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公开(公告)号：CN103308224A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310194074.9
申请日：2013-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01L1/24
Abstract: 本发明公开了一种半导体微区应力测试系统。系统包括激光光源、空间滤波器、起偏器、检偏器、物镜、载物台、光弹性调制器、探测器及锁相放大器，采用计算机控制逐点扫描并采集处理数据。通过测量材料表面相互垂直的两个方向上的光强反射比率差ΔR/R求得测试材料的应力分布。本发明可以克服其它测试系统带来的负面影响，对于材料不具有损伤性，小范围的表征材料应力的分布情况，测试过程简单快捷，测试精度高。
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公开(公告)号：CN100546017C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200610169750.7
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L23/00 , H01L31/0264 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，公开了一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄金属铪可协变层，该薄金属铪可协变层制备在硅单晶衬底上，用于对在其上外延生长的氧化锌外延薄膜进行失配应变协调。利用本发明，协调了硅衬底上所生长氧化锌外延薄膜的失配应变，并降低了残余应力，从而提高了其结晶质量和改善了其表面形貌，为研制硅基光电器件奠定了基础。
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公开(公告)号：CN100468044C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510055896.4
申请日：2005-03-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种半导体材料内部残余应力的测试装置，包括：一信号采集系统，该信号采集系统用于对采集的信号进行处理，得到样品的应力分布情况；一光学检偏棱镜，该光学检偏棱镜与信号采集系统连接；一光学起偏棱镜，该光学起偏棱镜置于光学检偏棱镜之前；一光弹性调制器，该光弹性调制器置于光学检偏棱镜和光学起偏棱镜之间；一激光光源，该激光光源提供光学系统的信号源。
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公开(公告)号：CN100424221C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200410009816.7
申请日：2004-11-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C23C14/22 , C23C14/48 , C23C14/06 , C30B25/02 , H01L21/3205 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化铪(HfN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上，选用纯度要求不高的氯化铪(HfCl4)固体粉末和氮气(N2)分别作为产生同位素纯低能金属铪离子(Hf+)束和氮离子(N+)束的原材料，通过准确控制参与生长的两种同位素纯低能离子的交替沉积束流剂量与配比、离子能量、离子束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现了氮化铪(HfN)薄膜的低成本高纯、正化学配比的优质生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，可制备得到具有原子尺度光滑平整的高结晶质量氮化铪(HfN)薄膜，是一种经济实用的制备应用于半导体技术领域氮化铪(HfN)薄膜材料的方法。
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公开(公告)号：CN101212006A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610171666.9
申请日：2006-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化铟和砷化镓的纳米结构，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，以避免衬底上的缺陷；一第一势垒层，该第一势垒层制作在缓冲层上，起到限制载流子作用；一铟或镓的第一液滴层，该铟或镓的第一液滴层制作在第一势垒层表面；一第二势垒层，该第二势垒层制作在铟或镓的液滴层的上面，保持原来的温度生长，以避免破坏纳米结构；一第三势垒层，该第三势垒层制作在第二势垒层上，采用高温生长，以得到好的晶体质量；一铟或镓的第二液滴层，该铟或镓的第二液滴层制作在第三势垒层表面，以便于表面形貌的表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101195743A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610164880.1
申请日：2006-12-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C09K11/74
Abstract: 本发明一种具光磁性质含MnInAs/GaAs量子点样品的结构，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层沉积在衬底，它可以有效地阻止衬底中的位错可能延伸到外延层中来；一绝缘层，该绝缘层沉积在缓冲层上；一量子点注入层，该量子点注入层沉积在绝缘层30上，它具有良好的发光性质；一表面盖层，该表面盖层沉积在量子点注入层上。
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公开(公告)号：CN100373534C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410069295.4
申请日：2004-07-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。
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公开(公告)号：CN100345247C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03155388.5
申请日：2003-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 一种氢致解耦合的异质外延用柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；一层去耦合的中间层，通过氢离子或氢气注入形成，对整个结构起解耦合作用；一顶层结构，厚度低于1000纳米，与机械支撑衬底共同完成对外延层的支撑，与中间层共同对整个结构实现解耦合的作用。
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公开(公告)号：CN101017776A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003072.7
申请日：2006-02-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/203 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/00
Abstract: 一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用SOI可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底；步骤2：将溅射靶材装入磁控溅射设备主生长室；步骤3：进行溅射靶材的表面预溅射处理；步骤4：将清洗过的SOI可协变衬底装入磁控溅射设备的主生长室；步骤5：进行SOI可协变衬底的加热烘烤除气处理；步骤6：氧化锌薄膜材料的磁控溅射方法制备生长；步骤7：氧化锌薄膜材料的原位退火处理；步骤8：将降到室温的氧化锌样品取出，完成氧化锌薄膜材料的制备。
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公开(公告)号：CN1796596A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410101885.0
申请日：2004-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是制备金属锆薄膜材料的方法，属于半导体技术领域。该方法利用有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度不高的低成本氯化锆为原材料，在用单束的同位素纯低能氩离子轰击清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属锆离子束和氮离子束制备一层薄氮化锆作为阻挡衬底与锆离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束的同位素纯低能金属锆离子外延生长金属锆薄膜，通过准确控制锆离子束的能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属锆薄膜的低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延。本发明的生长工艺便于调控和优化，是一种经济实用的制备金属锆薄膜材料的方法。
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