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公开(公告)号：CN108399931B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201711282951.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括：存储单元阵列，具有多个面；多个页缓冲器，布置为与多个面中的每个面对应；以及控制逻辑电路，被配置为向多个页缓冲器中的每个页缓冲器传输位线设定信号。多个页缓冲器中的每个包括被配置为响应于位线设定信号对感测节点和位线进行预充电的预充电电路以及被配置为响应于位线截止信号执行位线截止操作的截止电路。控制逻辑电路被配置为当位线设定信号的电平根据位线截止信号的梯度而改变时来控制转换时间，其中，位线截止信号从第一电平改变为第二电平。
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公开(公告)号：CN113707662A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110354320.7
申请日：2021-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L27/11573 , H01L27/11529
Abstract: 公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括：多条字线，位于基底上；多个字线切割区域，彼此平行地延伸；存储器单元阵列，包括在基底上延伸穿过所述多条字线并且布置成蜂窝结构的多个沟道结构；多个接触件，位于所述多个沟道结构上；以及多条位线，通过所述多个接触件连接到所述多个沟道结构。存储器单元阵列包括由所述多个字线切割区域限定并且连接到来自所述多条位线之中的一些相同的位线的第一子阵列和第二子阵列，并且来自所述多个接触件之中的位于第一子阵列中的接触件的布局不同于来自所述多个接触件之中的位于第二子阵列中的接触件的布局。
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公开(公告)号：CN111724852A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010083850.8
申请日：2020-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件及其擦除方法。所述非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个单元串，所述多个单元串中的每个单元串包括栅极感应漏极泄漏(GIDL)晶体管和存储单元组；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于将电压施加到所述多个单元串中的每个单元串。所述控制逻辑执行：第一擦除操作，所述第一擦除操作对所述多个单元串中的每个单元串的所述存储单元组进行擦除，第一验证操作，所述第一验证操作检测所述第一擦除操作对所述多个单元串中的每个单元串的所述存储单元组进行擦除的第一擦除结果，以及编程操作，所述编程操作对所述多个单元串中的一些单元串的所述GIDL晶体管进行编程。
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公开(公告)号：CN111244105A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911191924.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11548
Abstract: 一种三维半导体存储器装置可以包括：第一堆叠结构块，其包括在衬底上沿第一方向布置的第一堆叠结构；第二堆叠结构块，其包括在衬底上沿第一方向布置的第二堆叠结构；分离结构，其设置在衬底上，位于第一堆叠结构块和第二堆叠结构块之间，并且包括且第一模塑层和第二模塑层；和接触插塞，其穿透分离结构。接触插塞的底表面可以与衬底接触。
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公开(公告)号：CN110853683A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910738613.8
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/02
Abstract: 本公开提供了非易失性存储器。一种非易失性存储器包括垂直堆叠在第二半导体层上并包括第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组的第一半导体层。第二半导体层包括分别在第一存储器组、第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组下面的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。第一区域包括通过特定字线连接到第二存储器组、第三存储器组和第四存储器组中的一个存储器组的存储器单元的一个驱动电路以及通过第一位线连接到第一存储器组的存储器单元的另一个驱动电路，其中特定字线和第一位线在相同的水平方向上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110399093A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910327392.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了一种包括非易失性存储器件和控制器的存储设备。该存储设备包括：包括存储块的非易失性存储器件，每个存储块包括存储单元；以及从外部主机设备接收第一写入请求的控制器。根据所述第一写入请求，该控制器将第一清除命令发送到该非易失性存储器件，并将与所述第一写入请求相关联的第一写入数据和第一写入命令发送到该非易失性存储器件。该非易失性存储器件被配置为响应于第一清除命令，清除先前写入到存储块中的第一存储块的第一存储单元的第一数据。所述非易失性存储器件还被配置为响应于所述第一写入命令，将所述第一写入数据写入到所述第一存储块的第二存储单元。
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公开(公告)号：CN110047548A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201811590759.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种非易失性存储器装置及在其中执行擦除操作的方法。将擦除电压施加到选择的串组的沟道以仅擦除选择的串组。通过对单元串进行分组来减少擦除操作的单位容量，以减少用于存储元数据的备用块的大小和数量，从而减小非易失性存储器装置的大小。通过控制擦除一些单元串而不擦除其他单元串来延长非易失性存储器装置的寿命。在一些实施例中，用于擦除的单元串的控制包括允许一些控制线浮置。在一些实施例中，具有不同的阈值和适当施加的电压的地选择晶体管用于控制特定单元串的擦除。在一些实施例中，字线偏置被不同地施加到特定单元串的部分，以仅擦除特定单元串的部分。
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公开(公告)号：CN109979944A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811540991.7
申请日：2018-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11551 , H01L27/11521
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：多条栅极线，在第一方向上延伸且在第二方向上堆叠以形成存储器块，其中，第二方向垂直于第一方向；地址解码器，设置在多条栅极线的第一侧处以驱动多条栅极线；电压补偿线，在第一方向上基本平行于多条栅极线地延伸，并且在第二方向上与多条栅极线之中的目标栅极线叠置；上升竖直接触件，在第二方向上延伸以使地址解码器和电压补偿线的第一部分连接；导电路径，在第二方向上使电压补偿线的第一部分和第二部分与目标栅极线的近端部分和远端部分连接。
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公开(公告)号：CN109841241A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811415432.3
申请日：2018-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/4067
Abstract: 一种非易失性存储装置，包括：第一半导体层，其包括字线、位线、彼此相邻的第一上基板和第二上基板、以及存储单元阵列，其中存储单元阵列包括在第一上基板上的第一垂直结构和在第二上基板上的第二垂直结构；以及在第一半导体层下方的第二半导体层，其中第二半导体层包括下基板，该下基板包括行解码器电路和页缓冲器电路，其中第一垂直结构包括第一通路区域，第一通孔通路提供在第一通路区域中，其中第一通孔通路穿过第一垂直结构并连接第一位线和第一页缓冲器电路，并且第二垂直结构包括第一部分块，其中第一部分块重叠第一通路区域。
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公开(公告)号：CN109817629A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811311538.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551
Abstract: 一种非易失性存储器件的页缓冲器的至少一个锁存器包括选择性地存储感测节点的电压的电容器。该电容器包括至少一个第一接触和至少一个第二接触，所述至少一个第一接触具有与每个单元串的第一高度对应的第二高度，地电压被供应到所述至少一个第二接触。所述至少一个第二接触具有与第一高度对应的第三高度，与所述至少一个第一接触相邻设置，并与所述至少一个第一接触电隔离。
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