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公开(公告)号：CN119067037A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411293619.6
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京卓芯半导体科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种电路中的电迁移检查方法。本发明步骤：1、提前准备EM rule文件；2、在仿真中，将选定电路中每个节点的电流值进行存储以备后用；通过每个节点处的电流值，知道相邻两个节点间的金属导线的电流值；3、在仿真后，读取程序获取准备的EM rule文件，从文件中读取金属连线和通孔相关信息，包括最大、最小和平均电流密度信息，电流密度和温度、宽度的关系，以及每个通孔的最大电流，然后获取节点的电流值；计算每层金属连线的EM效应允许的最小宽度和通孔的最小个数；4、在LVS自带的版图识别文件中，添加识别信息，去抽取金属连线的长度、宽度和通孔个数。本发明在设计版图的过程中便能够同时进行EM检查，大大的节省设计风险和时间。
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公开(公告)号：CN118748028A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410770393.8
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及一种高可靠实时自中断STT‑MRAM写电路，由写电流通路和实时自中断写电流控制等模块组成。本发明所述的写电路适用于2T2MTJ存储单元结构，即采用2个Transistor和2个MTJ记录1bit数据；写电流通路由存储单元和外围电路组成，其中外围电路采用双电流镜结构，缓解STT写操作的电流、时间不对称问题；实时自中断写电流控制模块在确保写正确率、不启动读电路的情况下，缩短具体单元的写时间、降低写功耗，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命。本发明具有数据存储高可靠、写操作高效率、存储单元长寿命等优点，可作为高可靠、长寿命STT‑MRAM写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN118410623A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410435691.1
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F30/27 , G06F30/15 , G06F18/2433 , G06F119/02
Abstract: 一种在轨错误率多模校验方法、介质及设备，属于空间环境工程和辐射效应技术领域，包括：确定单粒子截面模型；提取单粒子截面模型参数的关键参数，变换所述关键参数得到至少两个新值，所述关键参数的原值和新值分别与单粒子截面模型参数中的其他参数组合获得单粒子截面模型计算参数组；在至少三个错误率软件中构建空间通量环境；将所述单粒子截面模型计算参数组分别代入每个空间通量环境得到原值和新值的错误率；通过原值和新值的错误率进行在轨错误率多模校验。本发明以常规手段构建基于不同软件的空间模型，并通过关键参数提取法，计算得到多组实际在轨错误率，通过多模态校正输出合理的在轨错误率。
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公开(公告)号：CN114187941B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111406609.5
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN113704169B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110924960.7
申请日：2021-08-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F15/173
Abstract: 本发明公开了一种面向嵌入式的可配置众核处理器，包括：内部数据总线系统、事件总线系统、数据连接线、路由单元和处理器核；内部数据总线系统包括若干条横、纵向数据线；若干条横、纵向数据线横纵交错排列，形成N个交叉点，每个交叉点对应放置一个路由单元，相邻路由单元之间通过横向数据线或纵向数据线连接；事件总线系统包括：事件控制单元、事件总线和事件信号线；各处理器核与对应的路由单元之间通过数据连接线连接；各事件控制单元一方面与事件总线连接，另一方面通过事件信号线与对应的处理器核和路由单元连接。本发明可满足嵌入式、高实时性、芯片内部处理器核之间高同步性、芯片内部通信并行性和高吞吐量的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115859896A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211436103.3
申请日：2022-11-16
Applicant: 苏州珂晶达电子有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/392
Abstract: 本申请提供一种集成电路版图的设计良率确定方法及装置。该方法包括：对集成电路版图每个关键层进行光学邻近效应修正，采用各个光刻仿真模型对修正数据进行光刻仿真并确定光刻热点位置，获取各个仿真轮廓上光刻热点位置对应的关键尺寸，对所有关键尺寸进行韦伯分布拟合，从累积概率分布函数上获取最小预设关键尺寸的失效概率，再结合所有光刻热点位置对应的失效概率确定修正数据的设计良率，根据各个修正数据的设计良率，确定集成电路版图的设计良率。整个方法通过光刻模型分析光刻工艺波动引起的设计良率变化，通过光刻热点统计信息，分析集成电路器件的失效概率，从而可以提前发现设计问题，进而提高晶圆生产中的制造良率，提升制程稳定性。
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公开(公告)号：CN115809623A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211486597.6
申请日：2022-11-25
Applicant: 苏州珂晶达电子有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/3312 , G06F18/20
Abstract: 本申请涉及数字电路故障分析技术领域，具体而言，涉及一种数字电路关键路径时序分析方法和装置，可以解决传统算法存在的仅能处理少量独立随机变量的低维变化空间、以及只关注单元级故障时间而忽略单元级之间的相关性的问题。所述方法，包括：获取数字电路系统中单元的单元数量和系统级故障率的阶数D；估计与单元级数目相同数目的单元故障率和同时故障率；基于同时故障率计算D阶、D‑1阶局部失效率；基于D阶、D‑1阶局部失效率计算D+1阶局部失效率上限值，D+1阶局部失效率上限值和D阶的局部失效率用于计算D阶系统故障率第二估值；从D阶系统故障率第一估值和D阶系统故障率第二估值组成的区间中选取渐进概率近似值。
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公开(公告)号：CN110676252B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910865159.2
申请日：2019-09-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 本发明涉及一种抗瞬时辐射加固的集成电路版图结构，包括P阱，N阱，NMOS器件，PMOS器件，第一P阱接触，第二P阱接触，第一N阱接触，第二N阱接触；其中，NMOS器件、第一P阱接触和第二P阱接触位于P阱中，PMOS器件、第一N阱接触和第二N阱接触位于N阱中；第一P阱接触在NMOS器件源端一侧，第二P阱接触在NMOS器件漏端一侧，第一P阱接触和第二P阱接触的面积之和不小于所在P阱面积的15％，第一N阱接触在PMOS器件源端一侧，第二N阱接触在PMOS器件漏端一侧，第一N阱接触和第二N阱接触的面积之和不小于所在N阱面积的15％；上述面积是指所述区域的平面版图面积。
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公开(公告)号：CN114187941A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111406609.5
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN114172492A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111404837.9
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/013
Abstract: 本发明公开了一种低开销的抗单粒子翻转加固触发器电路结构，包括反相器电路、晶体管堆叠传输门以及低开销晶体管堆叠带置复位主从锁存器电路。所述反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKN、CLKNN以及输出Q；所述传输门用于时钟信号控制数据信号向主从锁存器中传播；所述主从锁存器电路用于保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态，并受置复位信号控制。本发明设计的电路结构抗单粒子翻转能力强；相比于常规晶体管堆叠加固的触发器，本设计使用的堆叠晶体管更少，版图面积开销也会更小。
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