采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法

    公开(公告)号:CN101847677A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010143078.0

    申请日:2010-04-07

    Abstract: 本发明公开了一种采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法,包括:第一步,生长缓冲层;第二步,生长电极层;其中,生长缓冲层时金属舟的温度比生长电极层低30至200℃;生长缓冲层时金属舟的载气流量是生长电极层时的1/10至1倍;生长缓冲层时衬底的温度比生长电极层时高0至150℃。利用本发明,有效改善了氧化锌透明电极的界面性质,降低了LED的工作电压和串联电阻。

    用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉

    公开(公告)号:CN1917311A

    公开(公告)日:2007-02-21

    申请号:CN200510090643.0

    申请日:2005-08-18

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 一种用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉,其中包括:一电介质热沉基片;一微波传输线,该微波传输线制作在电介质热沉基片的上表面的一侧,该微波传输线在电介质热沉基片的上表面形成三个端点;一薄膜电阻,该薄膜电阻制作在电介质热沉基片的上表面,形成在微波传输线的端点的尾端;多条金属电极,该多条金属电极制作在电介质热沉基片的上表面的另一侧;一地电极,该地电极制作在电介质热沉基片的下表面,且将电介质热沉基片的下表面覆盖。

    氧化镓晶体及其异质外延方法
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118374877A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410465054.9

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本发明提供一种氧化镓晶体及其异质外延方法,应用于半导体技术领域,该方法包括:制备具有特定双向偏角的蓝宝石衬底;在蓝宝石衬底上生长氧化镓晶体;在氧化镓晶体上沉积功能性材料,得到目标器件。本发明提供的氧化镓晶体异质外延方法,引入三维扭转的定向设计制备具体特定双向偏角的蓝宝石衬底,蓝宝石衬底中不同偏角对应的原子间距和原子台阶高度不同,从而有效限制β相氧化镓在面内生长的各向对称性。在具有特定双向偏角的蓝宝石衬底上进行氧化镓晶体生长,可以有效提高β相氧化镓晶体生长取向的一致性,从而提升氧化镓晶体质量。

    氧化镓器件及其制备方法
    64.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118352402A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410460933.2

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本发明提供一种氧化镓器件及其制备方法,该器件包括:肖特基器件、绝缘高导热叠层以及散热基板;肖特基器件包括:衬底、外延层、介质层、肖特基接触金属层、欧姆接触金属层以及电极引脚;绝缘高导热叠层设置于电极引脚的两侧;散热基板通过焊盘与肖特基器件中的电极引脚相连接。本发明提供的氧化镓器件,在氧化镓器件的电极及器件功能区域覆盖有绝缘高导热叠层材料,并以倒装的方式将器件连接在封装散热基板上,通过散热基板实现外接电路。提升器件的散热能力,降低温度对电子漂移的影响;使氧化镓器件所产生的热量被及时导出,降低器件自身的温度,提升氧化镓器件的耐压性能、可靠性以及器件工作稳定性。

    一种LED封装管的测试板及测试方法

    公开(公告)号:CN111624454A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201910110809.2

    申请日:2019-02-11

    Abstract: 一种LED封装管的测试板及测试方法,其中,测试板包括:测试电路,测试电路中串联有M个LED封装管;变阻器,变阻器串联至该M个LED封装管,并且,每一测试电路中串联一变阻器,通过调节变阻器的阻值来控制其相应的测试电路的电流。测试方法包括:在测试电路和变阻器两端施加电压;调节变阻器的阻值,使得流过测试电路的电流满足预设电流值;测试测试电路中LED封装管的光学数据。通过调节变阻器消除LED焊接差异而引起的电阻差异,并且提供多种电流条件下的LED灯珠老化测试。

    一种近距离匀光LED封装结构

    公开(公告)号:CN110323322A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910307916.4

    申请日:2019-04-16

    Abstract: 本发明公开了一种近距离匀光LED封装结构,包括:一LED芯片作为光源;一封装管壳,其具有一制作在上表面的金属反射层和一置于管壳内部的中心LED封装电路;一透明盖板,其下表面具有图形化金属反射层;一封装胶填充层。本发明可以使用单颗LED作为光源,通过多次反射,在距离LED封装结构约1mm的极近距离处实现大面积匀光,解决了实现近距离匀光的技术问题,同时降低了得到大面积均匀光源所需的LED颗数,从而降低了生产应用成本。

    一种LED全彩显示阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN104465692B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201410736198.X

    申请日:2014-12-04

    Abstract: 本发明提供了一种LED全彩显示阵列及其制作方法,所述显示阵列包括:制作在透明面板上的导光层,所述导光层包括阵列图形和通道图形;蓝光LED超小芯片阵列,其粘接在所述透明面板上,且与所述导光层的通道图形连接;制作在透明面板上的第一反射镜,所述第一反射镜制作在透明面板上除导光层和蓝光LED超小芯片阵列之外的位置;第二反射镜,其制作在所述第一反射镜和导光层之上;其中,所述蓝光LED超小芯片阵列的光通过所述导光层上的通道图形导到所述导光层上的阵列图形而放大。本发明LED发光点间距可调,可以将点间距缩小到500um以下,极大地节约了LED全彩显示阵列的制作成本,同时简化了制作工艺。

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