铁电存储集成电路及其操作方法和制备方法

    公开(公告)号:CN109791785A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201880003413.1

    申请日:2018-02-28

    Applicant: 复旦大学

    CPC classification number: G11C11/2273 G11C11/2275 H01L27/11502

    Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域,本发明提供的铁电存储集成电路,包括:铁电存储器阵列,其具有在铁电单晶层上形成的存储单元阵列;其中,所述铁电存储器阵列的每个铁电存储器单元主要由存储单元阵列中的一个存储单元形成、或者主要由存储单元阵列中的一个存储单元以及该存储单元电连接的形成于所述硅基读写电路的硅基上的一个晶体管形成。

    铁电存储集成电路设计及其制造方法

    公开(公告)号:CN107481751A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710793719.9

    申请日:2017-09-06

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于铁电存储技术领域,具体为铁电存储器集成电路设计及其制造方法。本发明的铁电存储器包括:交叉棒(Crossbar)结构和一个开关晶体管一个电阻式铁电存储单元(1T1R)结构的铁电存储器。铁电存储器单元由铁电层,以及置于铁电存储单元两侧的第一电极和第二电极、绝缘层和硅基读写电路组成。其中,铁电存储单元的电畴极化方向在第一电极和第二电极的连线方向上有分量。以上存储单元的读出电流具有单向导通性,可避免电路中存储单元间信息读写的串扰,降低能耗,提高交叉棒集成的阵列规模和密度,简化电路设计,最终提高存储密度。

    一种半导体存储器件电学参数测试系统

    公开(公告)号:CN104681093A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201410827335.0

    申请日:2014-12-26

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于微电子存储器件测试技术领域,具体为一种半导体存储器件电学参数测试系统。本发明系统包括测试机台、计算机、控制软件以及通讯电缆。其中:测试机台包括信号发生模块、数据采集模块、多档电阻切换电路模块、集成控制模块;计算机用于安装控制软件以及存储数据;控制软件用于用户执行已编辑或用户自定义编辑的测试程序模块,以及监控和处理数据;通讯电缆用于计算机与测试机台互相通信。本发明解决了目前新一代半导体存储器件研发中缺乏相应存储器件电学参数测试设备,已有的相关电学测试设备测试功能单一,难以满足新型多样存储器件研发需求,同时本发明结构简单,方便实用,可快速扩展多种测试功能。

    铁电分析装置及其调节铁电畴极化反转速度的方法

    公开(公告)号:CN102687029A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201180002911.2

    申请日:2011-04-04

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 江安全 刘骁兵

    CPC classification number: G01N27/041 G01R27/2623

    Abstract: 本发明提供一种铁电分析装置及其调节铁电畴极化反转速度的方法,属于固态点介质性能测试技术领域。该铁电分析装置包括用于生成方波电压脉冲信号的电压脉冲发生器,所述方波电压脉冲信号偏置于铁电介质薄膜上以使其铁电畴发生极化反转,所述铁电分析装置还包括与所述铁电介质薄膜串联连接的可变电阻,所述可变电阻用于调节极化反转电流以实现铁电畴极化反转速度的调节。在该方法中,在铁电介质薄膜上偏置所述方波电压脉冲信号,通过调节所述可变电阻的阻值实现铁电畴极化反转速度的调节。该装置可以连续调节铁电畴运动速度,而且还可以调节铁电介质薄膜的矫顽电压,其不依赖于电压脉冲信号发生装置,易于连续调节且调节范围广,测试数据可靠。

    一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器

    公开(公告)号:CN101789490B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201010102118.7

    申请日:2010-01-28

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于信息存储技术领域,具体涉及一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻变存储器。该阻变存储器依次包括衬底、底电极、铁电氧化物/半导体复合存储功能层和顶电极,由下述方法制备获得:在单晶钛酸锶或SiO2/Si衬底上生长钌酸锶、镍酸镧等复合物电极或金属作为底层电极,然后通过脉冲激光淀积或射频磁控溅射方法生长铁电氧化物/半导体复合薄膜功能层;再生长出金属顶电极,形成单二极管存储单元结构。二极管的极性随电畴的取向而发生改变。本发明具有存储密度高,信息保持性好,功耗低的优点。

    一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN102013453B

    公开(公告)日:2012-06-06

    申请号:CN200910195208.2

    申请日:2009-09-04

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于微电子技术领域,涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征,构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜,每一阶台阶对应一种厚度,可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列。由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后,薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高,因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料,用于红外热释电探测器,机敏器件和系统,且制备方法简单易操作,具有很大的成本优势。

    铁电存储器多位数据存储的操作方法

    公开(公告)号:CN101620879A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200910055566.3

    申请日:2009-07-29

    Applicant: 复旦大学

    CPC classification number: G11C11/5657

    Abstract: 本发明提出一种实现铁电存储器多位数据存储的操作方法,属于微电子技术领域,它在铁电存储器存储单元中,通过外加不同的写脉冲电压来使得铁电薄膜相应产生不同大小的剩余极化强度,并相应定义为不同的存储态,再通过一个固定外加正读电压,读取相应的各存储态,从而在单个存储单元中实现多位存储功能。利用本发明多位数据存储的操作方法,使得多位存储器件可以极大地提高存储密度,大大地降低了生产成本。

    降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法

    公开(公告)号:CN119947118A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202411796444.0

    申请日:2024-12-09

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于铁电存储器件技术领域,具体为一种降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法。本发明铁电存储器件包括铁电衬底、以及位于该铁电衬底上铁电凸块、第一电极和第二电极;铁电凸块包含籽畴区域和铁电存储层区域;通过对存储器件单元的第一电极和第二电极之间施加电场,在存储器件单元内局部区域形成稳定存在且不易被擦除的籽畴区域,利用所述籽畴区域,降低铁电存储层区域电畴反转的成核能,使铁电存储层区域电畴的矫顽场大幅度降低,并提高铁电存储层区域电畴反转的稳定性和重复性,从而增强非易失铁电存储器件读写操作的稳定性和可重复性,降低非易失性铁电存储器的读写电压和功耗,提高存储器读写速度和寿命。

    一种铁电存储器及电子设备
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116472581A

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202080104665.0

    申请日:2020-11-20

    Abstract: 一种铁电存储器及电子设备,涉及铁电存储技术领域,用于对铁电存储元件(20)的开启电压进行调节。该铁电存储器包括基底(200)以及设置在基底(200)上的第一电压线、第二电压线以及铁电存储元件(20);铁电存储元件(20)包括设置在基底(200)上的铁电薄膜层(201);铁电薄膜层(201)包括向远离基底(200)一侧凸起的铁电存储单元(2011);铁电存储元件(20)还包括相对设置于铁电存储单元(2011)两侧的第一电极(202)和第二电极(203);第一电极(202)与铁电存储单元(2011)的第一表面和侧面均接触,第二电极(203)与铁电存储单元(2011)的第一表面和/或侧面接触;第一表面为铁电存储单元(2011)的与基底(200)平行且远离基底(200)的表面;其中,第一电极(202)与第一电压线电连接;第二电极(203)与第二电压线电连接。

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