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102185061A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110085237.0
申请日：2011-04-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种LED结构及其制备方法，属于光电器件领域。该LED结构包括n-GaN层、多量子阱层和p-GaN层，n-GaN层为出光面，本发明在非出光面的p-GaN层或与p-GaN层接触的透明电极表面上制备出周期性微纳结构。由于周期性微纳结构在非出光面p-GaN层表面或与p-GaN层接触的透明电极上可表现出独特的光学性质，可大幅改善LED器件的背向反射率；另外，通过改变微纳结构的参数(如结构单元形状、周期、孔径及孔洞深度等)还可实现对材料光学性质的调制，从而有效提高LED器件的出光效率；进一步，对实现金属反射层的工艺兼容性有帮助。
-
公开(公告)号：CN104181769B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201410386558.8
申请日：2014-08-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种火山口型图形化蓝宝石衬底及其制备方法。本发明采用普通的商用微米PSS衬底作为压印模板，而非订制加工的压印模板，图形简单费用便宜，巧妙解决了压印模板制备困难且成本高昂的问题；同时利用纳米压印技术制备环形掩模，结合蓝宝石刻蚀技术得到高质量的VPSS，有利于VPSS的商业化；采用二次压印的方法以及IPS技术，避免将压印模板上的图形直接转印到外延片上旋涂的纳米压印胶上，导致模板碎裂；采用热压、紫外共压印STU，增加了产出效率和可重复性；本发明制备的火山口型图形化蓝宝石衬底比普通微米PSS具有更多侧向外延的成分和更多的反射面积，因而更有利于LED出光效率的提升。
-
公开(公告)号：CN103311395B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310165612.1
申请日：2013-05-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种激光剥离薄膜LED及其制备方法。本发明的激光剥离薄膜型LED的芯片单元包括：n型层、量子阱、在量子阱上的p型层、在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构、p电极、绝缘层及n电极，上述结构倒扣在衬底上；以及在芯片一角的p焊盘。本发明使用了表面等离激元与量子阱结构的共振耦合作用，大大增加了大注入下LED的辐射复合和效率和出光效率，同时对发光效率低的黄绿光、紫外光LED也有一定的效果；采用激光划片和腐蚀的方法，分割芯片单元，减少外延片的翘曲，降低工艺难度和成本；p焊盘采用保护层和银层蒸镀工艺，简化了p焊盘的制作工艺，降低工艺成本；采用热磷酸粗化的方法，降低工艺成本，提高LED的出光效率。
-
公开(公告)号：CN102005520B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010526312.8
申请日：2010-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种LED封装方法，属于光电器件技术领域。该方法在封装过程中，利用AAO模板在环氧树脂上制备出周期性微结构，具体为：制备与所要封装的LED芯片的波长相匹配的周期性微结构的AAO模板；然后将AAO模板均匀铺在LED封装模具的内表面上；最后将液态环氧树脂浇铸到模具里，真空脱气，放入烘箱进行烘烤，待环氧树脂固化后，将所封装的器件从模具上取下，LED器件的环氧树脂的外表面具有与AAO模板一样的周期性微结构。本发明进一步用AAO模板制备出可重复使用、带有周期性微结构的封装模具。本发明通过将AAO模板上的周期性微结构转移到LED封装材料环氧树脂上，改善器件的光学性能，从而提高出光效率。
-
公开(公告)号：CN102041539A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201110002679.4
申请日：2011-01-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积高有序度的GaN基光子晶体模板及其制备方法，属于半导体光子晶体的制备领域。本发明制备GaN基光子晶体的模板为具有有序纳米孔阵列的氧化铝膜，其中孔间距均匀且大小为460±10纳米，纳米孔形状为圆柱状或圆锥状。其制备方法是通过周期性重复调节电压技术，进行多次阳极氧化、扩孔。利用本发明提供的模板制备的GaN基光子结构具有增透或者减反射作用，特别适合于GaN基材料的生长LED及LD光电器件，可提高材料质量及光子的出射效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.017 seconds)
