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公开(公告)号：CN118230787A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311435134.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: G11C11/417 , G11C11/418 , G11C11/419 , G11C11/412
Abstract: 本发明涉及一种抗单粒子翻转的SRAM存储单元电路及存储器，电路包括3个PMOS管和6个NMOS管。PMOS管MP4和NMOS管MN4构成了反相器电路；PMOS管MP1，PMOS管MP2，NMOS管MN1，NMOS管MN2，NMOS管MN3构成了一个抗单粒子翻转的逻辑增强电路；NMOS管MN5和NMOS管MN6构成了数据传输端口。反相器输入端与Qb储存节点相连，输出端与Q储存节点相连，完成数据的锁存第一存储节点Q和第二存储节点Qb的互锁，提升了对抗单粒子翻转的性能，且MOS管数量相对较少，电路结构相对简单。当数据进行写操作时，CL信号开始进行输入，逻辑增强电路的第一、第二支路同时工作，使得存储单元的互锁能力减弱，更容易写入数据。
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公开(公告)号：CN118199565A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410222272.X
申请日：2024-02-28
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/3565
Abstract: 本发明公开了一种施密特触发脉冲控制低噪声驱动电路。施密特触发器产生上升/下降沿检测脉冲，来控制CMOS输出驱动的电路结构，包括数据缓冲电路、CMOS输出驱动电路、脉冲发生器、脉冲控制输出驱动电路；本发明用于CMOS器件输出驱动电路中，其特点是通过上升/下降沿检测电路，产生控制输出驱动管的脉冲信号，在不影响电路传输时间及输出上升/下降时间的基础上，减小电路系统应用电源噪声及地噪声。
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公开(公告)号：CN116312709A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310159799.8
申请日：2023-02-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/00
Abstract: 本发明公开了一种用于FLASH冗余修复的地址译码控制电路，包含字线地址译码控制电路和字线冗余替换修复电路。本发明通过增加对字线地址译码器实施控制的电路结构，实现屏蔽存在缺陷存储单元的标准字线，同时利用冗余字线进行替换修复，完成修复后的存储器能够正常使用，从而显著提高FLASH存储器的成品率。
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公开(公告)号：CN108055031B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201711341286.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构，通过增加单粒子软错误检测电路和数据选择电路对电路进行优化设计，基于这种结构的设计能够在三模冗余结构中单路信号翻转后自行恢复，能够有效解决三模冗余结构可能由错误累积导致单粒子加固失效的问题。
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公开(公告)号：CN109841240B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201811573607.3
申请日：2018-12-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C7/06
Abstract: 本发明涉及一种SRAM型存储器高速灵敏放大器电路，在读取“1”存储单元时，通过电容C1的电荷保持特性，通过正反馈加快锁存放大器的整体响应速度，使放大器对输入电压差的要求大大降低，加快了SRAM型存储器读取“1”的速度；在读取“0”存储单元时，通过读取使能信号S的跳变对与非门I1的控制，依靠晶体管MP5快速上拉作用，读出存储数据，对输入电压差的要求大大降低，加快灵敏放大器的读出速度，加快了SRAM型存储器读取“0”的速度。本发明降低了灵敏放大器对输入压差的要求，提高了灵敏放大器的反应速度和处理能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111192619A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911360816.4
申请日：2019-12-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C17/18
Abstract: 一种基于栅氧击穿型反熔丝存储阵列的编程系统及方法，通过包括编程控制模块、数据存储模块、反熔丝单元编程模块、数据判断模块的编程系统，采用对原始数据进行写入并对编程后数据进行判断的方法，检验首次编程成功率并对失败部分进行标记，对标记后数据单独进行重复编程以保证编程电压、电流更加集中于未编程成功单元，可大幅提高编程成功率，并进一步减少击穿电路的离散性，提高数据读出可靠性。
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公开(公告)号：CN111049513A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911206725.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/003 , H03K19/00 , H03K19/0175
Abstract: 本发明涉及一种带冷备份功能的轨到轨总线保持电路，包括数据传输反相器电路，信号保持作用的弱反相器电路，防止信号线到电源漏电的漏电控制电路，栅电压控制电路，电源电压监控信号产生电路。本发明用途是一、电路结构具有总线保持功能；二、总线保持电平可达到电源电平；三、端口具有冷备份功能，即电路电源电压为零时，端口对电源或地为高阻状态；四、处于冷备份状态时，如果端口所接总线信号为高低变化信号，不存在端口对电源或地的漏电通路,保证端口与总线的隔离。
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公开(公告)号：CN107167725B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710201165.9
申请日：2017-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 郑宏超 , 李哲 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 陈茂鑫 , 喻贤坤 , 姜柯 , 于春青 , 王汉宁 , 刘琳 , 毕潇 , 杜守刚 , 王煌伟 , 赵旭 , 穆里隆 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/3183
Abstract: 本发明公开了一种快速低开销全自动数字集成电路单粒子故障注入系统，包括人机操作界面、故障注入器，其中故障注入器包括：故障电路网表代码生成模块、功能向量和故障随机信号产生模块、仿真统计和计算输出模块。本发明实现了单粒子故障注入的全自动进行，同时对过程文件进行了实时处理，避免了存储量过大造成的内存爆炸对仿真性能造成影响，降低了用于仿真的计算器的开销。
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公开(公告)号：CN107167725A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710201165.9
申请日：2017-03-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 郑宏超 , 李哲 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 陈茂鑫 , 喻贤坤 , 姜柯 , 于春青 , 王汉宁 , 刘琳 , 毕潇 , 杜守刚 , 王煌伟 , 赵旭 , 穆里隆 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/3183
Abstract: 本发明公开了一种快速低开销全自动数字集成电路单粒子故障注入系统，包括人机操作界面、故障注入器，其中故障注入器包括：故障电路网表代码生成模块、功能向量和故障随机信号产生模块、仿真统计和计算输出模块。本发明实现了单粒子故障注入的全自动进行，同时对过程文件进行了实时处理，避免了存储量过大造成的内存爆炸对仿真性能造成影响，降低了用于仿真的计算器的开销。
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公开(公告)号：CN104637522B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410827912.6
申请日：2014-12-26
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C7/22
Abstract: 一种脉宽自适应的可配置存储器IP结构，包括存储阵列(10)、灵敏放大及读写电路SA&WR(11)、行译码电路(12)、列译码&MUX&预充电路(14)、优化配置电路(20)、脉冲配置模块(22)、驱动(24)、1个伪单元行(25)、n个伪单元列(26)、带预置功能灵敏放大SA(27)。本发明脉宽自适应的可配置存储器IP结构在上电时，通过存储器IP结构内置的优化配置电路(20)产生一次不同脉冲宽度的内部读操作，并对读回数据查表分析，最终确定适合器件工作环境的存储器IP结构的优化后脉冲宽度，本发明以一定的芯片面积代价优化了存储器读取时序，进而优化了存储器IP结构的读取速度及动态功耗。
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