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公开(公告)号：CN115050403B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202110255576.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G11C11/4074
Abstract: 本发明公开了一种电源控制装置及其控制方法，包括：第一延时模块、第二延时模块、与非门、第一非门至第三非门、输入端和输出端；输入端通过第一非门与第一延时模块的输入和第二延时模块的输入电连接；第一延时模块的输出与与非门的一个输入电连接，第二延时模块的输出通过第二非门与与非门的另一个输入电连接；与非门的输出通过第三非门与输出端电连接；输入端用于与存储器的刷新控制端电连接，输出端用于与存储器的电源装置电连接，以控制电源装置的启动与关闭。在刷新控制端与电源装置之间通过增设电源控制装置，以在自刷新动作周期内，只有一部分时间内电源装置提供电源，在实际不执行自刷新动作的另一部分时间内电源装置关闭，减少电流消耗。
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公开(公告)号：CN114517292B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202011299798.6
申请日：2020-11-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/458
Abstract: 本发明实施例公开了一种晶圆托盘结构及设备，其中晶圆托盘结构包括：托盘底和环状结构，盘壁为环状结构，环状结构设置在托盘底的边缘，可对晶圆进行限位；其中，环状结构上环绕设置有弧形凸起；当晶圆放置在托盘底时，弧形凸起的高度大于或等于晶圆的边缘高度，可在CVD工艺过程中防止晶圆边部的离子反射，有效的降低了离子浓度，保证了晶圆边缘部分和中心部分的离子浓度均匀性。
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公开(公告)号：CN114672775B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202011553419.1
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种溅射装置以及晶圆镀膜方法，该溅射装置包括反应单元，反应单元包括反应室、置物架和加热件，反应室内设有多种靶材，多种靶材沿反应室的周向间隔设置，置物架上设有至少一个用于放置晶圆的承托位，置物架能够在反应室内转动，以驱使承托位与多种靶材中的任一种对应设置，加热件的数量与承托位的数量一致，加热件与承托位对应设置。在一个反应室内设置多种靶材，以及通过置物架的转动实现晶圆与不同靶材对应设置，实现了晶圆在一个反应室内能够进行多工艺镀膜，提高了生产的效率，另外，减少了反应室的数量，使得溅射装置的制造成本得到降低，此外，无需晶圆频繁离开反应室，避免了环境对晶圆制造过程中产生不良影响。
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公开(公告)号：CN114200370B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010988039.4
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开一种测试设备及集成电路测试方法，涉及集成电路测试领域，以解决如何简单方便的制造集校准及测试功能为一体的测试设备。所述一种测试芯片包括：测试机以及与所述测试机电连接的系统校准探卡；所述测试机用于向所述系统校准探卡提供测试信息；所述系统校准探卡用于将所述测试信息序列发送至测试件，以及接收所述测试件根据所述测试信息发送的反馈信息，向所述测试机发送反馈信息；所述测试机还用于根据所述测试信息与所述反馈信息确定测试机的校准值。所述集成电路测试方法包括上述技术方案所提的。本发明提供的一种测试设备和集成电路的测试方法用于制造更加简单方便的集校准及测试功能为一体的测试设备。
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公开(公告)号：CN114857600B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202110155742.1
申请日：2021-02-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体真空配管和清洁方法及半导体制造设备，属于半导体技术领域，解决了现有技术中真空配管内的粉末无法充分去除的问题。本发明半导体真空配管包括真空配管本体和等离子体处理模块；所述真空配管本体的一端与工艺腔室连接，另一端与真空泵连接；所述等离子体处理模块固定设置在真空配管本体气体通道内，用于产生等离子体，对真空配管本体气体通道内中存在的粉末或尾气进行燃烧去除。本发明适用于真空配管内粉末的清除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551202B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202011338932.9
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种静电卡盘、处理腔室及半导体处理设备，涉及半导体技术领域，用于在等离子体刻蚀或沉积工艺中，维持晶圆对等离子体反应的恒定温度，提升晶圆的良率。所述静电卡盘包括：静电卡盘本体、静电吸附部和冷却激光器。静电卡盘本体具有容纳腔。静电吸附部位于静电卡盘本体靠近晶圆的表面上，用于固定晶圆。冷却激光器设置在容纳腔内，用于向静电吸附部发射冷却激光，以冷却固定在静电吸附部上的晶圆。所述静电卡盘可以用于半导体处理设备中。
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公开(公告)号：CN114765049B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202110050366.X
申请日：2021-01-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种动态随机存储器的芯片测试方法及装置。所述方法包括：对极板节点施加初始化电压并对选中的一列位线预充电；打开选中的字线对目标单元写“1”，在对目标单元写“1”的过程中对极板节点施加大于初始化电压的第一电压；在目标单元写“1”之后，关闭字线，对极板节点施加小于初始化电压的第二电压；等待设定时间之后，读取目标单元；根据读取结果判断目标单元是否正常。本发明能够检测出极板节点噪声电压造成的不良单元。
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公开(公告)号：CN114199193B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202010987012.3
申请日：2020-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: G01C9/00 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及一种倾斜检测装置、方法和机械臂系统，属于测量技术领域，解决了现有在晶圆持续性的移动时，发现承载结构问题的时机点通常都是在晶圆损坏以及刮伤或工艺不良(边缘低良率)发生后的问题。倾斜检测装置包括：待测对象，放置在机械臂承载结构上；激光光纤传感器，包括第一激光光纤传感器和第二激光光纤传感器，以中心对称的方式分别设置在机械臂承载结构和机械臂臂部之间的阻挡件的两端处，其中，用于在待测对象移动过程中，以平行方式朝向待测对象分别发射激光束并相应地接收从待测对象反射的反射光，以根据反射光判断待测对象是否倾斜。能够检测倾斜，以避免由于倾斜造成的晶圆刮伤和损坏，提升了良率。
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公开(公告)号：CN114613655B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202011395576.4
申请日：2020-12-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种旋转喷洒装置、半导体反应腔室及蚀刻机，涉及半导体制造技术领域，用于解决晶圆中各区域刻蚀一致性差的问题。旋转喷洒装置包括：喷注器及与喷注器驱动连接的喷注器旋转驱动装置；所述喷注器的工作侧用于喷注等离子气体；所述喷注器旋转驱动装置驱动所述喷注器旋转，所述喷注器旋转过程中喷注等离子气体。本发明提供的技术方案能够提高晶圆良率。
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公开(公告)号：CN114381715B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202011124194.8
申请日：2020-10-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种喷头、半导体设备以及镀膜方法，其中，该喷头应用于半导体设备中对目标对象进行镀膜。该喷头包括：喷头主体，以及层叠设置的第一挡板和第二挡板，第一挡板上分布有第一通孔，第二挡板上分布有第二通孔，且第二挡板能够相对于第一挡板旋转，以调节喷头目标区域内由第一通孔与第二通孔构成的喷射孔的尺寸大小，能够实现多种不同形态的膜层厚度分布。
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