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公开(公告)号：CN101452988A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810241116.9
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部分制备绝缘钝化层，然后在整个LED外延层和基板上均匀涂上适量的、高导热率、膨胀系数和弹性模量匹配的导电银胶，高温键合后激光剥离蓝宝石衬底，清洁表面，在表面形成n电极，对电极以外的出光表面进行粗化处理，减薄基板至所需厚度并在其背部制备欧姆接触和共晶焊垫。最后进行激光划片，裂片，得到薄膜型LED芯片。本发明可减少激光剥离带来的芯片破裂，增加芯片侧面光的出射，同时增加粘接强度，提高芯片出光效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN101452988B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810241116.9
申请日：2008-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部分制备绝缘钝化层，然后在整个LED外延层和基板上均匀涂上适量的、高导热率、膨胀系数和弹性模量匹配的导电银胶，高温键合后激光剥离蓝宝石衬底，清洁表面，在表面形成n电极，对电极以外的出光表面进行粗化处理，减薄基板至所需厚度并在其背部制备欧姆接触和共晶焊垫。最后进行激光划片，裂片，得到薄膜型LED芯片。本发明可减少激光剥离带来的芯片破裂，增加芯片侧面光的出射，同时增加粘接强度，提高芯片出光效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN102237459B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010150953.8
申请日：2010-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法，属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是，在图形的蓝宝石衬底(PSS)上生长GaN外延片，然后使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对PSS蓝宝石衬底进行逐点逐行激光扫描，将GaN外延片与具有图形的蓝宝石衬底剥离，制备出周期性光栅结构和纳米粗糙结构复合的LED器件出光结构。本发明近乎无损的实现蓝宝石衬底与GaN外延片的分离，出光结构的表面由微米量级的周期性光栅结构和排布在周期性的光栅结构之中的深度和直径在10纳米到500纳米之间的纳米粗糙结构组合而成，从而提高了LED器件的外量子效率。
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公开(公告)号：CN102237459A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010150953.8
申请日：2010-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法，属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是，在图形的蓝宝石衬底(PSS)上生长GaN外延片，然后使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对PSS蓝宝石衬底进行逐点逐行激光扫描，将GaN外延片与具有图形的蓝宝石衬底剥离，制备出周期性光栅结构和纳米粗糙结构复合的LED器件出光结构。本发明近乎无损的实现蓝宝石衬底与GaN外延片的分离，出光结构的表面由微米量级的周期性光栅结构和排布在周期性的光栅结构之中的深度和直径在10纳米到500纳米之间的纳米粗糙结构组合而成，从而提高了LED器件的外量子效率。
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