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公开(公告)号：CN116936617A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210332164.9
申请日：2022-03-30
IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供一种全铁电晶体管、制作方法及电子设备，涉及集成电路技术领域，用于提高晶体管中电畴的翻转速度和晶体管的导通速度。该全铁电晶体管包括：铁电基底，以及位于该铁电基底上的铁电凸块、源电极、漏电极和栅电极；其中，该源电极和该漏电极位于该铁电凸块的第一侧面，该栅电极位于该铁电凸块的且与该第一侧面相背的第二侧面；该铁电凸块包括具有该第一侧面的第一界面层、具有该第二侧面的第二界面层、以及位于该第一界面层和该第二界面层之间的第三界面层，该第一界面层和该第二界面层均具有易失性的第一电畴，该第三界面层具有非易失性的第二电畴。
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公开(公告)号：CN116471847A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310475822.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于存储技术领域，具体为一种面内超高密度铁电存储器阵列及其制备方法。本发明的面内密排读写铁电存储单元和电极呈周期性排列，电极通过三维互联导电柱引出，包括面外第一、二字线层的三维互联字线分别与第一、三导电柱阵列相连；包括面外第一、二位线层的三维互联位线分别与第二、四导电柱阵列相连；字线层和位线层内分布着平行电极，且相互垂直，形成交叉棒阵列，面内交点为铁电存储单元，位于面内相邻电极的间隙区域，可以进行高密度数据的读写。本发明的面内密排铁电存储器阵列能够提高存储密度，最高可达2F2，F为半导体制造的特征工艺尺寸，适用于制造超高密度存储器件，且制备简单、成本低。
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公开(公告)号：CN113421881A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110577778.9
申请日：2021-05-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种通过金属扩散调节铁电存储器表面层有效厚度的方法。本发明是在铁电存储单元表面层与电极接触部位间增加金属扩散层，使金属原子扩散进入部分或全部铁电表面层区域，从而调减表面层有效厚度，实现对表面层选择管开启电压大小的连续调节。本发明在金属扩散层制备完成后，采用高温保温或后热退火的方法调控扩散层金属向铁电材料内部的扩散深度。本发明实现了开启电压连续可调，甚至可降低至接近零；同时，开态电流增大，存储器读写操作电压减小，可提高器件可缩微性或存储密度，实现功耗的大幅度降低，开关比可达105，存储器性能获得大幅度提升。本发明为深化高密度铁电存储器的商业化开拓了思路。
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公开(公告)号：CN119070828A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310644160.9
申请日：2023-06-01
IPC: H03M7/30
Abstract: 本公开的实施例提供了数据压缩方法、装置、电子设备和计算机可读存储介质。示例的数据压缩方法包括：生成针对待压缩的多维数据的预测邻域模型；基于多维数据来优化预测邻域模型的模型参数；基于多维数据和经优化的模型参数来确定预测邻域模型的模型误差，模型误差与多维数据的内部元素相关联；以及存储模型误差、经优化的模型参数和多维数据的边界元素。还提供了相应的数据解压缩方法。本公开的实施例针对机理数据特性，充分抽取数据机理，实现了模型参数少、模型偏差低、数据支集少的高压缩率、高性能的压缩算法，并且实现了可逆、稳定的重构，避免复杂模型造成的可靠性低、计算量大等问题。
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公开(公告)号：CN118693164A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310320014.0
申请日：2023-03-23
IPC: H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种半导体器件、其制作方法及电子设备，该半导体器件包括铁电结构和多个电极，铁电结构中的第一突出部内电畴的极化方向与本体内电畴的极化方向之间的夹角为[0°，90°)，铁电结构中的第二突出部内电畴的极化方向与本体内电畴的极化方向之间的夹角为(90°，270°)，第一突出部与本体之间的第一连接处与第二突出部与本体之间的第二连接处构成PN结，多个电极分别与第一连接处和第二连接处接触。如此，可以采用铁电材料构造出PN结，相比于传统的PN结，制作工艺更加简单，无需执行掺杂工艺，使得制作工艺温度较低，制作成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118600377A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410575099.1
