公开(公告)号：CN1953205A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200510086640.X

申请日：2005-10-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 韩伟华 ,  张扬 ,  刘剑 ,  杨富华

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: 一种通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅纳米电导细线制作在氧化物绝缘层上；一源极和漏极分别制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅纳米电导细线的两端，并与硅纳米电导细线连接；一平面栅电极制作在氧化物绝缘层上；一氧化物薄层包裹在源极、漏极、硅纳米电导细线和平面栅电极的表面；二个氧化物隧穿结是通过注氧和热氧化形成的，埋于硅纳米电导细线的内部，并由氧化物隧穿结所限制；二个掩膜窗口包裹在硅纳米电导细线表面的氧化物薄层上，位于氧化物隧穿结上面。

公开(公告)号：CN109709069B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201811606056.6

申请日：2018-12-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何玉铭 ,  韩伟华 ,  李兆峰 ,  颜伟 ,  王晓东 ,  杨富华

IPC: G01N21/41

Abstract: 本发明公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：SOI基片，包含底层硅、埋氧层和顶层硅，其中，顶层硅上制作有脊形光波导芯区结构，该脊形光波导芯区结构包括：依次连接的模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅，以及一微环谐振腔，该微环谐振腔位于模斑转换器、直波导和布拉格反射光栅形成的直线一侧，与直波导位置对应且耦合连接，可与直波导进行光谐振耦合；气体传感上包层，位于一谐振耦合区域，该谐振耦合区域覆盖于直波导与微环谐振腔上方；以及绝缘上包层，覆盖于SOI基片上方除谐振耦合区域之外的区域。该气体传感器具有微型化、高灵敏度、响应速度快、不易受电磁干扰、制备工艺与CMOS工艺兼容、以及易于制备和集成的综合性能。

公开(公告)号：CN111399117A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010369829.4

申请日：2020-04-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 冯佐 ,  李兆峰 ,  杨富华 ,  王晓东 ,  何玉铭 ,  韩伟华

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明公开了一种混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法，其中，该氮化硅微环谐振腔包括：氮化硅波导；氮化硅微环谐振腔，设置与氮化硅波导形成耦合连接；楔形垂直耦合器，包括：氮化硅布拉格光栅耦合器，通过一楔形耦合器与氮化硅波导相连接，多晶硅楔形耦合结构，设置于氮化硅布拉格光栅耦合器和/或楔形耦合器上，以及III-V族楔形耦合结构，设置于多晶硅楔形耦合结构上；III-V族波导，设置与III-V族楔形耦合结构相连接。本发明提供的该氮化硅微环谐振腔，可以实现III-V族波导与氮化硅波导之间的垂直耦合。所设计的混合集成微环谐振腔具有低损耗、高偏振抑制比、高可集成度、制备工艺简单等综合优势。

公开(公告)号：CN111223923A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201811417296.1

申请日：2018-11-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 窦亚梅 ,  韩伟华 ,  张晓迪 ,  赵晓松 ,  郭仰岩 ,  吴歆宇 ,  杨富华

IPC: H01L29/775 ,  H01L21/336

Abstract: 一种三维空间束缚单杂质原子晶体管，基于SOI基片制备而成，所述三维空间束缚单杂质原子晶体管，包括：硅衬底；氧化物绝缘层，制作在所述硅衬底上；双V型凹槽纳米结构，制作在所述氧化物绝缘层上，双V型凹槽位于双V型凹槽纳米结构的两端之间；源区硅电导台面，位于所述氧化物绝缘层上，与所述双V型凹槽纳米结构的一端相连；漏区硅电导台面，位于所述氧化物绝缘层上，与所述双V型凹槽纳米结构的另一端相连；氧化物薄层，包裹在源区硅电导台面、漏区硅电导台面和双V型凹槽纳米结构的表面；栅极导电条，形成于氧化物绝缘层上，将双V型凹槽纳米结构的形成有双V型凹槽的部分覆盖，延伸方向垂直于所述双V型凹槽纳米结构的延伸方向；以及电极。

公开(公告)号：CN110186447A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910465860.5

申请日：2019-05-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何玉铭 ,  韩伟华 ,  李兆峰 ,  杨富华 ,  陈淼

IPC: G01C19/66 ,  G02B6/12 ,  G02B6/132 ,  G02B6/14

Abstract: 本发明公开了一种新型谐振式陀螺仪光波导芯片及其制备，该谐振式陀螺仪光波导芯片包括：SOI基片，包括底层硅、埋氧层和顶层硅；所述顶层硅上制作有脊形硅波导芯区，所述脊形硅波导芯区包括：依次连接的输入模斑转换器、波导和输出模斑转换器；二氧化硅层，位于所述脊形硅波导芯区上方；氮化硅层，包括氮化硅微环谐振腔，位于所述二氧化硅层上方；二氧化硅上包层，覆盖于所述氮化硅层、二氧化硅层以及SOI基片上方。本发明提供的谐振式陀螺仪光波导芯片具有高灵敏度、高可集成度、响应速度快、对加速度不敏感和制备工艺简单的效果。

