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公开(公告)号：CN102013453B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910195208.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶对应一种厚度，可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列。由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后，薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高，因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料，用于红外热释电探测器，机敏器件和系统，且制备方法简单易操作，具有很大的成本优势。
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公开(公告)号：CN102013453A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910195208.2
申请日：2009-09-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及一种具有高热释电性能的反铁电薄膜制备方法。本发明利用反铁电薄膜在某一临界厚度以下显示铁电性而在此临界厚度以上显示反铁电性的特征，构建一层凹凸有致具有多种不同厚度的台阶状反铁电薄膜，每一阶台阶对应一种厚度，可以在单层反铁电薄膜上实现铁电区域和反铁电区域的交叉排列。由于反铁电薄膜和铁电薄膜堆叠后，薄膜的热释电系数相比单纯的反铁电薄膜会得到很大的提高，因此利用本方法制备的反铁电薄膜可以作为良好的热释电材料，用于红外热释电探测器，机敏器件和系统，且制备方法简单易操作，具有很大的成本优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101593755A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910053202.1
申请日：2009-06-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明属半导体存储器件领域，涉及基于场效应管结构的非破坏性读取的非挥发存储器件。尤其涉及一种基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结构的存储器单元，包括：衬底；金属氧化物层，反铁电薄膜，栅电极；所述金属氧化物层置于半衬底表面；反铁电薄膜置于金属氧化物层远离衬底的表面；栅电极置于反铁电薄膜远离金属氧化物层的表面；源、漏，置于半导体表面两端。本发明采用反铁电薄膜代替了传统非挥发存储器的氧化硅、氧化氮层，在拥有快闪存储器优点的同时，大幅提高了编程、檫除速度，改善了保持特性，更好地满足了存储器工业化应用的需要，完全有潜力替代快闪存储器件而得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101943721B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910054686.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及铁电薄膜印刻效应的测试方法。本发明通过测量铁电薄膜极化反转电流快速测量铁电薄膜印刻效应，其包括：(1)加一个产生印刻效应的脉冲电压后，立刻再加一个与此印刻电压相反极性的脉冲电压并测量铁电薄膜的反转电流；(2)加预置极化方向的脉冲电压，等待一段弛豫时间后加一个起印刻作用的正负双极性的脉冲电压，再等待一段时间以产生印刻效应，最后加一个与之前正负双极性脉冲电压完全相同的正负双极性电压以测量反转电流。本发明能代替传统的通过测量电滞回线得出Vc的方法，能大幅降低测试印刻效应所需时间，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101593755B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200910053202.1
申请日：2009-06-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明属半导体存储器件领域，涉及基于场效应管结构的非破坏性读取的非挥发存储器件。尤其涉及一种基于金属/反铁电薄膜/金属氧化物/半导体场效应管结构的存储器单元，包括：衬底；金属氧化物层，反铁电薄膜，栅电极；所述金属氧化物层置于半衬底表面；反铁电薄膜置于金属氧化物层远离衬底的表面；栅电极置于反铁电薄膜远离金属氧化物层的表面；源、漏，置于半导体表面两端。本发明采用反铁电薄膜代替了传统非挥发存储器的氧化硅、氧化氮层，在拥有快闪存储器优点的同时，大幅提高了编程、檫除速度，改善了保持特性，更好地满足了存储器工业化应用的需要，完全有潜力替代快闪存储器件而得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN102005383A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910195106.0
申请日：2009-09-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L27/10
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，涉及一种赝反铁电薄膜的制备方法。它通过一定剂量和能量的氢离子注入掺杂，在铁电薄膜中形成一种稳定分布的掺杂离子，通过电荷补偿模式改变铁电薄膜畴的翻转特性。通过本发明方法，能够在任意成份比例的铁电薄膜中实现薄膜的反铁电特性，能在高密度电荷存储领域有所应用。本发明方法不仅提供了新的赝反铁电薄膜的制备方法，同时也有利于铁电薄膜电畴翻转物理机制的进一步深入研究，在学术上有着重大的意义。
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公开(公告)号：CN101943721A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910054686.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及铁电薄膜印刻效应的测试方法。本发明通过测量铁电薄膜极化反转电流快速测量铁电薄膜印刻效应，其包括：(1)加一个产生印刻效应的脉冲电压后，立刻再加一个与此印刻电压相反极性的脉冲电压并测量铁电薄膜的反转电流；(2)加预置极化方向的脉冲电压，等待一段弛豫时间后加一个起印刻作用的正负双极性的脉冲电压，再等待一段时间以产生印刻效应，最后加一个与之前正负双极性脉冲电压完全相同的正负双极性电压以测量反转电流。本发明能代替传统的通过测量电滞回线得出Vc的方法，能大幅降低测试印刻效应所需时间，具有很好的应用前景。
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