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公开(公告)号：CN114743973A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110020461.5
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L23/64 , H01L49/02
Abstract: 本公开能够提供一种半导体电容器结构及其制造方法、存储器、电子设备。该半导体电容器结构包括：半导体基底、焊垫、阻挡层、下电极、下支撑件及上支撑件等。在半导体基底上形成有间隔分布的多个焊垫，阻挡层形成于半导体基底上，焊垫处于阻挡层中，下电极底部位于焊垫上。上支撑件设置于相邻的下电极的侧壁之间，上支撑件上具有形成于相邻的两个下电极之间的第一通孔。下支撑件设置于相邻的下电极的侧壁之间，下支撑件上具有形成于相邻的两个下电极之间的第二通孔，且第一通孔与第二通孔相对设置。本公开的半导体电容器结构稳定性更强，可提高电容器的高宽比，所以基于本公开制造的半导体电容器的容量大。本公开具有工艺简单、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN114743972A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110020454.5
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅接触薄膜的沉积方法。一种多晶硅接触薄膜的沉积方法，包括：提供一待沉积多晶硅接触薄膜的半导体结构；向所述半导体结构通入氢气进行烘烤，烘烤温度为400～600℃，压力为0.1～10torr；然后在所述半导体结构上沉积多晶硅薄膜。本发明能够高效率地清除衬底上氧化层杂质，避免氧化层杂质对多晶硅接触薄膜电阻的不利影响，实现良好的欧姆接触，提高电性能。
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公开(公告)号：CN114743868A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110028165.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/762 , H01L27/108 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种栅极侧墙结构、其制造方法及DRAM，属于半导体制造技术领域，用以解决现有工艺导致的栅极之间间距小，器件可靠性差的问题。栅极侧墙结构包括：半导体衬底；栅极，位于半导体衬底上；栅极侧墙，位于栅极的侧壁上；栅极侧墙的外侧面为凹向栅极侧壁方向的曲面。栅极侧墙的制造方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上形成栅极材料层，对栅极材料层进行刻蚀，形成晶体管的栅极；在半导体衬底和栅极上形成栅极侧墙材料层；在栅极侧墙材料层上形成氧化绝缘膜；对氧化绝缘膜及栅极侧墙进行第一次化学机械平坦化处理；对氧化绝缘膜及栅极侧墙进行第二次化学机械平坦化处理。本发明增大了栅极之间电压，改善了器件可靠性。
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公开(公告)号：CN114743853A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110018473.4
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法，涉及半导体加工技术领域，以提高半导体处理件的清洗效率。半导体处理腔室，用于对半导体处理件进行氢等离子体清洗处理。该半导体处理腔室包括腔室本体。腔室本体上设有与氢气发生器连通的窗口，腔室本体内设有加热组件。该半导体处理腔室还包括与加热组件通信连接的控制组件。控制组件用于在半导体处理件处于氢等离子体清洗阶段时，控制加热组件，使腔室本体内的温度达到预设温度，以减少半导体处理件的清洗时间。上述半导体处理设备包括上述半导体处理腔室。上述半导体处理方法应用于上述半导体处理腔室及上述半导体处理设备。
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公开(公告)号：CN114737255A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110019365.9
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法，在所述扩散炉连续对不同半导体器件进行氮化处理的过程中，在所述扩散炉内没有半导体器件的时间段内，进行以下步骤：升温过程：升高所述扩散炉内的温度至第一预设温度，所述第一预设温度高于氮化处理过程的最高温度；通入气体过程：在第一预设时间内向所述扩散炉内通入清除气体；在第二预设时间内向所述扩散炉内通入吹扫气体；降温过程：降低所述扩散炉内的温度至第二预设温度，所述第二预设温度低于氮化处理过程的最高温度。本发明有效去除石英表面附着的粉末或颗粒状的残留物，消除残留物掉落在晶片表面的现象，延长PM周期。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114695249A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011580002.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/8242
Abstract: 本发明涉及一种接触部、位线、存储节点和DRAM的制造方法。一种接触部的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；在所述介质层中形成穿过所述介质层并暴露出所述衬底的一部分的接触孔；在所述接触孔中沉积由Si或SiGe构成的籽晶层，然后沉积掺杂型多晶硅层，并在惰性气氛中进行退火处理以形成接触部。将该方法用于位线、存储节点和DRAM的制造中。本发明通过将硅单晶化有效降低了掺杂硅的电阻，从而广泛应用各类器件的制备中，尤其用于导线的制作中。
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公开(公告)号：CN114695214A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011625499.7
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种晶圆传送机械臂及其制造方法、晶圆的传送方法，涉及半导体技术领域，用于在传送晶圆的过程中，固定晶圆在晶圆传送机械臂上的位置，防止晶圆由晶圆传送机械臂上滑动或滑落的同时，可以加快晶圆的传送速度，提高半导体器件的制造效率。所述晶圆传送机械臂包括：承载部和静电吸附部。承载部用于承载晶圆。静电吸附部设置在承载部内。静电吸附部用于在晶圆传送机械臂传送过程中，固定晶圆在承载部上的位置。所述晶圆传送机械臂应用于半导体器件的制造。
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公开(公告)号：CN114695166A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011643761.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备，涉及等离子刻蚀技术领域，以保证检测装置和晶圆刻蚀设备的反应腔连接，防止由于不完全连接导致晶圆损伤的情况发生。所述检测装置应用于晶圆刻蚀设备，所述晶圆刻蚀设备的侧壁上开设有检测窗口，所述检测窗口内设置有透光检测窗。所述检测装置包括：光接收传送组件、位置检测组件、以及控制组件。所述检测方法包括上述技术方案所提的检测装置。本发明提供的检测装置用于提高晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN114695152A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011561555.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/62 , H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，提供半导体衬底，半导体衬底上形成有支撑层以及在支撑层内形成有电容柱；在支撑层的上方形成图案化的电极板，图案化的电极板包含完全包围电容柱的连接层，以及位于连接层上方的图案化的覆盖层，连接层的部分区域相对于图案化的覆盖层露出。通过在支撑层的上方形成图案化的电极板，而图案化的电极板包含完全包围电容柱的连接层，以及位于连接层上方的覆盖层，且连接层的部分区域相对于覆盖层露出。本发明实施例在降低了工艺难度的同时，仍然避免半导体器件的电容电极出现弯曲、裂纹或者抬升等现象，且可以应用于小尺寸器件的制备。
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公开(公告)号：CN114695075A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011643609.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制备方法，涉及半导体器件制备技术领域，以解决由于图案化的硬掩模的纵横比较大，在湿法清洗工艺中会发生塌陷或者倾斜的现象。半导体器件的制备方法包括：提供衬底。该衬底包括图案化的硬掩模层，图案化的硬掩模层包括多晶硅层或非晶硅层。使用第一工艺气体对图案化的硬掩模层进行等离子体处理，使得多晶硅层或非晶硅层的亲水性降低。对进行等离子体处理的图案化的硬掩模层进行湿法清洗，去除图案化的硬掩模层在图案化过程中形成的残留物。本发明提供的半导体器件的制备方法用于半导体器件。
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