公开(公告)号：CN110148622A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910370982.6

申请日：2019-05-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 吴歆宇 ,  韩伟华 ,  杨富华

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法，该杂质原子晶体管至少包括：源区、漏区，对称分布于一SOI衬底之上；一硅纳米线结构，位于SOI衬底之上，连接源区与漏区；一含杂质原子的硅纳米晶粒，镶嵌于硅纳米线结构(13)中间的梯形凹槽中。此外，该杂质原子晶体管还包括：绝缘介质薄膜层，制备于所述源区、漏区、硅纳米线结构及硅纳米晶粒的表面，用于作为绝缘和保护层；一栅极导电条，覆盖于所述硅纳米线结构之上的绝缘介质薄膜层之上；电极结构。本发明提出的基于硅纳米晶粒束缚的杂质原子晶体管及其制备方法，不仅能准确定义杂质原子的位置，还能提升杂质晶体管的工作温度。

公开(公告)号：CN103575998B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310511410.8

申请日：2013-10-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王昊 ,  韩伟华 ,  马刘红 ,  杨富华

IPC: G01R27/14

Abstract: 本发明公开了一种无结晶体管的电阻测试方法，包括：制作由多个无结晶体管串连而成的有栅极结构和无栅极结构；这两组结构中多个无结晶体管的源级和漏极依次制作在两个相邻的接触台面上，且两个相邻接触台面之间通过导电通道连接，导电通道长度依次递增；其中，有栅极结构中，导电通道上覆盖有栅极，且每个栅极到源级和漏极的长度分别相等；通过测量无栅极结构相邻接触台面间的电流与电压值，确定两相邻接触台面的接触电阻；通过测量有栅极结构中无结晶体管的转移特性曲线对应的饱和电流，确定不同栅长对应的总电阻值，再利用差值法计算得到沟道电阻以及串联电阻。本发明测试方法简单可靠，精度较高，计算量小。

公开(公告)号：CN105185823A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510490086.5

申请日：2015-08-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马刘红 ,  韩伟华 ,  付英春 ,  洪文婷 ,  吕奇峰 ,  杨富华

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/683 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/66522 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66568 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明涉及晶体管的制备方法，特别涉及一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法。采用MOCVD在III-V族材料上外延生长掺杂的纳米线阵列，并通过热剥离胶带和固定面板将纳米线转移，在硅基衬底上制备围栅结构的无结纳米线晶体管。本发明提供的这种围栅无结纳米线晶体管的制备方法，可以实现III-V族材料纳米线与平面硅工艺的兼容，同时有效抑制迁移率退化，提升晶体管的电流驱动能力。

公开(公告)号：CN104934479A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510236328.8

申请日：2015-05-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 洪文婷 ,  韩伟华 ,  吕奇峰 ,  杨富华

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/78 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/7624 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66469

Abstract: 一种基于SOI衬底的III-V族纳米线平面晶体管及制备方法，该晶体管，包括：一SOI衬底；一源区和一漏区，该源区和漏区形成在SOI衬底上；多根III-V族纳米线，该多根III-V族纳米线连接源区与漏区；一SiO2缓冲层，该SiO2缓冲层制作于该源区与漏区的表面；一绝缘介质层，该绝缘介质层制作于该多根III-V族纳米线和该SiO2缓冲层的表面，并完全包裹住该多根III-V族纳米线；一源电极，该源电极制作于该源区的上面；一漏电极，该漏电极制作于该漏区的上面；以及一栅电极，该栅电极制作于该源区与漏区之间的多根III-V族纳米线上，包裹住该多根III-V族纳米线。本发明可实现平面纳米线晶体管的制备。

公开(公告)号：CN104867834A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510192461.8

申请日：2015-04-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王昊 ,  韩伟华 ,  杨富华

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/775

CPC classification number: H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: 一种基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法，其中基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管，包括：一SOI衬底；一源区，其位于SOI衬底上面的一侧；一漏区，其位于SOI衬底上面的另一侧；一硅纳米线，该硅纳米线位于SOI衬底上，该硅纳米线连接源区与漏区；一绝缘介质薄膜层，该绝缘介质薄膜层制作于该硅纳米线以及源区、漏区的表面；一多晶硅栅条，该栅条制作于源区与漏区之间的硅纳米线上及两侧，并垂直于硅纳米线，在多晶硅栅条的两侧暴露出部分绝缘介质薄膜层；一源电极制作于源区上；一漏电极制作于漏区上；以及一栅电极制作于栅条上。本发明具有结构简化和实现了离子注入数目的精确控制。