公开(公告)号：CN109442707A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811285691.9

申请日：2018-10-31

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曹俊 ,  江伟 ,  何昌

IPC: F24F11/89 ,  H05K7/20 ,  B23P15/26

Abstract: 本发明涉及空调控制器散热技术领域，具体涉及到一种空调控制器的散热器、空调及其散热器的制作方法。所述空调上设有相对的进风口与出风口，所述散热器设置于进风口与出风口之间，所述散热器包括基座、若干翅片，所述若干翅片固定于基座上且相邻翅片间隔形成散热风道，所述散热风道的通风方向与进风口的进风方向形成倾角。本发明的空调控制器的散热器上设有多个的散热翅片并形成多个散热风道，散热风道的通风方向与进风口的进风方向形成倾角，该种倾斜角度的做法不仅能够增大散热器翅片面积，还能够将翅片处的空气流动由层流改变为紊流，加快空气与翅片撞击速率以加速散热，延长空调控制器的使用时间，本发明提供的制作方法工艺合理，便于加工。

公开(公告)号：CN112786460B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201911090219.4

申请日：2019-11-08

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  廖童佳 ,  王华辉

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明涉及一种芯片的封装方法及芯片封装模块。该芯片的封装方法包括以下步骤：提供第一芯片，所述第一芯片的表面设有至少一个电极；在所述第一芯片的正面形成胶膜，且在所述电极对应的所述胶膜上开设有电极开口，以在所述电极开口处形成电极槽；在其中至少一个所述电极槽内装设第二芯片，并在所述第一芯片和所述第二芯片之间形成中间电极；在所述第一芯片的背面和侧面形成密封层。利用该封装方法能够解决现有技术中多芯片封装时封装壳体的封装面积较大，且不同芯片依靠导线连接时芯片杂散电感大的问题，达到减小封装体积和降低杂散电感的目的。

公开(公告)号：CN112447532B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201910820781.1

申请日：2019-08-29

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 江伟 ,  史波 ,  敖利波 ,  王华辉 ,  陈治中 ,  廖童佳

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种封装方法，该方法在对晶圆进行切割前，在晶圆的第一表面和第二表面形成第一保护层，由于晶圆受到第一保护层的保护，在对晶圆切割时不会出现晶圆碎裂和晶圆级芯片损伤的情况，切割得到晶圆级芯片后，再对晶圆级芯片进行侧面封装时，不需要再对晶圆级芯片进行机加工，不会损伤晶圆级芯片。

公开(公告)号：CN111106043B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911337436.9

申请日：2019-12-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 曾丹 ,  史波 ,  肖婷 ,  马颖江 ,  敖利波

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括第一导电类型衬底、设置于所述衬底内的呈网格状分布的第一沟槽栅，以及位于由所述第一沟槽栅围合的每个网格单元格内的岛状第二沟槽栅、位于所述衬底内并位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅之间的第二导电类型阱区、位于所述阱区内的第一导电类型第一源区、第一导电类型第二源区和第二导电类型第三源区，以及位于所述衬底上方并同时与所述第一源区、所述第二源区、所述第三源区和所述第二沟槽栅形成电连接的发射极金属层。在不改变器件内部的电场线分布的情况下，增大有效沟槽栅之间的间距来降低电流密度，提高器件的抗短路能力，同时又能改善器件内部电场，提高器件耐压能力。

公开(公告)号：CN111162057B

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202010008279.3

申请日：2020-01-06

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 马浩华 ,  史波 ,  曹俊 ,  敖利波

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/34 ,  H01L23/367 ,  H01L23/15 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明涉及一种半导体功率器件及用于半导体功率器件的功率处理组件，其中功率处理组件包括绝缘基板；设置在绝缘基板上的多个芯片；温度传感器，其包括完整地设于绝缘基板内并位于选定的芯片下方的传感器本体，以及与传感器本体相连并从绝缘基板上穿出的电连接件。该功率处理组件可以在降低短路电弧击穿损坏温度传感器的风险的同时，解决温度传感器的温度检测结果与选定芯片的实际工作温度之间误差较大的问题，有利于对芯片的工作温度进行精准控制。

