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公开(公告)号：CN114974388B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210472026.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/12
Abstract: 一种高速DDR存储器单粒子错误评估系统及方法，为待测DDR存储器电路配置读写模式并提供测试码型，进行读操作并判断读取数据是否为测试码型，根据判断结果进行重离子试验或重新进行读取，与待测DDR存储器电路测试码型进行对比，判断是否发生单粒子错误，将发生错误的计数与单粒子功能中断设定的阈值进行对比，判断是否超出阈值，根据判断结果再次进行阈值判定，确定发生的错误类型，并计算单粒子错误截面，完成错误评估测试。
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公开(公告)号：CN112036110B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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公开(公告)号：CN117420588A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311211379.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G01T1/02
Abstract: 一种基于棋盘格的电子总剂量试验方法，能够较为有效的测算样品的实际吸收剂量，实现对试验样品抗电子总剂量能力的预估。具体包括：(1)分析试验样品的材料成分，选择合适的电子能量进行试验；(2)通过电子能量计算电子的质量阻止本领LET值，并获取理论总注量；(3)测量电子束流的均匀性，确保试验区域的均匀性误差小于5％；(4)保证样品材料的尺寸小于2cm×2cm，将试验样品和剂量片进行棋盘格摆放，并使两者的间距尽可能小；(5)开始电子辐照试验，确保电子总注量达到预设值；(6)试验结束后，对所有的剂量片进行测量，获取剂量片的实际总剂量，并预估样品区域的总剂量值。
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公开(公告)号：CN107085178B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710104221.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 于春青 , 蔡一茂 , 范隆 , 郑宏超 , 陈茂鑫 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 王煌伟 , 杜守刚 , 李哲 , 毕潇 , 姜柯 , 赵旭 , 穆里隆 , 关龙舟 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 喻贤坤 , 庄伟 , 刘亚丽 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/311 , G01J11/00
Abstract: 一种获取器件功能模块单粒子本征错误截面的方法，首先对器件功能模块进行划分，然后直接利用脉冲激光试验获取结构规则功能模块的本征错误截面，编制测试程序，获取每种测试程序下器件的应用错误截面以及各个功能模块的占空因子，根据各种测试程序下器件的应用错误截面公式进行方程组联立求解，得到各个结构不规则功能模块的本征错误截面。本发明方法能够获取集成电路中所有功能模块的本征错误截面，以直观反应每个功能模块的单粒子敏感性。
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公开(公告)号：CN109639457A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811368413.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: H04L41/0803 , G06F13/385 , H04L43/0811 , H04L43/0847
Abstract: 一种JESD204B协议高速发送器单粒子错误率的测试系统及方法，将高速发送器和可编程逻辑器件搭建成测试系统，可编程逻辑器件产生并行数据给高速发送器的并行端，同时配置高速发送器；高速发送器产生的串行数据发送给可编程逻辑器件并进行串并转换，然后可编程逻辑器件对低速的数据进行解析，检测高速发送器的单粒子错误率。本发明有效的提高了单粒子机时利用率，且数据链路完整，利用可编程逻辑器件将高速串行数据解串为低速的并行数据进行处理，而不是利用误码仪和高速示波器等昂贵的仪器进行监测，提升高速信号测试稳定性，并且降低了试验成本；按照不同错误类型自动分类进行统计，提高了测试效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104009758B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410188432.X
申请日：2014-05-06
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及数字模拟转换电路单粒子瞬态效应检测装置及其检测方法，本发明明确了不同类别单粒子瞬态效应需要捕获的特征参数，及其统计分析方法，开发相应的检测试验装置，可以连续不间断检测和捕获发生的单粒子瞬态效应及其特征参数，实时发回记录结果，并自动实现按效应类别的统计分析；该检测装置实现了单粒子瞬态效应信号的连续自动检测、捕获和数据分析，解决了目前单粒子瞬态效应试验装置人工记录导致试验暂停造成的人为误差，以及后续统计分析效率低下的问题，大大提高了试验结果的准确性，提高了测试效率并节约了人工成本，可以有效地考核评估器件抗单粒子瞬态效应能力。
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公开(公告)号：CN105445640A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510825255.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/265
CPC classification number: G01R31/2656
Abstract: 基于脉冲激光设备的不同测试指令集的单粒子敏感性判定方法，考虑器件不同测试指令集之间的差异性以及应用环境的多样性，通过在不同测试指令集下进行脉冲激光单粒子试验，可以得到不同测试指令集之间的单粒子敏感系数，然后只需要在重离子加速器下进行某一测试指令集的单粒子辐照试验，通过计算就可以判定其他测试指令集下的单粒子辐照试验结果。这一方法解决了重离子机时紧张等不足，利用脉冲激光的机时灵活，操作简便，获取数据方便的优点，能够较好的解决单粒子敏感性判定中遇到的难题。
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公开(公告)号：CN103076557A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210512499.5
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/317
Abstract: 一种Spacewire电路单粒子功能中断测试方法，步骤为：首先利用SPARCV8处理器和Spacewire电路分别建立两套测试系统，两套测试系统通过各自的Spacewire电路建立数据传输通道。然后将Spacewire电路B置于粒子辐照环境中。设定数据传输路径为测试系统A向测试系统B发送数据，测试系统B接收到数据后将接收到的数据再次转发给测试系统A；数据传输开始后，如果测试系统A无法向测试系统B发送数据或者测试系统A无法从测试系统B获取转发数据，则判断Spacewire电路B发生单粒子功能中断，根据回读的Spacewire电路B的控制寄存器的数据分析造成功能中断的原因。本发明方法可为开展单粒子效应与微电子器件相关研究提供依据。
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公开(公告)号：CN103021469A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210512620.4
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/44
Abstract: 一种存储器电路的通用单粒子效应检测方法，步骤为：(1)配置待测存储器为写状态并写入测试向量，然后将待测存储器置于辐照环境中；(2)若进行动态测试，则将待测存储器配置为读状态，将各地址单元存储的数据读出并与写入数据比较，将比较结果不一致的地址单元的数量作为总错误计数，并进一步分析各地址单元发生2位或以上数据翻转的情况；(3)若是静态测试，则将待测存储器配置为不读不写状态，当辐照过程中的累计辐照粒子达到标准后，顺序读出各地址单元内的数据并与写入数据比较，将比较结果不一致的地址单元的数量作为总错误计数。在辐照过程中，实时监测待测存储器的工作电流，当工作电流超过正常工作电流的1.5倍时判定发生闩锁。
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公开(公告)号：CN118690621A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410377527.X
申请日：2024-03-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 平面工艺的敏感区沉积能量叠层仿真标定方法，属于核物理和集成电路工艺技术领域，包括：首先根据实际平面工艺电路结构构建金属层、栅氧化层、沟道等不同结构的简化模型，并在敏感区域设置沉积能量的采集探针，接着采用钴源、电子、质子等粒子源对结构进行照射，读取探针的值，最后对数据进行处理获得预设敏感区域的平均剂量值。本发明能提供准确的敏感区域能量沉积评估值，而使用仿真构建模型可避免直接试验导致的复杂分析过程。同时对仿真模型进行模块化处理可简化模型构建过程，同时对关键模块的精细处理可以保证相对较高的测量精度。
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