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公开(公告)号：CN113517287B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202010276334.7
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种含电容孔的半导体结构，包括电容孔，所述电容孔的蚀刻终止层由至少两层氮化物膜组成；所述两层氮化物膜的密度不同；为使所述至少两层氮化物膜的密度不同，采用原位沉积方式。一种半导体结构的制备方法，包括下列步骤：在半导体衬底上沉积蚀刻终止层，再经过后续工艺形成电容孔；其中，所述沉积蚀刻终止层的方法为：在所述半导体衬底上沉积多层氮化物膜，所述多层氮化物膜依次上下层叠，并且所述多层氮化物膜所采用的沉积方法不同。本发明解决了现有技术因电容孔形貌不佳导致器件不良的问题。
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公开(公告)号：CN117012602A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210460331.8
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供的一种等离子发生装置、半导体器件清洗装置及原位清洁方法，涉及半导体技术领域，包括：等离子体产生室；微波施加装置，微波施加装置装配在等离子体产生室上；第一管线，第一管线与等离子体产生室连通，用于向等离子体产生室中通入反应气体；第二管线，第二管线与等离子体产生室连通，用于向等离子体产生室中通入含氟气体。在上述技术方案中，当该等离子体产生室内通入含氟气体以反应消除掉Si3N4膜层或者活性气体以后，此时该等离子体产生室内产生的等离子体便不会存在Si3N4膜层或者活性气体的颗粒，当将此时产生的等离子体通入随后的工艺室中，对其内部的晶圆进行清洗时，就可以避免现有技术中Si3N4膜层或者活性气体的颗粒对晶圆形成的污染。
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公开(公告)号：CN112018090A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010702164.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/64 , H01L27/108 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及一种电容结构及其制备方法和半导体器件。一种电容结构，包括上电极层；所述上电极层覆盖于保护膜之上，所述保护膜为等离子体氧化层和等离子体氮化层中的至少一种。本发明电容结构增加了保护膜，能防止加工过程中对电介质层等下层膜的损伤，从而避免了电流泄露，提高了电容量。
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公开(公告)号：CN114824082A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110120159.7
申请日：2021-01-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底上的多个筒状电容；所述筒状电容包括下电极，其中，所述下电极包括第一下电极、第二下电极和第三下电极；所述第一下电极与第三下电极围成具有一端开口的第一筒状结构；所述第二下电极与第三下电极围成具有一端开口的第二筒状结构；所述第一筒状结构与第二筒状结构构成为横向截面为“8”字形结构；覆盖所述下电极的介质层，以及覆盖所述介质层的上电极，本发明了提高了电容结构的电容量。
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公开(公告)号：CN114657540A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011551936.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种在衬底表面形成膜的方法，包括以下步骤：将前驱体气化成前驱体蒸气；在前驱体蒸气输送至沉积腔室内的过程中，通过先压缩再膨胀提高前驱体蒸气的供气流量，以在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。提高了前驱体蒸气的供气流量，这样可以将前驱体蒸气输送到衬底中心以及沉积腔室的顶部区域，避免衬底中心前驱体蒸气供应不足，从而在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。
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公开(公告)号：CN112077084A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010691355.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明属于除尘设备技术领域，具体涉及一种除尘管道及具有该除尘管道的扩散设备。本实施方式中的除尘管道包括管体和至少一个吹气单元，管体的内部设有用于排气气流流动的管腔，吹气单元用于与气源相连通，吹气单元上的至少部分结构设于管腔内，吹气单元设于管腔内的至少部分结构上设有至少一个吹气孔。根据本申请中的除尘管道，将吹气单元与气源相连通，通过吹气孔向管体的管腔内通入除尘气流，除尘气流冲击附着在管体的内壁上的灰尘杂质并使灰尘杂质脱落，最终将管腔内的灰尘杂质随排气气流一同排出管腔，保证管腔的内部的排气气流的通畅，减少或避免管腔内部堵塞现象的发生，提高设备运行的可靠性。
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公开(公告)号：CN111900150A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010604961.9
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及电容及其制备方法、应用。电容中SiGe膜的沉积方法，包括：先向半导体基底上供应硅烷系气体，再供应SiGe膜所需的前驱体气体，进行沉积。本发明可以避免SiGe晶体应力对下层膜的损伤，减少电流泄露，提高电容量和器件运行速度。
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公开(公告)号：CN111900075A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010575071.X
申请日：2020-06-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅膜及其沉积方法、半导体器件。一种氮化硅膜的沉积方法，包括：采用原子层沉积法，以氨气为反应气体，与气相硅源反应以在载体上沉积氮化硅膜；其中，在每个沉积循环中，在供应气相硅源之后和供应氨气之前进行以下工序：先进行1秒以上的吹扫，然后降低反应室内气压；并且所述沉积的反应温度为630℃以上。本发明通过加强吹扫、抽真空以及提高温度的操作提高氮化硅膜Si3N4的强度，从而解决后续氧化或蚀刻工艺对氮化硅膜的损伤问题。
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公开(公告)号：CN111575799A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010276309.9
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明属于晶圆加工设备技术领域，具体涉及一种气流扩散装置及扩散炉。所述气流扩散装置包括外壳，设于所述外壳的内部的内管，所述内管包括处于不同竖直高度的第一端和第二端，且所述第一端高于所述第二端设置；设于所述第一端的盖体，所述盖体与所述内管相连或所述盖体为所述内管的一部分，所述盖体上设有气流过孔。
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公开(公告)号：CN114743972A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110020454.5
申请日：2021-01-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅接触薄膜的沉积方法。一种多晶硅接触薄膜的沉积方法，包括：提供一待沉积多晶硅接触薄膜的半导体结构；向所述半导体结构通入氢气进行烘烤，烘烤温度为400～600℃，压力为0.1～10torr；然后在所述半导体结构上沉积多晶硅薄膜。本发明能够高效率地清除衬底上氧化层杂质，避免氧化层杂质对多晶硅接触薄膜电阻的不利影响，实现良好的欧姆接触，提高电性能。
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