公开(公告)号：CN114678418A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202011553547.6

申请日：2020-12-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 郭依腾 ,  史波 ,  肖婷

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 涉及半导体器件结构技术领域，本申请公开一种功率半导体、制备方法及其应用。依次包括衬底、掺杂层及隔离层，掺杂层向衬底方向开设有多个第一沟槽，相邻两个第一沟槽之间开设有第二沟槽，所述第二沟槽由所述掺杂层顶部向所述掺杂层底部延伸，第二沟槽底部与掺杂层底部平齐，第一沟槽内包含有填充物，填充物与第一沟槽顶部平齐，第二沟槽内填充成型有第一类型杂质离子。相比现有技术，能够通过在第二沟槽中填充第一类型杂质离子有效改善沟槽结构，减小工艺制作难度，操作简单、开启电压低、能够有效提高对P‑well能力的性能的改善。

公开(公告)号：CN112582386B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910925754.0

申请日：2019-09-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 廖勇波 ,  史波 ,  童圣双 ,  曾丹 ,  江伟

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制备方法、电器设备，该功率模块包括：DBC基板，所述DBC基板包括绝缘陶瓷层以及分别固定在所述绝缘陶瓷层相对两侧的电路层及散热层；设置在所述电路层上的至少一个第一芯片及至少一个第二芯片，且每个第一芯片与所述电路层电连接；镶嵌在所述绝缘陶瓷层并与所述电路层同层设置的印刷电路板；其中，所述印刷电路板与所述至少一个第一芯片电连接，且所述印刷电路板环绕所述至少一个第二芯片并与每个第二芯片电连接。在上述技术方案中，通过采用将印刷电路板镶嵌在DBC基板中用于走线，方便芯片的走线，并且芯片可以通过DBC基板直接散热，提高了散热效果。

公开(公告)号：CN114334645A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202011037492.3

申请日：2020-09-28

Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 葛孝昊 ,  曾丹 ,  史波 ,  赵浩宇

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/261

Abstract: 本发明公开了一种快速恢复二极管的制备方法，该方法将离子注入工艺与中子嬗变工艺相结合用于制备快速恢复二极管，在保证快速恢复二极管性能的前提下，大大简化了快速恢复二极管的制备工艺，降低了制备周期。其中，快速恢复二极管的制备方法包括：在N‑型衬底上表面制备快速恢复二极管FRD的正面结构；通过离子注入工艺分别从N‑型衬底的背面注入氢离子和磷离子以及通过中子嬗变工艺从N‑型衬底的背面注入中子，并通过预设温度对N‑型衬底进行退火激活处理，以形成与N‑型衬底导电类型相同的多层场截止层，氢离子位于第一场截止层，中子位于第二场截止层，磷离子位于第三场截止层；在N‑型衬底的下表面制备FRD的阴极区域。

公开(公告)号：CN114122150A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010864533.X

申请日：2020-08-25

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  林苡任 ,  史波 ,  曾丹

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/328

Abstract: 涉及碳化硅二极管的制备技术领域，本申请公开一种碳化硅功率二极管的制备方法及其应用。制备方法包括步骤：在衬底上形成碳化硅外延层；在碳化硅外延层上形成第一掩膜层，在第一掩膜层上刻蚀形成多个第一窗口以及多个第二窗口，第一窗口位于有源区，第二窗口位于终端区，第二窗口宽度大于第一窗口宽度；第一离子注入，对应第一窗口以及第二窗口处分别形成第一P+区以及第二P+区；第一掩膜层受热变形后形成第二掩膜层，第二掩膜层能够封闭多个第一窗口。与现有技术相比，本申请中第一掩膜层受热形变后形成第二掩膜层，在形成第二掩膜层的同时封闭第一窗口而第二窗口未完全封闭，进而减少刻蚀或掩膜的沉积等工艺步骤，工艺简单、节约制造成本。

公开(公告)号：CN112289859B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201910668737.3

