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公开(公告)号：CN109841241B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201811415432.3
申请日：2018-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/4067
Abstract: 一种非易失性存储装置，包括：第一半导体层，其包括字线、位线、彼此相邻的第一上基板和第二上基板、以及存储单元阵列，其中存储单元阵列包括在第一上基板上的第一垂直结构和在第二上基板上的第二垂直结构；以及在第一半导体层下方的第二半导体层，其中第二半导体层包括下基板，该下基板包括行解码器电路和页缓冲器电路，其中第一垂直结构包括第一通路区域，第一通孔通路提供在第一通路区域中，其中第一通孔通路穿过第一垂直结构并连接第一位线和第一页缓冲器电路，并且第二垂直结构包括第一部分块，其中第一部分块重叠第一通路区域。
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公开(公告)号：CN114121108A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110783171.6
申请日：2021-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/30
Abstract: 一种存储器设备，包括：第一存储器区域，包括具有多个第一存储器单元的第一存储器单元阵列以及设置在第一存储器单元阵列下方的第一外围电路；第二存储器区域，包括具有多个第二存储器单元的第二存储器单元阵列以及设置在第二存储器单元阵列下方的第二外围电路；以及包括电力布线的焊盘区域。第一存储器区域和第二存储器区域分别地包括分离地确定是否锁定存储器区域中的每个的第一局部锁定电路和第二局部锁定电路。第一存储器区域和第二存储器区域被包括在单个半导体芯片中以共享焊盘区域，并且第一存储器区域和第二存储器区域单独地操作。因此，在存储器设备中，通过选择性地仅停止需要恢复的存储器区域的操作可以减少不必需要的数据丢失。
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公开(公告)号：CN107545912A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710500365.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/11573 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/11565 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了一种存储器件，该存储器件包括第一半导体层、在第一半导体层上的第二半导体层、以及上位线。第一半导体层包括在第一方向上延伸并在与第一方向垂直的第二方向上彼此平行的下位线、以及衬底。第二半导体层包括在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的垂直柱。上位线连接到垂直柱并在第二半导体层上在第一方向上延伸。上位线布置为在第二方向上具有第一节距。下位线布置为在第二方向上具有第二节距。第一节距和第二节距具有不同的长度。
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公开(公告)号：CN119580786A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410118492.8
申请日：2024-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
Abstract: 公开了包括电压生成电路的存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及外围电路，被配置为通过使用多个操作电压对存储器单元阵列执行多个操作。外围电路包括电压生成电路，电压生成电路包括第一泵块、第二泵块和第一公共泵块，并且生成所述多个操作电压。电压生成电路将第一泵块和第一公共泵块并联连接，以生成所述多个操作电压之中的第一操作电压，并且将第一公共泵块和第二泵块串联连接，以生成所述多个操作电压之中的第二操作电压。
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公开(公告)号：CN111755452B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010074084.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板；在基板上方的第一字线，第一字线在第一方向上延伸；在基板上方的第一位线，第一位线在第二方向上延伸；第一存储单元，连接到第一字线和第一位线；第一导电材料，连接到第一字线并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一字线延伸；第二导电材料，连接到第一位线并且在第一位线上方，第二导电材料在第一方向上延伸；以及第三导电材料，连接到第二导电材料并且在第三方向上从第二导电材料延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109755251B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201811311686.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器器件，包括：第一半导体层，所述第一半导体层包括上衬底和其中上衬底上的多个字线在第一方向上延伸并且多个位线在第二方向上延伸的存储器单元阵列。所述非易失性存储器器件包括在垂直于第一和第二方向的第三方向上位于第一半导体层下面的第二半导体层，所述第二半导体层包括下衬底和在下衬底上的并被配置为向上衬底输出偏置电压的衬底控制电路。所述第二半导体层被分成第一至第四区域，第一至第四区域中的每一个区域具有相同的面积，并且所述衬底控制电路在第三方向上与所述第一至第四区域的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN109493905B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201811010904.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈相元
Abstract: 提供了一种用于减少热载流子注入(HCI)的非易失性存储装置以及所述非易失性存储装置的编程方法。根据一个方面，所述非易失性存储装置的编程方法包括：在从多个存储单元中的与串选择晶体管相邻的上部存储单元到与地选择晶体管相邻的下部存储单元的方向上对包括在单元串中的存储单元进行编程；当对选定存储单元进行编程时，将第一禁止电压施加到第一未选定字线，所述第一未选定字线连接到位于所述选定存储单元之上的第一未选定存储单元；以及当在施加第一禁止电压之后经过了预定时间段时，将第二禁止电压施加到第二未选定字线，所述第二未选定字线连接到位于所述选定存储单元之下的第二未选定存储单元。
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公开(公告)号：CN117836749A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057204.1
申请日：2022-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 刘铉祐 , 沈相元 , 安银枝 , 李宰明 , 姜旼求 , 金昌根 , 朴东建 , 辛雄基 , 吴泳学 , 李龙九 , 张恩娥 , 崔晸宇 , 权甬 , 沈慧珍 , 柳硕铉 , 田喜璟
IPC: G06F3/04883 , G06F3/01 , G06F3/04817 , G06F3/04842 , G06F3/04845 , G06F3/16
Abstract: 根据一种实施例的电子装置可以包括：触摸显示器；以及处理器，所述处理器控制所述触摸显示器显示第一图形示能表示；基于指示所述第一图形示能表示的输入，控制所述触摸显示器以利用第二图形示能表示替换所述第一图形示能表示的显示；在所述输入被保持的同时，控制所述触摸显示器以根据用户的动作使所述第二图形示能表示变形；以及基于所述输入的移动距离和所述输入是否被保持，执行与所述第一图形示能表示匹配的功能。
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公开(公告)号：CN112435701A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010788417.4
申请日：2020-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10 , G11C16/24 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置、存储装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置的各个存储器块包括柱的第一部分的第一存储器单元和柱的第二部分的第二存储器单元。当在从存储器块选择的存储器块处基于连续地址执行编程操作时，非易失性存储器装置顺序地完成第一存储器单元和第二存储器单元当中不与第一部分和第二部分的边界相邻的非相邻存储器单元的第一编程操作，然后完成与边界相邻的相邻存储器单元的第二编程操作。
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公开(公告)号：CN111755452A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010074084.9
申请日：2020-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , G11C5/06
Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板；在基板上方的第一字线，第一字线在第一方向上延伸；在基板上方的第一位线，第一位线在第二方向上延伸；第一存储单元，连接到第一字线和第一位线；第一导电材料，连接到第一字线并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上从第一字线延伸；第二导电材料，连接到第一位线并且在第一位线上方，第二导电材料在第一方向上延伸；以及第三导电材料，连接到第二导电材料并且在第三方向上从第二导电材料延伸。
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