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公开(公告)号：CN110491433A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910230420.1
申请日：2019-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器和操作非易失性存储器装置的方法。该非易失性存储器装置包括多个单元串，并且每个单元串包括多个多层单元。将选择的字线的电压电平按次序改变为按次序具有多个读电压，以确定所述多个多层单元的阈值电压状态。与选择的字线的电压改变时间点同步地按次序改变邻近于选择的字线的邻近字线的电压。通过使选择的字线的电压改变与邻近字线的电压改变这二者在同一方向上同步，选择的字线的负载减小，并且非易失性存储器装置的操作速度增加。
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公开(公告)号：CN110047548B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201811590759.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种非易失性存储器装置及在其中执行擦除操作的方法。将擦除电压施加到选择的串组的沟道以仅擦除选择的串组。通过对单元串进行分组来减少擦除操作的单位容量，以减少用于存储元数据的备用块的大小和数量，从而减小非易失性存储器装置的大小。通过控制擦除一些单元串而不擦除其他单元串来延长非易失性存储器装置的寿命。在一些实施例中，用于擦除的单元串的控制包括允许一些控制线浮置。在一些实施例中，具有不同的阈值和适当施加的电压的地选择晶体管用于控制特定单元串的擦除。在一些实施例中，字线偏置被不同地施加到特定单元串的部分，以仅擦除特定单元串的部分。
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公开(公告)号：CN117711467A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310810081.0
申请日：2023-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储设备，该存储设备包括：第一字线，与处于编程状态的存储器单元连接；第二字线，与处于擦除状态的存储器单元连接；以及空闲字线，在第一字线和第二字线之间并与处于擦除状态的存储器单元连接。通过在一个忙碌信号周期期间验证与空闲字线连接的存储器单元的擦除状态来确定与第二字线连接的存储器单元的块连续写入是否可能。根据本公开，因为在一个忙碌信号周期期间确定多个空闲页的块连续写入是否可能，所以执行块连续写入操作所花费的时间可以减少。
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公开(公告)号：CN113971980A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110838953.5
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括存储单元阵列以及控制逻辑，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元在相对于衬底的垂直方向上形成多个串，所述控制逻辑被配置为：响应于写入命令从多个串检测未打开的串(N/O串)，以及对要被编程在所述N/O串中的多个目标存储单元上的多条目标数据进行转换，使得所述多条目标数据具有限制向所述多个目标存储单元施加编程电压的次数的值。
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公开(公告)号：CN119271117A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410727519.3
申请日：2024-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性集成电路存储装置包括：第一存储器块，第一存储器块中具有第一存储器子块和第二存储器子块，以及第二存储器块，第二存储器块中具有第三存储器子块和第四存储器子块的。还提供子块管理器，被配置为：(i)当第一存储器子块中具有不可纠正的错误(UECC)时，确定第二存储器子块是否是回收子块，并且(ii)响应于确定第二存储器子块是回收子块，将第一存储器子块和第二存储器子块分别回收至第三存储器子块和第四存储器子块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110399093B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910327392.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了一种包括非易失性存储器件和控制器的存储设备。该存储设备包括：包括存储块的非易失性存储器件，每个存储块包括存储单元；以及从外部主机设备接收第一写入请求的控制器。根据所述第一写入请求，该控制器将第一清除命令发送到该非易失性存储器件，并将与所述第一写入请求相关联的第一写入数据和第一写入命令发送到该非易失性存储器件。该非易失性存储器件被配置为响应于第一清除命令，清除先前写入到存储块中的第一存储块的第一存储单元的第一数据。所述非易失性存储器件还被配置为响应于所述第一写入命令，将所述第一写入数据写入到所述第一存储块的第二存储单元。
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公开(公告)号：CN110399093A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910327392.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了一种包括非易失性存储器件和控制器的存储设备。该存储设备包括：包括存储块的非易失性存储器件，每个存储块包括存储单元；以及从外部主机设备接收第一写入请求的控制器。根据所述第一写入请求，该控制器将第一清除命令发送到该非易失性存储器件，并将与所述第一写入请求相关联的第一写入数据和第一写入命令发送到该非易失性存储器件。该非易失性存储器件被配置为响应于第一清除命令，清除先前写入到存储块中的第一存储块的第一存储单元的第一数据。所述非易失性存储器件还被配置为响应于所述第一写入命令，将所述第一写入数据写入到所述第一存储块的第二存储单元。
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公开(公告)号：CN110047548A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201811590759.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种非易失性存储器装置及在其中执行擦除操作的方法。将擦除电压施加到选择的串组的沟道以仅擦除选择的串组。通过对单元串进行分组来减少擦除操作的单位容量，以减少用于存储元数据的备用块的大小和数量，从而减小非易失性存储器装置的大小。通过控制擦除一些单元串而不擦除其他单元串来延长非易失性存储器装置的寿命。在一些实施例中，用于擦除的单元串的控制包括允许一些控制线浮置。在一些实施例中，具有不同的阈值和适当施加的电压的地选择晶体管用于控制特定单元串的擦除。在一些实施例中，字线偏置被不同地施加到特定单元串的部分，以仅擦除特定单元串的部分。
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公开(公告)号：CN115881192A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210913374.7
申请日：2022-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括：字线，堆叠在衬底上；串选择线，在字线上，该串选择线在第一水平方向上彼此间隔开并在第二水平方向上延伸；以及存储单元阵列，包括存储块，每个存储块包括与字线和串选择线连接的存储单元。串选择线包括第一串选择线和比第一串选择线更远离字线切割区的第二串选择线，并且在对连接到所选字线和第一串选择线的第一存储单元执行的编程操作之前，执行对连接到所选字线和第二串选择线的第二存储单元执行的编程操作。
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公开(公告)号：CN114078531A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110898235.7
申请日：2021-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器件、存储器控制器及包括其的存储器系统。所述存储系统包括：第一存储器件，所述第一存储器件包括多个第一存储块，每个所述第一存储块包括在垂直于衬底的方向上堆叠的多个第一存储单元；以及存储器控制器，所述存储器控制器被配置为控制所述第一存储器件的存储操作。所述存储器控制器被配置为基于每个所述第一存储块中包括的第一未打开的(N/O)串的数目，为每个所述第一存储块选择和运行不同的控制方案中的相应控制方案。
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