申请日：2019-07-23

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  曾丹 ,  敖利波

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种GaN功率半导体器件及其制造方法。GaN功率半导体器件包括有由下至上依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，及设置于势垒层上的源极、漏极和位于两者之间的栅极，其中栅极包括至少两种不同类型的栅极结构。制造方法包括以下步骤：于一衬底上依次形成缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层和第一金属层；刻蚀掉非第一类栅极结构区域的p‑GaN层和第一金属层，形成第一类栅极结构；于势垒层表面上形成源极、漏极和第二类栅极结构。GaN功率半导体器件集成两种或两种以上栅极结构，综合权衡阈值电压和导通电阻，实现尽可能高的阈值电压和尽可能低的导通电阻，更好地提高器件性能。

公开(公告)号：CN113948375A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202010684352.9

申请日：2020-07-16

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 涉及半导体基材粒子掺杂技术领域，本申请公开一种提高半导体有源区杂质激活率的方法及其应用。所述一种提高半导体有源区杂质激活率的方法，包括以下步骤：在第一温度下，向基材有源区注入第一粒子；在第二温度下，向所述有源区再注入第二粒子；所述第一粒子的注入能量小于所述第二粒子的注入能量。与现有技术相比，本申请降低了整个掺杂工艺条件及成本，有效提高有源区杂质激活率。

公开(公告)号：CN113889450A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111093438.5

申请日：2021-09-17

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 秦明柳谦 ,  史波 ,  江伟 ,  杨景城 ,  黄玲 ,  杨巧莹

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/607

Abstract: 本发明涉及一种芯片贴装结构及方法。该芯片贴装结构包括：芯片；以及，键合线，连接于所述芯片，所述键合线包括相互连接的铜线和铝线；该芯片贴装方法，包括以下步骤：准备通过铝线和铜线制成的键合线；准备芯片；将芯片与键合线连接。本发明的铝线可以增强键合质量，铜线可以提升可靠性与导电性，且通过铝线和铜线制成的键合线抗剪强度高于单个铝线。

公开(公告)号：CN113809183A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202010528815.2

申请日：2020-06-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/324 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种MPS二极管器件及其制备方法，该包括MPS二极管器件并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，缓冲层的禁带宽度大于外延层的禁带宽度且缓冲层的材质与外延层的材质为同素异形体，缓冲层中与有源区相对的位置形成有第一开孔，第一开孔内形成有欧姆金属层。该MPS二极管器件在降低反向漏电损耗的同时降低了正向导通损耗，使得反向漏电和正向工作电压这两个性能参数同时得以改善，从而使得该MPS二极管器件的性能更好。

公开(公告)号：CN113644114A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110845637.0

申请日：2021-07-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 葛孝昊 ,  肖婷 ,  林苡任 ,  史波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请涉及芯片制备的技术领域，本申请公开一种芯片、芯片制备方法及电子器件。其中芯片，包括衬底层、埋氧层以及N型漂移层，N型漂移层包括接近于所述衬底层的第一侧以及远离所述衬底层的第二侧，所述第二侧形成有第一阳极区以及第二阳极区，在第一阳极区以及第二阳极区之间形成有介电区，所述介电区包括密集分布的形成于所述N型漂移层的点缺陷。与现有技术相比，通过在介电区内形成点缺陷提高介电区内的电阻，进而抑制第一阳极区与第二阳极区之间电子的移动，进而减弱芯片的电压折回现象，提高芯片整体的稳定性。

公开(公告)号：CN113451397A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010212618.X

申请日：2020-03-24

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 赵浩宇 ,  曾丹 ,  敖利波 ,  史波

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提出了一种RC‑IGBT器件制备方法，包括以下步骤：提供具备正面元胞结构的RC‑IGBT硅基，并将RC‑IGBT硅基的背面减薄至所需厚度；对上述减薄后的RC‑IGBT硅基背面生长SiC层，并注入P型杂质离子形成P型掺杂区域；向上述RC‑IGBT硅基背面注入N型杂质离子形成N型掺杂区域；将上述RC‑IGBT硅基背面金属化，以得到与P型掺杂区域、N型掺杂区域欧姆接触的集电极金属。本发明还提供了该方法制备的RC‑IGBT器件，本发明中将器件背面替换成碳化硅并掺杂P型杂质离子形成P型掺杂区域，首先N型掺杂区域扩散程度比较好，其次抑制了载流子在N型掺杂区域中的流动从而控制其寿命，达到消除电压回折的现象，优化了其反向回复特性。