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公开(公告)号：CN112036110B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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公开(公告)号：CN107085178B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710104221.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 于春青 , 蔡一茂 , 范隆 , 郑宏超 , 陈茂鑫 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 王煌伟 , 杜守刚 , 李哲 , 毕潇 , 姜柯 , 赵旭 , 穆里隆 , 关龙舟 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 喻贤坤 , 庄伟 , 刘亚丽 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/311 , G01J11/00
Abstract: 一种获取器件功能模块单粒子本征错误截面的方法，首先对器件功能模块进行划分，然后直接利用脉冲激光试验获取结构规则功能模块的本征错误截面，编制测试程序，获取每种测试程序下器件的应用错误截面以及各个功能模块的占空因子，根据各种测试程序下器件的应用错误截面公式进行方程组联立求解，得到各个结构不规则功能模块的本征错误截面。本发明方法能够获取集成电路中所有功能模块的本征错误截面，以直观反应每个功能模块的单粒子敏感性。
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公开(公告)号：CN109639457A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811368413.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: H04L41/0803 , G06F13/385 , H04L43/0811 , H04L43/0847
Abstract: 一种JESD204B协议高速发送器单粒子错误率的测试系统及方法，将高速发送器和可编程逻辑器件搭建成测试系统，可编程逻辑器件产生并行数据给高速发送器的并行端，同时配置高速发送器；高速发送器产生的串行数据发送给可编程逻辑器件并进行串并转换，然后可编程逻辑器件对低速的数据进行解析，检测高速发送器的单粒子错误率。本发明有效的提高了单粒子机时利用率，且数据链路完整，利用可编程逻辑器件将高速串行数据解串为低速的并行数据进行处理，而不是利用误码仪和高速示波器等昂贵的仪器进行监测，提升高速信号测试稳定性，并且降低了试验成本；按照不同错误类型自动分类进行统计，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN104009758B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410188432.X
申请日：2014-05-06
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及数字模拟转换电路单粒子瞬态效应检测装置及其检测方法，本发明明确了不同类别单粒子瞬态效应需要捕获的特征参数，及其统计分析方法，开发相应的检测试验装置，可以连续不间断检测和捕获发生的单粒子瞬态效应及其特征参数，实时发回记录结果，并自动实现按效应类别的统计分析；该检测装置实现了单粒子瞬态效应信号的连续自动检测、捕获和数据分析，解决了目前单粒子瞬态效应试验装置人工记录导致试验暂停造成的人为误差，以及后续统计分析效率低下的问题，大大提高了试验结果的准确性，提高了测试效率并节约了人工成本，可以有效地考核评估器件抗单粒子瞬态效应能力。
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公开(公告)号：CN105445640A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510825255.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/265
CPC classification number: G01R31/2656
Abstract: 基于脉冲激光设备的不同测试指令集的单粒子敏感性判定方法，考虑器件不同测试指令集之间的差异性以及应用环境的多样性，通过在不同测试指令集下进行脉冲激光单粒子试验，可以得到不同测试指令集之间的单粒子敏感系数，然后只需要在重离子加速器下进行某一测试指令集的单粒子辐照试验，通过计算就可以判定其他测试指令集下的单粒子辐照试验结果。这一方法解决了重离子机时紧张等不足，利用脉冲激光的机时灵活，操作简便，获取数据方便的优点，能够较好的解决单粒子敏感性判定中遇到的难题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116131811A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211485591.7
申请日：2022-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种FDSOI工艺的双电源冗余纠错瞬时剂量率辐射加固触发器，采用了电路和版图结合的设计加固方法。针对瞬时剂量率辐射导致电源电压发生扰动的问题，设计了双电源冗余纠错电路结构，可以将瞬时剂量率辐射导致的脉冲信号过滤；版图加固设计中将冗余电源设计为最短长度和最大宽度走线，可减小冗余电源电压的扰动。本发明通过双电源冗余纠错结构抑制了电源电压扰动造成的逻辑错误，提高了触发器单元的抗瞬时剂量率辐射能力，同时冗余电源非全局使用，加固代价小。
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公开(公告)号：CN114297097B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111452275.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种众核可定义分布式共享存储结构，包括内部数据总线系统、路由单元、处理器核、网络接口单元和存储器模块；横向双向数据线和纵向双向数据线的交叉点放置路由单元；处理器核通过网络接口单元与路由单元连接，路由单元和网络接口单元之间通过处理器核存储访问总线连接；存储器模块直接与路由单元连接。网络接口单元内部集成路由表，它直接根据处理器核发出的存储访问地址查询到目的物理坐标位置，此目的坐标位置添加到数据包的包头后，数据包能够在目的坐标的指引下，通过路由单元，到达要访问的存储器模块。本发明能够克服目前众核处理器存储系统地址空间固定、不支持乒乓操作、存储器模块间无法灵活组合的缺点。
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公开(公告)号：CN115116536A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210604542.4
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器的总剂量效应评估方法及系统，本发明测试模式包括静态测试、动态读测试、动态写测试和不加电对比测试；通过分析不同测试模式下磁阻式随机存取存储器的总剂量辐射特性，能够有效评估总剂量效应。本发明评估方法对掌握磁阻式随机存取存储器总剂量辐射效应致错机理有重要意义，为磁阻式随机存取存储器总剂量辐射效应评估方案的制定提供重要支撑。
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公开(公告)号：CN115113009A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210601758.5
申请日：2022-05-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种通用的激光背辐照试验样品制备方法，首先根据待测芯片管脚数目选取通用管壳；再根据待测芯片尺寸和敏感区分布决定管壳开孔方案，并根据开孔方案对通用管壳进行开孔；然后将裸芯键合到选取的已开孔的通用管壳里，使待测芯片的全部敏感区域裸漏；最后对待测芯片的全部敏感区域进行激光扫描试验。本发明简化了样品制备的方法，解决了激光不能穿透金属层对器件开展激光单粒子试验研究的问题，为集成电路开展激光背辐照试验提供支撑和指导。
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公开(公告)号：CN112036110A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010899992.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367 , G01T1/02
Abstract: 本发明涉及一种模块级电路瞬时剂量率效应仿真测试方法，1)针对器件级电路建立基本单元NMOS管和PMOS管的物理模型；2)建立瞬时光电流模型；3)在每个NMOS管和PMOS管并联瞬时光电流模型得到获得基本单元NMOS管和PMOS管的瞬时剂量率效应的SPICE微模型；4)在SPICE仿真软件中输入模块级电路的电路配置文件和电路网表文件，在SPICE中得到模块级电路连接模型，并将所述SPICE微模型代入到模块级电路连接模型中建立模块级电路瞬时剂量率效应模型；5)对步骤4)得到的模块级电路瞬时剂量率效应模型在不同剂量率下模拟模块级电路产生的瞬时剂量率效应，监测是否获得模块级电路瞬时剂量率效应翻转阈值，若是，则完成仿真测试；若否则调整参数直至获得瞬时剂量率翻转阈值。
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