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公开(公告)号：CN111755452B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010074084.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板；在基板上方的第一字线，第一字线在第一方向上延伸；在基板上方的第一位线，第一位线在第二方向上延伸；第一存储单元，连接到第一字线和第一位线；第一导电材料，连接到第一字线并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一字线延伸；第二导电材料，连接到第一位线并且在第一位线上方，第二导电材料在第一方向上延伸；以及第三导电材料，连接到第二导电材料并且在第三方向上从第二导电材料延伸。
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公开(公告)号：CN106504791B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201610791554.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 如下提供擦除包括多个NAND串的非易失性存储装置的方法。施加第一电压到每个字线达相应的有效擦除运行时间。对连接到字线中的每一个的存储单元执行擦除操作达相应的有效擦除运行时间。在相应的擦除禁止时间逝去后，施加第二电压到字线中的至少一些字线中的每一个达相应的有效擦除运行时间。所述至少一些字线中的每一个的相应的有效擦除运行时间和相应的擦除禁止时间之和基本上等于在其期间使用第一电压和比第一电压高的第二电压执行擦除操作的擦除间隔。字线堆叠在衬底上。
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公开(公告)号：CN107025944A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710020693.4
申请日：2017-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈元补
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3445 , G06F11/1068 , G11C7/1006 , G11C16/0483 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C29/021 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C29/50004 , G11C29/52 , G11C2029/0409
Abstract: 一种用于操作非易失性存储器设备的方法首先包括向存储器单元供应擦除电压。存储器单元在三维结构的单元串中。该方法还包括执行存储器单元的第一读取操作，执行存储器单元的第二读取操作，然后基于第一和第二读取操作的结果执行第一擦除校验操作。第一擦除校验操作可以包括对第一和第二读取操作结果执行第一异或(XOR)运算。
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公开(公告)号：CN108630275B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201711419411.4
申请日：2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器装置及其编程方法。提供一种执行多个编程循环的非易失性存储器装置的编程方法。所述多个编程循环中的至少一个编程循环包括：在第一间隔和第二间隔期间将选择的单元串的通道划分为第一侧通道和第二侧通道；在第一间隔期间，通过施加第一电平的串选择线电压来使选择的单元串的串选择晶体管截止，并升高第一侧通道的第一电压和第二侧通道的第二电压；在第二间隔期间，通过施加与第一电平不同的第二电平的串选择线电压来使串选择晶体管导通，并对与第一侧通道或第二侧通道对应的选择的存储器单元执行热载流子注入(HCI)编程操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111724852A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010083850.8
申请日：2020-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件及其擦除方法。所述非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个单元串，所述多个单元串中的每个单元串包括栅极感应漏极泄漏(GIDL)晶体管和存储单元组；以及控制逻辑，所述控制逻辑用于将电压施加到所述多个单元串中的每个单元串。所述控制逻辑执行：第一擦除操作，所述第一擦除操作对所述多个单元串中的每个单元串的所述存储单元组进行擦除，第一验证操作，所述第一验证操作检测所述第一擦除操作对所述多个单元串中的每个单元串的所述存储单元组进行擦除的第一擦除结果，以及编程操作，所述编程操作对所述多个单元串中的一些单元串的所述GIDL晶体管进行编程。
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公开(公告)号：CN106504791A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610791554.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 如下提供擦除包括多个NAND串的非易失性存储装置的方法。施加第一电压到每个字线达相应的有效擦除运行时间。对连接到字线中的每一个的存储单元执行擦除操作达相应的有效擦除运行时间。在相应的擦除禁止时间逝去后，施加第二电压到字线中的至少一些字线中的每一个达相应的有效擦除运行时间。所述至少一些字线中的每一个的相应的有效擦除运行时间和相应的擦除禁止时间之和基本上等于在其期间使用第一电压和比第一电压高的第二电压执行擦除操作的擦除间隔。字线堆叠在衬底上。
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公开(公告)号：CN111755452A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010074084.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , G11C5/06
Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板；在基板上方的第一字线，第一字线在第一方向上延伸；在基板上方的第一位线，第一位线在第二方向上延伸；第一存储单元，连接到第一字线和第一位线；第一导电材料，连接到第一字线并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一字线延伸；第二导电材料，连接到第一位线并且在第一位线上方，第二导电材料在第一方向上延伸；以及第三导电材料，连接到第二导电材料并且在第三方向上从第二导电材料延伸。
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公开(公告)号：CN108630275A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201711419411.4
申请日：2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器装置及其编程方法。提供一种执行多个编程循环的非易失性存储器装置的编程方法。所述多个编程循环中的至少一个编程循环包括：在第一间隔和第二间隔期间将选择的单元串的通道划分为第一侧通道和第二侧通道；在第一间隔期间，通过施加第一电平的串选择线电压来使选择的单元串的串选择晶体管截止，并升高第一侧通道的第一电压和第二侧通道的第二电压；在第二间隔期间，通过施加与第一电平不同的第二电平的串选择线电压来使串选择晶体管导通，并对与第一侧通道或第二侧通道对应的选择的存储器单元执行热载流子注入(HCI)编程操作。
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