公开(公告)号：CN114078490A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110641034.9

申请日：2021-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹溶成 ,  姜仁昊 ,  朴安洙 ,  朴曾焕 ,  申东夏 ,  郑在元

IPC: G11C5/06 ,  G11C7/10 ,  G11C16/04 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种存储器设备。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；和页面缓冲器电路，设置在包括沿第一水平方向设置的主区域和高速缓存区域的页面缓冲器区域，并且包括在主区域中沿第二水平方向彼此相邻的第一页面缓冲器单元和第二页面缓冲器单元。第一页面缓冲器单元的第一读出节点包括第一下金属图案和第一上金属图案，第一上金属图案电连接到第一下金属图案。第二页面缓冲器单元的第二读出节点包括第二下金属图案和第二上金属图案，第二上金属图案电连接到第二下金属图案，并且在第二水平方向上不与第一上金属图案相邻。

公开(公告)号：CN117915664A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311352898.4

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在元 ,  申东夏 ,  任琫淳

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 一种存储器件可以包括堆叠在基板上并且在垂直方向上彼此间隔开的字线图案、在垂直方向上延伸的沟道结构、以及在垂直方向上延伸的第一接触插塞和第二接触插塞。基板可以包括单元区、单元布线区和通孔布线区。字线图案可以在单元区和单元布线区上，并且可以在平行于基板的上表面的方向上延伸到单元布线区。第一接触插塞可以在单元布线区上，并且每个第一接触插塞可以与字线图案中的对应一个电连接，并且与除了字线图案中的所述对应一个以外的其余字线图案绝缘。第二接触插塞可以在通孔布线区上。

公开(公告)号：CN113707662A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110354320.7

申请日：2021-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东夏 ,  郑在元 ,  任琫淳

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11529

Abstract: 公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括：多条字线，位于基底上；多个字线切割区域，彼此平行地延伸；存储器单元阵列，包括在基底上延伸穿过所述多条字线并且布置成蜂窝结构的多个沟道结构；多个接触件，位于所述多个沟道结构上；以及多条位线，通过所述多个接触件连接到所述多个沟道结构。存储器单元阵列包括由所述多个字线切割区域限定并且连接到来自所述多条位线之中的一些相同的位线的第一子阵列和第二子阵列，并且来自所述多个接触件之中的位于第一子阵列中的接触件的布局不同于来自所述多个接触件之中的位于第二子阵列中的接触件的布局。