公开(公告)号：CN111029265B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201911362878.9

申请日：2019-12-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 徐伟坤 ,  敖利波 ,  曹俊 ,  史波

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种防止QFN模封框架翘曲的塑封模具，塑封模具内设有与模封框架对应布置的用于塑封灌注的空腔，空腔内沿模封框架长度方向的两侧部高度低于中间部分的高度。塑封模具上设有与空腔连接的注入口。本发明还提供一种防止QFN模封框架翘曲的塑封方法，包括S10：将芯片搭载在模封框架上。S20：将已搭载芯片的模封框架固定在上述所述的任一项塑封模具内。S30：通过注入口进行塑封灌注。S40：对经过S30处理的整块塑封料进行磨平。S50：根据芯片的位置和形状进行完全切割。本发明提供的防止QFN模封框架翘曲的塑封模具及方法，可以使模封框架所受应力均匀，不发生翘曲，从而有效提高QFN芯片封装出产率。

公开(公告)号：CN110610934B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201910877562.7

申请日：2019-09-17

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 杨发森 ,  史波 ,  肖婷 ,  郭依腾 ,  敖利波

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L23/495 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件、其封装结构及其制作方法和封装方法。该功率半导体器件包括元胞区和终端区，元胞区包括多个元胞，各元胞包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极位于衬底的相对的两侧，在垂直于衬底的方向上，第一电极远离衬底的一侧表面与第二电极远离衬底的一侧表面的距离为H1，终端区中与衬底距离最大的一点与第二电极远离衬底的一侧表面的距离为H2，H1大于H2。在采用上述功率半导体器件的封装工艺中，由于器件中的元胞区与终端区之间具有高度差，从而在采用键合部实现发射极和集电极连接时，能够保证键合部与终端区之间具有一定的安全距离，避免了键合部与终端区接触而形成短路，提高了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN113437038A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202010209711.5

申请日：2020-03-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 敖利波 ,  史波 ,  曾丹 ,  曹俊 ,  江伟

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  B29C45/14 ,  B29C45/26 ,  B29L31/34

Abstract: 本发明涉及一种针脚、功率器件、功率器件的制造方法和封装模具。其中，针脚包括顺序排列的第一节、第二节和第三节，其中第二节由旋转体构成，旋转体的旋转曲面上的点到旋转体的旋转轴的距离在轴向方向上递增或递减，第一节由第一柱状体构成，第一柱状体的底面与第二节的面积小的底面相连，且第一柱状体的横截面积小于或等于旋转体的面积小的底面的面积。针脚在处于中间部位的第二节构造成旋转体，使得针脚可以通过该旋转体与封装模具的避让孔的内表面进行密封接触，在这种情况下即使已有的圆形避让孔的实际尺寸大于设计尺寸，该针脚也可以防止塑封材料在功率器件的封装过程中通过避让孔从封装模具中溢出。

公开(公告)号：CN113140612A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010055038.4

申请日：2020-01-17

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构及其制备方法，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。

公开(公告)号：CN112768516A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911002053.6

申请日：2019-10-21

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 肖婷 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  曹俊

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的终端结构及其制造方法，一种半导体器件的终端结构，包括：半导体衬底层、沟槽和离子掺杂层；多个沟槽沿预设方向开设在所述半导体衬底层上表面，多个所述沟槽的尺寸沿所述预设方向逐渐增大；离子掺杂层通过离子注入在所述半导体衬底层形成，所述离子掺杂层包围所述沟槽。本发明在沟槽刻蚀阶段对沟槽结构进行改进，通过沟槽刻蚀尺寸来影响刻蚀深度情况，实现终端结构的变掺杂，无需对终端离子注入工艺进行调整，避免了离子断开，不能实现渐变，引起器件漏电的问题。