申请日：2024-05-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/35 , H01L31/032 , H01L31/08 , H01L31/18 , H10N70/00 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/24 , C23C14/04 , C23C14/48
Abstract: 本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种降低铌酸锂型铁电体器件电畴极化电场的方法。本发明方法包括：对待电极化处理的铌酸锂型铁电单晶基片的两电极之间区域进行半导电化处理，形成低电阻层；与电极接触的铌酸锂型铁电区域晶相绝缘化处理，形成高电阻层；在外加电压作用下，大部分电压施加至与电极接触的高电阻层内，局部电场增强，远远大于电极间平均电场，导致与电极接触区域的电畴首先成核反转。以上成核电畴能够在退极化场驱动下自行长大，长穿电极之间低电阻或低电场铁电区域，从而实现电极间整个电畴反转，平均极化电场可降低10倍，大大减小了铁电器件的极化电压，减少器件在施加高电压极化时所发生的电击穿现象。
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公开(公告)号：CN118053903A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211424129.6
申请日：2022-11-15
Abstract: 本申请提供了一种逻辑器件、逻辑电路和组合电路，通过分布在凸块周围的至少四个电极不仅可以提高逻辑器件的可靠性，而且可以优化逻辑器件的开关速度。同时，通过逻辑器件可以进一步构造逻辑电路，实现逻辑与、逻辑或、逻辑非等功能。逻辑器件可以包括基底和至少四个电极。基底设有凸块，基底和凸块可以分别采用铁电材料。至少四个电极可以分布在凸块周围。至少四个电极中每个电极的第一表面可以分别与凸块接触，且每个电极的第二表面可以分别与基底接触。
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公开(公告)号：CN119947118A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411796444.0
申请日：2024-12-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种降低铁电存储器件工作电压和提高读写操作可靠性的方法。本发明铁电存储器件包括铁电衬底、以及位于该铁电衬底上铁电凸块、第一电极和第二电极；铁电凸块包含籽畴区域和铁电存储层区域；通过对存储器件单元的第一电极和第二电极之间施加电场，在存储器件单元内局部区域形成稳定存在且不易被擦除的籽畴区域，利用所述籽畴区域，降低铁电存储层区域电畴反转的成核能，使铁电存储层区域电畴的矫顽场大幅度降低，并提高铁电存储层区域电畴反转的稳定性和重复性，从而增强非易失铁电存储器件读写操作的稳定性和可重复性，降低非易失性铁电存储器的读写电压和功耗，提高存储器读写速度和寿命。
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公开(公告)号：CN113421881B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110577778.9
申请日：2021-05-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11507
Abstract: 本发明属于铁电存储器件技术领域，具体为一种通过金属扩散调节铁电存储器表面层有效厚度的方法。本发明是在铁电存储单元表面层与电极接触部位间增加金属扩散层，使金属原子扩散进入部分或全部铁电表面层区域，从而调减表面层有效厚度，实现对表面层选择管开启电压大小的连续调节。本发明在金属扩散层制备完成后，采用高温保温或后热退火的方法调控扩散层金属向铁电材料内部的扩散深度。本发明实现了开启电压连续可调，甚至可降低至接近零；同时，开态电流增大，存储器读写操作电压减小，可提高器件可缩微性或存储密度，实现功耗的大幅度降低，开关比可达105，存储器性能获得大幅度提升。本发明为深化高密度铁电存储器的商业化开拓了思路。
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公开(公告)号：CN201040044Y
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200620049428.6
申请日：2006-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型属实验器械领域，涉及实验动物鼠用器材，本器材由“X”型橡皮膏(1)、钩绒双面尼龙搭扣(2)和钩面尼龙搭扣(3)组成，所述的“X”型橡皮膏由四片橡皮膏两两成90度粘合而成，所述的钩绒双面尼龙搭扣和钩面尼龙搭扣分别缝制在“X”型橡皮膏两端。本实用新型能使大鼠连接于自给药实验装置的弹簧上，并对大鼠的自由活动影响极小，具有使动物穿着舒适、啃咬率低、状态影响小、结构坚固、抗扯拉、造价低廉等特点。使用本实验器材颈静脉插管的维护良好率由国外文献报道的67％提高到95％以上，啃咬率不足3％，造价是国外硅胶索套的千分之一。
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