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公开(公告)号：CN118707762A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410948241.2
申请日：2024-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G02F1/11
Abstract: 本发明属于激光调控技术领域，具体为一种基于精密衍射叠加的组合声光调制方法。本发明在运用4‑F光学系统实现两个声光调制器布拉格衍射振幅相干叠加过程中，将一个声光调制器移出另一个声光调制器的成像位置恰当距离，以动量回波方式抑制聚焦光束布拉格衍射的衍射相移展宽，同时调节高阶衍射相移，以相干相消效应精确抑制高阶衍射损失，从而获得以上的衍射效率及以上的透射光单模抑制比；本发明还可大幅度降低驱动声光调制所用射频信号的功率需求，拓展声光调制晶体选择，助力开发低插入损耗、高损伤阈值声光调制器件以及高频声光调制器件。本发明在脉冲激光调制、光学和量子信息处理、激光相干分/合束等精密光学操控领域有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN118053903A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211424129.6
申请日：2022-11-15
Abstract: 本申请提供了一种逻辑器件、逻辑电路和组合电路，通过分布在凸块周围的至少四个电极不仅可以提高逻辑器件的可靠性，而且可以优化逻辑器件的开关速度。同时，通过逻辑器件可以进一步构造逻辑电路，实现逻辑与、逻辑或、逻辑非等功能。逻辑器件可以包括基底和至少四个电极。基底设有凸块，基底和凸块可以分别采用铁电材料。至少四个电极可以分布在凸块周围。至少四个电极中每个电极的第一表面可以分别与凸块接触，且每个电极的第二表面可以分别与基底接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118693164A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310320014.0
申请日：2023-03-23
IPC: H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种半导体器件、其制作方法及电子设备，该半导体器件包括铁电结构和多个电极，铁电结构中的第一突出部内电畴的极化方向与本体内电畴的极化方向之间的夹角为[0°，90°)，铁电结构中的第二突出部内电畴的极化方向与本体内电畴的极化方向之间的夹角为(90°，270°)，第一突出部与本体之间的第一连接处与第二突出部与本体之间的第二连接处构成PN结，多个电极分别与第一连接处和第二连接处接触。如此，可以采用铁电材料构造出PN结，相比于传统的PN结，制作工艺更加简单，无需执行掺杂工艺，使得制作工艺温度较低，制作成本较低。
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公开(公告)号：CN118600377A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410575099.1
申请日：2024-05-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/35 , H01L31/032 , H01L31/08 , H01L31/18 , H10N70/00 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/24 , C23C14/04 , C23C14/48
Abstract: 本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种降低铌酸锂型铁电体器件电畴极化电场的方法。本发明方法包括：对待电极化处理的铌酸锂型铁电单晶基片的两电极之间区域进行半导电化处理，形成低电阻层；与电极接触的铌酸锂型铁电区域晶相绝缘化处理，形成高电阻层；在外加电压作用下，大部分电压施加至与电极接触的高电阻层内，局部电场增强，远远大于电极间平均电场，导致与电极接触区域的电畴首先成核反转。以上成核电畴能够在退极化场驱动下自行长大，长穿电极之间低电阻或低电场铁电区域，从而实现电极间整个电畴反转，平均极化电场可降低10倍，大大减小了铁电器件的极化电压，减少器件在施加高电压极化时所发生的电击穿现象。
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公开(公告)号：CN119947118A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411796444.0
申请日：2024-12-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法。本发明铁电存储器件包括铁电衬底、以及位于该铁电衬底上铁电凸块、第一电极和第二电极；铁电凸块包含籽畴区域和铁电存储层区域；通过对存储器件单元的第一电极和第二电极之间施加电场，在存储器件单元内局部区域形成稳定存在且不易被擦除的籽畴区域，利用所述籽畴区域，降低铁电存储层区域电畴反转的成核能，使铁电存储层区域电畴的矫顽场大幅度降低，并提高铁电存储层区域电畴反转的稳定性和重复性，从而增强非易失铁电存储器件读写操作的稳定性和可重复性，降低非易失性铁电存储器的读写电压和功耗，提高存储器读写速度和寿命。
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公开(公告)号：CN119045222A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411172141.1
申请日：2024-08-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G02F1/11
Abstract: 本发明属于激光调控技术领域，具体为一种基于回射干涉的组合声光调制方法。本发明运用光学成像系统将声光调制器的一次衍射输出精确回射，再次输入该调制器进行二次衍射，实现声光调制器的复用，达到仅使用单个声光调制器实现组合声光调制的高衍射效率或高反衬度；对于萨尼亚克型，可实现超99％的衍射效率及超30dB的透射光单模抑制比，可用于激光的按需路由；对于迈克尔孙型，可实现超30dB的单模反衬度，可用于高重频脉冲激光的同步重频分频。本发明在高衍射效率及低驱动功率方面具有显著优势，同时降低成本。本发明在脉冲激光调制、光学和量子信息处理、激光相干分/合束等精密光学操控领域有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN116471847A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310475822.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储技术领域，具体为一种面内超高密度铁电存储器阵列及其制备方法。本发明的面内密排读写铁电存储单元和电极呈周期性排列，电极通过三维互联导电柱引出，包括面外第一、二字线层的三维互联字线分别与第一、三导电柱阵列相连；包括面外第一、二位线层的三维互联位线分别与第二、四导电柱阵列相连；字线层和位线层内分布着平行电极，且相互垂直，形成交叉棒阵列，面内交点为铁电存储单元，位于面内相邻电极的间隙区域，可以进行高密度数据的读写。本发明的面内密排铁电存储器阵列能够提高存储密度，最高可达2F2，F为半导体制造的特征工艺尺寸，适用于制造超高密度存储器件，且制备简单、成本低。
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