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公开(公告)号：CN115122230B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110266654.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种抛光头、抛光装置和抛光方法，其中，抛光头包括：活动杆和压盘；所述活动杆与所述压盘固定连接，所述压盘用于将晶圆装载在所述压盘远离活动杆的一侧；所述压盘的内部设置有振动监测传感器，所述振动监测传感器用于监测晶圆在抛光过程中的振动情况，以获得振动信号；抛光头用于根据所述振动信号，调整对晶圆施加的压力大小。本发明能够精准的控制抛光头对晶圆施加压力的大小。
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公开(公告)号：CN114659456B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011547992.1
申请日：2020-12-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种软刷辊轴间距检测装置、调整系统及方法，属于半导体制造工艺技术领域，解决了现有技术中对辊轴软刷距离的调整需要通过人工完成，耗费人工，人均生产效率低；软刷辊轴间距调整不及时造成刷洗效果降低，颗粒残留；个人操作不当带来软刷辊轴间距调整不准确，软刷辊对晶圆受力异常而导致晶圆弯曲变形和破损的问题。本发明的软刷辊轴间距检测装置，包括：探测器，所述探测器与晶圆中心的连线位于晶圆径向上，探测器与晶圆中心的连线与一对软刷辊轴所在的平面的夹角为60‑90度；所述探测器对软刷辊轴间距进行测量。实现了半导体生产工艺中刷洗模块的软刷滚轴间距的自调整。
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公开(公告)号：CN117558706A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210946601.6
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/764 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中电容器金属配线之间的寄生电容大的问题。包括衬底；间隔形成在衬底的上方的至少两条导电配线；每条导电配线包括上配线段，同一上配线段的底端与顶端的面积不同；上介质层，上介质层覆盖衬底上方以及每条上配线段的表面，位于衬底上方的上介质层与相邻两条导电配线上的上介质层围成密闭气隙。半导体器件的制作方法包括上述技术方案所提的半导体器件。本发明提供的半导体器件用于降低电容器金属配线之间的寄生电容。
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公开(公告)号：CN116652816A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210146241.1
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种研磨装置、抛光设备和抛光方法，涉及半导体技术领域，以解决对晶圆的正面和背面同时进行抛光表面处理效率低的问题。所述研磨装置包括：外部磨头和内部磨头。当研磨装置处于组装状态时，外部磨头套设在内部磨头上。本发明提供的一种研磨装置、抛光设备和抛光方法用于半导体器件、半导体芯片制造。
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公开(公告)号：CN114308798B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202011081313.6
申请日：2020-10-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种清洗组件，该清洗组件包括旋转支撑组件、设置在晶圆一侧的清洗装置。清洗装置包括第一喷头组件、第二喷头组件及超声波振动装置，第一喷头组件位于晶圆一侧且向晶圆表面喷淋清洗液；第二喷头组件与第一喷头组件位于晶圆的相同侧，第二喷头组件位于第一喷头组件的下方，第二喷头组件向晶圆表面喷淋清洗气体；超声波振动装置设置在第一喷头组件及第二喷头组件之间。第二喷头组件喷淋出的清洗气体能够阻挡从第一喷头组件喷淋到晶圆表面的清洗液向下流动，以在超声波振动装置及晶圆表面之间形成超声波振动装置向晶圆表面发射超声波的媒介。使清洗装置与晶圆表面没有物理上的接触，从而减少对晶圆表面的划伤，减少晶圆表面的划痕。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115122230A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110266654.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种抛光头、抛光装置和抛光方法，其中，抛光头包括：活动杆和压盘；所述活动杆与所述压盘固定连接，所述压盘用于将晶圆装载在所述压盘远离活动杆的一侧；所述压盘的内部设置有振动监测传感器，所述振动监测传感器用于监测晶圆在抛光过程中的振动情况，以获得振动信号；抛光头用于根据所述振动信号，调整对晶圆施加的压力大小。本发明能够精准的控制抛光头对晶圆施加压力的大小。
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公开(公告)号：CN114975234A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110207616.6
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：提供一基底；在基底上形成沟槽图案，该沟槽图案包含多个间隔分布的沟槽；在沟槽图案中填满金属材料，并在基底表面形成金属材料层；采用化学机械研磨工艺去除位于所述沟槽图案外的所述金属材料层，以在所述沟槽图案中形成第一金属结构图案，且在化学机械研磨工艺中，研磨剂中磨料的粒径均为固定大小的设定粒径。通过选用研磨剂中磨料的粒径均为固定大小的设定粒径，以改善基底表面的均匀度，防止位于沟槽图案之间的基底表面被损伤。同时改善第一金属结构图案表面的均匀度，减小半导体器件中电特性不良缺陷，提高半导体器件的良率。
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公开(公告)号：CN114734370A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011541414.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种抛光头和化学机械抛光设备，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中化学机械抛光存在凹陷和/或侵蚀导致晶圆良率较低的问题。本发明的抛光头包括供电单元和抛光膜，该抛光膜的工作面设有导电层，供电单元与导电层连接，构成电流通路。本发明的化学机械抛光设备包括上述抛光头。本发明的抛光头和化学机械抛光设备可用于晶圆的化学机械抛光。
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公开(公告)号：CN114656609A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011555083.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种研磨垫材料，包括：以异氰酸酯、多元醇为原料制备的具有多种化学链长度的聚酯，其中所述多元醇至少部分为以具有电特性的功能材料为原料制备的多元醇。还提供一种研磨垫，包括：研磨层，采用研磨垫材料制成，所述研磨垫材料以异氰酸酯、多元醇为原料制备的具有多种化学链长度的聚酯，其中所述多元醇至少部分为以具有电特性的功能材料为原料制备的多元醇。本发明提供的技术方案能够使研磨垫具有任意电特性，从而能够适应多种材料膜层的研磨。
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公开(公告)号：CN114653706A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011555124.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种半导体单片式清洗装置，包括：清洗腔体，用于形成清洗液对硅片进行清洗的空间；排放管道，与所述清洗腔体的出口连通，所述排放管道上设置有阀门；溢流管道，连通在所述清洗腔体的出口与所述阀门之间的排放管道上的第一位置；浓度计，设置在所述阀门与所述第一位置之间的排放管道上；所述浓度计用于测量所述排放管道中的液体浓度；液位计，设置在所述第一位置与所述阀门之间的排放管道上，用于测量液位并依据所述液位控制浓度计打开或关闭。本发明通过测量排放管道中的清洗液浓度，能够快速的确定半导体器件的清洗效果。
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