公开(公告)号：CN115116536A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210604542.4

申请日：2022-05-30

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 于春青 ,  李同德 ,  陈雷 ,  王亮 ,  郑宏超 ,  岳素格 ,  苑靖爽 ,  王亚坤 ,  郭威

IPC: G11C29/56 ,  G11C29/50 ,  G11C29/52

Abstract: 本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器的总剂量效应评估方法及系统，本发明测试模式包括静态测试、动态读测试、动态写测试和不加电对比测试；通过分析不同测试模式下磁阻式随机存取存储器的总剂量辐射特性，能够有效评估总剂量效应。本发明评估方法对掌握磁阻式随机存取存储器总剂量辐射效应致错机理有重要意义，为磁阻式随机存取存储器总剂量辐射效应评估方案的制定提供重要支撑。

公开(公告)号：CN115116536B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202210604542.4

申请日：2022-05-30

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 于春青 ,  李同德 ,  陈雷 ,  王亮 ,  郑宏超 ,  岳素格 ,  苑靖爽 ,  王亚坤 ,  郭威

IPC: G11C29/56 ,  G11C29/50 ,  G11C29/52

公开(公告)号：CN110676252A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910865159.2

申请日：2019-09-12

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 王亮 ,  赵元富 ,  李同德 ,  曹炜亦 ,  隋成龙 ,  李建成 ,  郭威

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及一种抗瞬时辐射加固的集成电路版图结构，包括P阱，N阱，NMOS器件，PMOS器件，第一P阱接触，第二P阱接触，第一N阱接触，第二N阱接触；其中，NMOS器件、第一P阱接触和第二P阱接触位于P阱中，PMOS器件、第一N阱接触和第二N阱接触位于N阱中；第一P阱接触在NMOS器件源端一侧，第二P阱接触在NMOS器件漏端一侧，第一P阱接触和第二P阱接触的面积之和不小于所在P阱面积的15％，第一N阱接触在PMOS器件源端一侧，第二N阱接触在PMOS器件漏端一侧，第一N阱接触和第二N阱接触的面积之和不小于所在N阱面积的15％；上述面积是指所述区域的平面版图面积。

公开(公告)号：CN110676252B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN201910865159.2

申请日：2019-09-12

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 王亮 ,  赵元富 ,  李同德 ,  曹炜亦 ,  隋成龙 ,  李建成 ,  郭威

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及一种抗瞬时辐射加固的集成电路版图结构，包括P阱，N阱，NMOS器件，PMOS器件，第一P阱接触，第二P阱接触，第一N阱接触，第二N阱接触；其中，NMOS器件、第一P阱接触和第二P阱接触位于P阱中，PMOS器件、第一N阱接触和第二N阱接触位于N阱中；第一P阱接触在NMOS器件源端一侧，第二P阱接触在NMOS器件漏端一侧，第一P阱接触和第二P阱接触的面积之和不小于所在P阱面积的15％，第一N阱接触在PMOS器件源端一侧，第二N阱接触在PMOS器件漏端一侧，第一N阱接触和第二N阱接触的面积之和不小于所在N阱面积的15％；上述面积是指所述区域的平面版图面积。