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公开(公告)号：CN114551202B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202011338932.9
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种静电卡盘、处理腔室及半导体处理设备，涉及半导体技术领域，用于在等离子体刻蚀或沉积工艺中，维持晶圆对等离子体反应的恒定温度，提升晶圆的良率。所述静电卡盘包括：静电卡盘本体、静电吸附部和冷却激光器。静电卡盘本体具有容纳腔。静电吸附部位于静电卡盘本体靠近晶圆的表面上，用于固定晶圆。冷却激光器设置在容纳腔内，用于向静电吸附部发射冷却激光，以冷却固定在静电吸附部上的晶圆。所述静电卡盘可以用于半导体处理设备中。
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公开(公告)号：CN114695166A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011643761.0
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备，涉及等离子刻蚀技术领域，以保证检测装置和晶圆刻蚀设备的反应腔连接，防止由于不完全连接导致晶圆损伤的情况发生。所述检测装置应用于晶圆刻蚀设备，所述晶圆刻蚀设备的侧壁上开设有检测窗口，所述检测窗口内设置有透光检测窗。所述检测装置包括：光接收传送组件、位置检测组件、以及控制组件。所述检测方法包括上述技术方案所提的检测装置。本发明提供的检测装置用于提高晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN114520178A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011293552.8
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中边缘环的维修和养护的操作复杂、耗时长的问题。本发明的边缘环组件，包括多个沿轴向堆叠的边缘环、驱动边缘环沿轴向运动的升降组件以及用于移动顶部的边缘环的机械手。本发明的边缘环更换方法为开启升降组件，升降组件驱动多个边缘环向上运动，顶部的边缘环移出晶圆制造区域，机械手将顶部的边缘环移至反应室外，位于顶部的边缘环下方且与顶部边缘环相邻的边缘环进入晶圆制造区域，作为新的边缘环，从而完成边缘环的更换。本发明的边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘可用于晶圆制造。
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公开(公告)号：CN114496868A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011254619.7
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种晶圆传送机械臂夹、半导体加工设备和晶圆传送方法，属于半导体输送设备技术领域，解决了现有技术中半导体制造设备的传送设备在晶圆传送过程中的晶圆歪斜问题以及因此造成晶圆破损和后续工艺质量下滑的问题。本发明公开了一种晶圆传送机械臂夹，包括单组或多组夹爪，机械臂夹以夹取的方式实现晶圆的拾取和放置；夹爪包括固定部分和可移动部分；可移动部分与固定部分通过导向装置和防脱落装置连接，导向装置对可移动部分的移动方向和轨迹起导向作用，防脱落装置用于防止可移动部分沿导向装置移动后脱离固定部分。本发明实现了半导体制造设备中传输设备机械手夹取晶圆歪斜的自调整。
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公开(公告)号：CN114551202A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011338932.9
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种静电卡盘、处理腔室及半导体处理设备，涉及半导体技术领域，用于在等离子体刻蚀或沉积工艺中，维持晶圆对等离子体反应的恒定温度，提升晶圆的良率。所述静电卡盘包括：静电卡盘本体、静电吸附部和冷却激光器。静电卡盘本体具有容纳腔。静电吸附部位于静电卡盘本体靠近晶圆的表面上，用于固定晶圆。冷却激光器设置在容纳腔内，用于向静电吸附部发射冷却激光，以冷却固定在静电吸附部上的晶圆。所述静电卡盘可以用于半导体处理设备中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114521031A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011299218.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种加热片及其制造方法、加热带及半导体制造设备，涉及半导体设备技术领域，以解决加热带中加热线偏移预设位置造成的短路以及发热不均匀的问题。所述加热片包括：第一绝缘薄膜、沉积形成在第一绝缘薄膜上的电热线结构以及第二绝缘薄膜；第二绝缘薄膜形成在第一绝缘薄膜上，用于至少将电热线结构中的间隙进行填充。
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公开(公告)号：CN114520137B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202011296811.2
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置及方法，属于半导体制造设备领域，解决了现有技术中现有半导体生产设备中，在刻蚀工艺微颗粒附着在静电卡盘表面，进而造成产品良品率下滑，预防性检修增多，停机时间增加，生产效率下滑的问题。本发明公开了一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置，包括：气体供应装置、调节阀门、主供气管、支供气管和喷嘴组成；支供气管沿刻蚀腔内壁设置，连接主供气管和喷嘴；喷嘴的设置位置高于静电卡盘上表面；调节阀门用于调节气体的流量；气体供应装置供应吹扫气体。本发明的装置及方法实现了半导体制造设备中刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的自动、有效去除。
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公开(公告)号：CN111430281B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010450153.1
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口；第一吸附过滤单元，设置于出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接两个子过滤单元的马达，两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整一个以上的排气口大小，一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定，进而通过调整两个子过滤单元之间的距离，以实现对排气口大小的调整，进而针对不同工艺类型中副产物量的不同来适应性调整该排气口大小，以提高反应腔室内对副产物的过滤效果，并兼顾抽气效率。
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公开(公告)号：CN114520137A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011296811.2
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置及方法，属于半导体制造设备领域，解决了现有技术中现有半导体生产设备中，在刻蚀工艺微颗粒附着在静电卡盘表面，进而造成产品良品率下滑，预防性检修增多，停机时间增加，生产效率下滑的问题。本发明公开了一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置，包括：气体供应装置、调节阀门、主供气管、支供气管和喷嘴组成；支供气管沿刻蚀腔内壁设置，连接主供气管和喷嘴；喷嘴的设置位置高于静电卡盘上表面；调节阀门用于调节气体的流量；气体供应装置供应吹扫气体。本发明的装置及方法实现了半导体制造设备中刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的自动、有效去除。
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公开(公告)号：CN111584405A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010450136.8
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口，该出气口与抽气单元连接；第一吸附过滤单元，设置于所述出气口处，用于在该抽气单元抽气时，对抽气气流中携带的副产物进行吸附，以减少副产物在抽气单元上的沉积，如果将过滤板装设于与反应腔室连接的管道上或其他部位，使得维护效率较低，进而在该反应腔室的出气口设置该第一吸附过滤单元，不需要额外维护管道或者其他部位，进而提高了维护效率，同时也有效降低副产物的输出，使得反应腔室出气口连接的抽气单元上沉积的副产物量也减少，避免对抽气单元的损坏，延长抽气单元的寿命。
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