公开(公告)号：CN115083943A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202110267663.X

申请日：2021-03-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 李焕珪 ,  金宗范 ,  李俊杰 ,  李琳 ,  王佳 ,  周娜

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开一种半导体处理系统，涉及半导体加工技术领域，用于使处理前的晶圆与处理后的晶圆处在不同的空间，并清除处理前的晶圆及处理后的晶圆的表面的残留气体。该半导体处理系统包括：控制器及与控制器通信的处理腔室、真空传输腔室、设备前端模块、位于设备前端模块内的第一缓冲腔室及第二缓冲腔室。第一缓冲腔室及第二缓冲腔室均与处理腔室连通。控制器用于控制设备前端模块对晶圆进行上下料，控制处理腔室对晶圆进行处理。控制器还用于在晶圆进入处理腔室之前，控制第一缓冲腔室对晶圆进行清洁，在晶圆离开处理腔室之后，控制第二缓冲腔室对晶圆进行清洁。

公开(公告)号：CN115036224A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202110255117.4

申请日：2021-03-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 金宗范 ,  李焕珪 ,  周娜 ,  李俊杰 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种半导体器件制造方法，涉及半导体制造技术领域，用于解决压焊点中残留的氟离子造成的压焊点腐蚀的问题。所述半导体器件制造方法包括：提供一基底，基底包括衬底以及形成在衬底上的铝导电结构。形成覆盖铝导电结构以及衬底的钝化层。利用含氟的反应气体至少对钝化层进行图案化处理，得到多个压焊点。在同一处理腔室内，对多个压焊点进行原位后处理，以去除残留在多个压焊点上的氟离子。在多个压焊点上形成多个导电连接结构。

公开(公告)号：CN114823295A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110113662.X

申请日：2021-01-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 黄元泰 ,  李焕珪 ,  李俊杰 ,  周娜 ,  李琳 ,  王佳

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体器件技术领域，用于使得目标掩膜图案的尺寸满足刻蚀要求，确保在目标刻蚀结构上形成的图案轮廓与刻蚀要求的轮廓相一致，提高半导体器件的良率。所述半导体器件的制造方法包括：提供一基底。基底具有目标刻蚀结构、以及形成在目标刻蚀结构上的第一掩膜图案。第一掩膜图案包括至少两个芯轴、以及位于相邻两个芯轴之间的芯轴槽。形成覆盖目标刻蚀结构和第一掩膜图案的二氧化钛侧墙层。二氧化钛侧墙层位于芯轴槽内的部分围成间隙。在间隙内形成有机填充层。去除二氧化钛侧墙层位于芯轴的顶部和侧壁上的部分，以形成目标掩膜图案。并在目标掩膜图案的掩膜下，刻蚀目标刻蚀结构。

公开(公告)号：CN114743853A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202110018473.4

申请日：2021-01-07

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 李焕珪 ,  周娜 ,  李俊杰 ,  李琳 ,  王佳

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B7/00 ,  B08B13/00

Abstract: 本发明公开一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法，涉及半导体加工技术领域，以提高半导体处理件的清洗效率。半导体处理腔室，用于对半导体处理件进行氢等离子体清洗处理。该半导体处理腔室包括腔室本体。腔室本体上设有与氢气发生器连通的窗口，腔室本体内设有加热组件。该半导体处理腔室还包括与加热组件通信连接的控制组件。控制组件用于在半导体处理件处于氢等离子体清洗阶段时，控制加热组件，使腔室本体内的温度达到预设温度，以减少半导体处理件的清洗时间。上述半导体处理设备包括上述半导体处理腔室。上述半导体处理方法应用于上述半导体处理腔室及上述半导体处理设备。

公开(公告)号：CN114203575A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202010986880.X

申请日：2020-09-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 李焕珪 ,  周娜 ,  王佳 ,  李俊杰

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种晶圆偏移检测装置、方法和刻蚀系统，属于半导体技术领域，解决了现有检测装置无法自动补正晶圆偏移的问题。检测装置包括：主控制系统计算机，用于在刻蚀工艺过程中，从数码相机实时接收晶圆图像；将基准图像与当前图像进行比较并根据比较结果判断晶圆是否错位；以及当晶圆错位时，根据比较结果获得偏差数据，其中，偏差数据包括基准图像中的第一晶圆位置与当前图像中的第二晶圆位置之间的偏差大小和与偏差相对应的偏差方向；以及晶圆调整部件，从主控制系统计算机接收偏差数据，并根据偏差数据自动调整晶圆，以使错位晶圆再次对准。根据偏差数据自动调整晶圆，以使晶圆再次对准而无需停止工艺。